KR960015967A - 얕은 접합을 갖는 반도체소자 제조방법 - Google Patents
얕은 접합을 갖는 반도체소자 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 얕은 접합을 갖은 반도체소자 제조방법에 관한 것으로, 모스펫의 저농도 확산영역을 얕은 접합으로 형성하기 위하여 원자 크기가 상대적으로 큰 비소 원자를 기판으로 주입하여 고농도 확산영역을 먼저 형성하고, 다시 스페이서를 제거한 후 원자 크기가 상대적으로 작은 인을 이온주입하여 저농도 확산영역을 형성하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 제1실시예에 의해 얕은 접합을 갖은 모스펫을 제조하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (7)
- 반도체소자 제조방법에 있어서, P형 실리콘기판상부에 게이트산화막과 게이트전극을 형성한 다음, 구조 상부에 열산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극의 측벽의 열산화막 표면에 질화막 스패이서를하고 비소원자를 이온주입하여 N+ 고농도 확산영역을 기판에 형성하는 단계와, 상기 질화막 스패이서를 제거하고, 인 원자를 이온주입하여 N- 저농도 확산영역을 게이트전극에 인접한 기판에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 얕은 접합을 갖는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고농도 확산영역은 30-70keV의 에너지로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 얕은 접합을 갖은 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 저농도 확산영역은 10-50keV의 에너지로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 얕은 접합을 갖는 반도체소자 제조방법.
- 반도체소자 제조방법에 있어서, P형 실리콘기판상부에 게이트산화막과 게이트 전극을 형성한 다음, 형성구조 상부에 열산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극의 측벽의 열산화막 표면에 질화막 스패이서를 형성하고 노출되는 열산화막을 식각하는 단계와, 이소원자를 이온주입하여 N+ 고농도 확산영역을 기판에 성하고, 노출된 고농도 확산영역과 게이트전극의 표면에 실리사이드를형성하는 단계와 상기 질화막 스패이서를 제거하고 인 원자를 이온주입하여 N- 저농도 확산영역을 게이트 전극에 인접한 기판에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 얕은 접합을 갖는 반도체소자 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 고농도 확산영역은 30-70keV의 에너지로 이온주입 접합을 갖는 반도체소자 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 저농도 확산영역은 10-50keV의 에너지로 이온구입 접합을 갖는 반도체소자 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 게이트산화막을 형성전에 게이트전극 하부에 문턱전압조절용 불순물로 BF₂를 lElO-lE14 원자/㎠의 농도와 20-100keV의 에너지로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 얕은 접합을 반도체소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940025489A KR960015967A (ko) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 얕은 접합을 갖는 반도체소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940025489A KR960015967A (ko) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 얕은 접합을 갖는 반도체소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960015967A true KR960015967A (ko) | 1996-05-22 |
Family
ID=66766870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940025489A KR960015967A (ko) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 얕은 접합을 갖는 반도체소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960015967A (ko) |
-
1994
- 1994-10-05 KR KR1019940025489A patent/KR960015967A/ko not_active Application Discontinuation
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