KR960026217A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 0.5㎛이하의 초미세 콘택 홀 내부의 노츨된 실리콘 기판상에 소정의 트렌치를 형성하여 콘택 홀에 의한 접촉 저항을 줄일 수 있는 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 내부에 불순물을 주입하여 확산 영역을 형성하고 절연용 산화막을 형성하는 단계, 콘택 홀을 형성하는 단계 및 소정의 금속 배선을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 소자 제조방법에 있어서, 상기 콘택 홀 형성 단계에서 실리콘 기판 내에 트렌치를 형성하고 불순물을 이온 주입하여, 콘택 홀의 크기는 변화시키지 않는 상태에서 금속 배선과 불순물이온주입영역과의 접촉 면적을 증가시켜 접촉 저항을 감소시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도의 (가) 내지 (다)는 본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법의 공정도.
Claims (5)
- 실리콘 기판 내부에 불순물을 주입하여 확산 영역을 형성하고 절연용 산화막을 형성하는 단계, 콘택 홀을 형성하는 단계 및 소정의 금속 배선을 형성하는 단계로 이루어지는 반도체 소자 제조방법에 있어서, 상기 콘택 홀 형성 단계에서 실리콘 기판의 확산층 내에 트렌치를 형성하고 불순물을 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치 형성 후에 주입하는 불순물은 기 주입된 불순물과 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불순물을 소정의 각도로 기울여서 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 각도는 ±10~20°인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 불순물은 1×1012~1×1017원자/㎠, 20~100kev의 조건으로 이온 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039106A KR960026217A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039106A KR960026217A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026217A true KR960026217A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039106A KR960026217A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026217A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100590201B1 (ko) * | 1999-02-02 | 2006-06-15 | 삼성전자주식회사 | 자기정렬 콘택 패드의 제조 방법 |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039106A patent/KR960026217A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100590201B1 (ko) * | 1999-02-02 | 2006-06-15 | 삼성전자주식회사 | 자기정렬 콘택 패드의 제조 방법 |
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