KR960026179A - 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법 Download PDF

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KR960026179A KR1019940037319A KR19940037319A KR960026179A KR 960026179 A KR960026179 A KR 960026179A KR 1019940037319 A KR1019940037319 A KR 1019940037319A KR 19940037319 A KR19940037319 A KR 19940037319A KR 960026179 A KR960026179 A KR 960026179A
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황준
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 기판상에 형성된 이온주입영역의 계면에 티타늄 실리사이드층을 형성시키므로서 미세 콘택에서의 콘택저항을 감소시킬 수 있는 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택 형성방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 콘택 구조에 있어서, 실리콘 기판상에 형성된 이온주입영역에 계면에 형성된 티타늄 실리사이드층과, 상기 티타늄 실리사이드층의 상부에 순차로 적층된 티타늄층, 티타늄 나이트라이드층 및 금속층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택구조.
  2. 반도체 소자의 콘택 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 절연막을 형성하고 절연막상에 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함하는 전체구조 상부에 제1티타늄층을 형성하고 불순물 이온을 주입한 후 열처리하여 이온주입영역의 계면에 티타늄 실리사이드층을 형성하는 단계와, 상기 제1티타늄층을 제거하고 상기 티타늄 실리사이드층을 포함하는 전체구조 상부에 제2티타늄층, 티타늄 나이트라이드층 및 금속층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940037319A 1994-12-27 1994-12-27 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법 KR960026179A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100443517B1 (ko) * 2001-12-27 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 비트라인 형성방법

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KR100443517B1 (ko) * 2001-12-27 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 비트라인 형성방법

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