KR960026463A - 모스 전계 효과 트랜지스터(mosfet) 제조 방법 - Google Patents

모스 전계 효과 트랜지스터(mosfet) 제조 방법 Download PDF

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Abstract

매립 채널용 P형 확산층이 게이트 전국 바로 밑의 N웰의 표면 상에 형성되며, 이어서, 측벽 스페이서가 게이트 전국의 측면 상에 형성된다. 이어서, 게이트 전극 및 측벽 스페이서를 마스크로 하여, 인 이온이 경사 회전 이온 주입에 의해서 N웰에 주입되며, 보론 플로라이드 이온이 수직 이온 주입으로 주입된다. 다음에, 인 이온 및 보론 플로라이드 이온이 열처리에 의해 활성화됨으로써, 고밀도 P형 확산층 및 매립 채널용 P형 확산층을 형성한다.

Description

모스 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7A 내지 제7D도는 본 발명의 MOSFET 제조 공정의 바람직한 실시예를 순서대로 도시한 단면도.

Claims (6)

  1. 한 도전형의 불순물 영역을 갖는 MOSFET 제조 방법에 있어서, 한 도전형의 상기 불순물 영역 위에 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 측면 상에, 절연층으로 된 측벽 스페이서를 형성하는 단계; 한 도전형의 상기불순물 영역의 불순물 농도보다 높은 불순물 농도를 가지며 한 도전형의 상기 불순물 영역의 표면으로부터 제1 깊이를 갖는 한 도전형의 이온 주입된 층을 형성하도록, 상기 게이트 전극 및 상기 측벽 스페이서를 마스크로 하여 한 도전형의 불순물의 경사 회전 이온 주입을 수행하는 단계; 한 도전형의 상기 이온 주입된 층의 불순물 농도보다 높은 불순물 농도를가지며 한 도전형의 상기 불순물 영역의 표면으로부터 상기 제1 깊이보다 더 깊은 제2 깊이를 갖는 다른 도전형의 이온주입된 층을 형성하도록, 한 도전형의 상기 불순물 여역에 수직한 방향으로 상기 게이트 전극 및 상기 측벽 스페이서를 마스크로 하여 다른 도전형의 불순물의 이온 주입을 수행하는 단계; 및 한 도전형의 상기 이온 주입된 층 및 다른 도전형의 상기 이온 주입된 층을 열처리로 활성화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 경사 회전 이온 주입 단계 전에, 한 도전형의 상기 불순물 영역의 표면에 다른 도전형의 확산층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 한 도전형은 P형이고, 상기 다른 도전형은 N형이며, 다른 도전형의 상기 확산층을형성하는 상기 단계는 한 도전형의 상기 불순물 영역에 인 이온의 이온 주입, 비소 이온의 이온 주입 및 보론 플로라이드(boron fluoride) 이온의 이온 주입을 수행하는 단계; 및 다른 도전형의 상기 확산층을 형성하도록 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 제조 방법.
  4. MOSFET 제조 방법에 있어서, 적어도 한 도전형의 불순물 영역을 갖는 실리콘 기판의 수면의 영역을 형성하는 소자 상에 게이트 산화층을 형성하는 단계; 상기 게이트 산화층의 표면상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 측면 상에, 절연층으로 된 측벽 스페이서를 형성하는 단계; 한 도전형의 상기 불순물 영역의 불순물 농도보다높은 불순물 농도를 가지며 한 도전형의 상기 불순물 영역의 표면으로부터 제1 깊이를 갖는 한 도전형의 이온 주입된 층을 형성하도록, 상기 게이트 전극 및 상기 측벽 스페이서를 마스크로 하여 한 도전형의 불순물의 경사 회전 이온 주입을수행하는 단계; 한 도전형의 상기 이온 주입된 층의 불순물 농도보다 높은 불순물 농도를 가지며 한 도전형의 상기 불순물 영역의 표면으로부터 상기 제1 깊이보다 더 깊은 제2 깊이를 갖는 다른 도전형의 이온 주입된 층을 형성하도록, 상기기판에 수직한 방향으로 상기 게이트 전극 및 상기 측벽 스페이서를 마스크로 하여 상기 기판의 표면 상에 다른 도전형의불순물의 이온 주입을 수행하는 단계; 및 한 도전형의 상기 이온 주입된 층 및 다른 도전형의 상기 이온 주입된 층을 열처리로 활성화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 경사 회전 이온 주입 단계 전에, 한 도전형의 상기 불순물 영역의 표면에 다른 도전형의 확산층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 한 도전형은 P형이고, 상기 다른 도전형은 N형이며, 다른 도전형의 상기 확산층을 형성하는 상기 단계는 한 도전형의 상기 불순물 영역에 인 이온의 이온 주입, 비소 이온의 이온 주입 및 보론 플로라이드이온의 이온 주입을 수행하는 단계; 및 다른 도전형의 상기 확산층을 형성하도록 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOSFET 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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