KR960026179A - 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택 형성방법에 관한 것으로, 실리콘 기판상에 형성된 이온주입영역의 계면에 티타늄 실리사이드층을 형성시키므로서 미세 콘택에서의 콘택저항을 감소시킬 수 있는 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘택 형성방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 콘택 구조에 있어서, 실리콘 기판상에 형성된 이온주입영역에 계면에 형성된 티타늄 실리사이드층과, 상기 티타늄 실리사이드층의 상부에 순차로 적층된 티타늄층, 티타늄 나이트라이드층 및 금속층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택구조.
- 반도체 소자의 콘택 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 절연막을 형성하고 절연막상에 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함하는 전체구조 상부에 제1티타늄층을 형성하고 불순물 이온을 주입한 후 열처리하여 이온주입영역의 계면에 티타늄 실리사이드층을 형성하는 단계와, 상기 제1티타늄층을 제거하고 상기 티타늄 실리사이드층을 포함하는 전체구조 상부에 제2티타늄층, 티타늄 나이트라이드층 및 금속층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택구조.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940037319A KR960026179A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019940037319A KR960026179A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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KR960026179A true KR960026179A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66769698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR1019940037319A KR960026179A (ko) | 1994-12-27 | 1994-12-27 | 반도체 소자의 콘택구조 및 콘택형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR960026179A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100443517B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 |
-
1994
- 1994-12-27 KR KR1019940037319A patent/KR960026179A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100443517B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 |
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