KR970052981A - 반도체소자의 제조방법 - Google Patents

반도체소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, DI-LDD 구조를 형성함에 있어서, 이온 주입영역 제어가 용이하여 펀치스로우 현상을 효과적으로 방지할 수 있도록 한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법은 반도체기판을 준비하는 단계, 상기 반도체기판에 불순물이온을 주입하여 불순물층을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판의 일부분이 노출되도록 상기 불순물층을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 콘택홀을 포함한 상기 불순물층위에 상기 콘택홀을 매립하도록 실리콘막을 형성하여 상기 불순물층을 제1 및 제2불순물영역으로 분리시키는 단계, 상기 실리콘막위에 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막위에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극을 마스크로 하여 게이트 전극 양측의 실리콘막에 불순물 이온을 주입하여 LDD 영역을 형성하는 단계, 상기 게이트전극의 양측면에 측벽을 형성하고, 상기 게이트 전극 및 측벽을 마스크로 상기 측벽양측의 실리콘에 불순물 이온을 주입하여, 상기 제1 및 제2불순물영역과 반대 도전성을 갖는 제3 및 제4불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a-2f 도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조공정 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 기판을 준비하는 단계, 상기 반도체 기판에 불순물 이온을 주입하여 불순물 층을 형성하는 단계, 상기 반도체 기판의 일부분이 노출되도록 상기 불순물층을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계, 상기 콘택홀을 포함한 상기 불순물 층위에 상기 콘택홀을 매립하도록 실리콘막을 형성하여 상기 불순물층을 제1 및 2불순물 영역으로 분리시키는 단계, 상기 실리콘막위에 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막위에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극을 마스크로 게이트 전극 양측의 실리콘막에 불순물 이온을 주입하여 LDD 영역을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극의 양측면에 측벽을 형성하고, 상기 게이트 전극 및 상기 측벽을 마스크로 상기 측벽 양측의 실리콘막에 불순물 이온을 주입하여 상기 제1 및 2불순물 영역과 반대 도전성을 갖는 제3 및 4불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀은 불순물층을 등방성 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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