KR970018256A - 고내압용 모드(MOS)트랜지스터의 제조방법 (Fabricating Method of MOS Transistor for withstanding a High Voltage) - Google Patents
고내압용 모드(MOS)트랜지스터의 제조방법 (Fabricating Method of MOS Transistor for withstanding a High Voltage) Download PDFInfo
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Abstract
고내압 트랜지스터의 제조에 있어서, P형 웰의 이온 주입 농도에 대한 적절한 제어의 성패가 소자의 특성에 중대한 영향을 끼치는데, 충분한 웰 접합 깊이의 확보가 이루어지지 않으면 소자의 구현이 곤란하다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 불순물의 확산 시간을 연장하지 않고도 고농도의 불순물을 웰 영역에 주입하고 다시 그와 반대의 도전성을 갖는 불순물을 웰 영역의 표면에만 주입하여 줌으로써 충분한 접학 깊이를 얻게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 고내압용 MOS 트랜지스터의 구조를 나타낸 단면도.
Claims (4)
- 고내압용 반도체 소자의 제조를 위한 웰 형성방법에 있어서；제1도 전형의 실리콘 기판(201)에 웰 영역(207)을 정의하고, 상기 웰 영역(207)에 제2도전형의 불순물 이온을 소정의 농도 및 에너지로 주입하고, 상기 주입된 불순물 이온을 확산시키는 공정과；상기 웰 영역(207)에, 상기 제2도전형의 불순물 이온 주입시의 농도 및 에너지 보다 상대적으로 낮은 농도 및 에너지로 제1도전형의 불순물 이온을 주입하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 고내압용 모스 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형의 불순물 이온을 확산을 위한 불순물 확산 공정을 부가적으로 포함하는것을 특징으로 하는 고내압용 모스 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1도전형의 불순물 이온은 인이온이고, 상기 제2도전형의 불순물 이온은 붕소이온인 것을 특징으로 하는 고내압용 모스 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2도전형의 불순물 이온은 약 4.5 ~ 9.0 × 1012㎠정도의 농도와 약 100KeV의 주입 에너지로 상기 웰 영역으로 주입되고, 상기 제1도전형의 불순물 이온은 약 9.0 × 1011㎠정도의 농도와 약 90KeV의 주입 에너지로 상기 웰 영역으로 주입되는 것을 특징으로 하는 고내압용 모스 트랜지스터의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950031789A KR970018256A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 고내압용 모드(MOS)트랜지스터의 제조방법 (Fabricating Method of MOS Transistor for withstanding a High Voltage) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950031789A KR970018256A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 고내압용 모드(MOS)트랜지스터의 제조방법 (Fabricating Method of MOS Transistor for withstanding a High Voltage) |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018256A true KR970018256A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66615907
Family Applications (1)
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| KR1019950031789A KR970018256A (ko) | 1995-09-26 | 1995-09-26 | 고내압용 모드(MOS)트랜지스터의 제조방법 (Fabricating Method of MOS Transistor for withstanding a High Voltage) |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR970018256A (ko) |
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1995
- 1995-09-26 KR KR1019950031789A patent/KR970018256A/ko not_active Application Discontinuation
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