KR970030317A - 반도체소자 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 이온주입에 의해 형성되는 불순물 접합영역의 콘택 저항을 감소시키고, 콘택영역의 접합깊이 및 채널링 효과를 감소시키는데 적당하도록 하기 위해 반도체소자 제조공정중 이온주입에 의해 접합영역을 형성하는 반도체소자의 제조방법에 있어서, 상기 접합영역이 형성될 실리콘기판 부위에 실리콘 이온을 주입하여 비정질화시킨 후, 소정의 이온을 주입하여 접합영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조 방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 이온주입공정을 도시한 단면도.
Claims (1)
- 반도체소자 제조공정중 이온주입에 의해 접합영역을 형성하는 반도체소자의 제조방법에 있어서, 상기 접합영역이 형성될 실리콘기판 부위에 실리콘 이온을 주입하여 비정질화시킨 후, 소정의 이온을 주입하여 접합영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950043279A KR970030317A (ko) | 1995-11-23 | 1995-11-23 | 반도체소자 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950043279A KR970030317A (ko) | 1995-11-23 | 1995-11-23 | 반도체소자 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030317A true KR970030317A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66588117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950043279A KR970030317A (ko) | 1995-11-23 | 1995-11-23 | 반도체소자 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970030317A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101380514B1 (ko) * | 2007-10-25 | 2014-04-01 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법 |
-
1995
- 1995-11-23 KR KR1019950043279A patent/KR970030317A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101380514B1 (ko) * | 2007-10-25 | 2014-04-01 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체 기판의 제조 방법 |
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