KR970003406A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
트리플 - 웰 구조를 갖는 반도체장치의 제조방법이 개시되어 있다. 반도체기판에 제1도전형의 웰을 형성하기 위해 제1도전형의 불순물을 이온주입한다. 제1도전형의 웰에 인접한 반도체기판에 제2도전형의 제1웰을 형성하기 위해 제2도전형의 제1불순물을 이온주입한다. 웰 드라이브 - 인 공정을 실시하여 제1도전형의 웰 및 제2도전형의 제1웰을 형성한다. 제1도전형의 웰 내에 제2도전형의 제2웰을 형성하기 위해 제2도전형의 제2불순물을 이온주입한다. 반도체기판 상에 소자분리막 및 트랜지스터를 차례로 형성한다. 소자분리막 및 트랜지스터를 형성하는 단계 동안의 열처리에 의해 제2도전형의 불순물로 이온주입된 영역이 확산되어, 제1도전형의 웰 내에 제2도전형의 제2웰이 형성된다. 종래방법에 비해 얕은 접합을 갖는 제2p웰을 형성함으로써, 소프트 에러를 효과적으로 방지하고 공정기간을 단축시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2E도는 본 발명에 의한 트리플 - 웰의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들.
Claims (3)
- 반도체기판에 제1도전형의 웰을 형성하기 위해 제1도전형의 불순물을 이온주입하는 단계; 상기 제1도전형의 웰에 인접한 상기 반도체기판에 제2도전형의 제1웰을 형성하기 위해 제2도전형의 제1불순물을 이온주입하는 단계; 웰 드라이브 - 인 공정을 실시하여 제1도전형의 웰 및 제2도전형의 제1웰을 형성하는 단계; 상기 제1도전형의 웰 내에 제2도전형의 제2웰을 형성하기 위해 제2도전형의 제2불순물을 이온주입하는 단계; 상기 반도체기판에 활성영역을 정의하기 위한 소자분리막을 형성하는 단계; 및 상기 반도체기판의 활성영역 상에 트랜지스터를 형성하는 단계를 구비하며, 상기 소자분리막 및 트랜지스터를 형성하는 단계 동안의 열처리에 의해 상기 제2도전형의 불순물로 이온주입된 영역이 확산되어, 상기 제1도전형의 웰 내에 제2도전 형의 제2웰이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전형의 제2불순물은 250keV 이하의 에너지로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2도전형의 제2웰은 2㎛ 이하의 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016462A KR970003406A (ko) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950016462A KR970003406A (ko) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 반도체장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003406A true KR970003406A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66524101
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950016462A KR970003406A (ko) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 반도체장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003406A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483029B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2005-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 삼중웰 제조방법 |
-
1995
- 1995-06-20 KR KR1019950016462A patent/KR970003406A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100483029B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2005-07-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 삼중웰 제조방법 |
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