KR900001038A - 모오스 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(A)-(H)도는 본 발명에 따른 제조공정도.
Claims (5)
- 모오스 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 제1도 전형의 반도체 P형 기판상에 소자형성 영역을 제외한 영역에 필드산화막을 형성하는 제1공정과, 상기 소자 형성 영역의 기판표면에 게이트 절연막을 형성하는 제2공정과, 상기 게이트 절연막상에 폴리 실리콘과 실리사이드의 2층으로 게이트 전극을 형성하는 제3공정과, 상기 기판상부 전면에 산화막을 형성하고 전면 재식각을 하는 제4공정과, 상기 게이트 전극위에 열산화막을 형성하는 제5공정과, 상기 기판전면에 제2도전형의 확산속도가 다른 제1 및 제2 이온주입을 하는 제6공정과, 상기 이온주입된 영역을 활성화하여 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 제7공정을 구비하여 상기 공정의 연속으로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제3공정의 상기 폴리실리콘의 두께가 1000-3000Å이고 실리사이드의 두께가 1000-3000Å임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제6공정의 제2도전형의 제1이온주입이 제2이온주입 보다 확산계수가 큰 이온으로 이온주입함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 제1이온주입이 인이온 주입이고 제2이온주입이 비소이온 주입임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제2도전형이 n형 임을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Publications (2)
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| KR920000634B1 KR920000634B1 (ko) | 1992-01-17 |
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Country Status (1)
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1988
- 1988-06-08 KR KR1019880006818A patent/KR920000634B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| KR920000634B1 (ko) | 1992-01-17 |
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