KR960002691A - 반도체소자 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기판상에 게이트산화막과 폴리실리콘층을 형성하고, 상기 폴리실리콘층에서 게이트 전극으로 예정되어 있는 부분을 보호하는 감광막패턴을 폴리실리콘층상에 형성하며, 이를 마스크로 다량의 폴리머를 발생시키는 Br을 포함하는 혼합가스를 사용하여 폴리실리콘층을 소정 두께 식각하고, 이때 발생된 다량의 폴리머가 상기폴리실리콘층 식각용 감광막패턴과 식각 되어진 폴리실리콘층의 측벽에 부착되어 폴리머 스페이서가 형성되며, 상기 감광막패턴과 폴리머 스페이서를 마스크로 나머지 두께의 폴리실리콘층을 제거하여 철(凸)자 형상의 게이트전극을 형성하고, 상기 게이트전극의 두께차를 이용하여 상기 주조의 전표면에 불순물 이온을 주입하여 자기 정합적으로 LDD 구조의 소오스/드레인전극을 형성하였으므로, 이온주입공정 및 식각공정이 각각 한차례이므로 공정이 간단하고 반도체기판 및 게이트전극의 표면 손상이 감소되어 공정 수율 및 소자 동작의 신뢰성디 향상된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명에 따른 반도체소자의 제조공정도.
Claims (4)
- 반도체기판상에 형성되어 있는 게이트산화막과, 상기 게이트산화막상에 형성되어 있는 측면이 두께가 얇은 철(凸)자 형상의 게이트전극과, 상기 게이트전극 양측 하부의 반도체기판에 형성되어 있는 LDD 구조의 확산영역을 구비하는 반도체소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전형이 서로 반대 조전형으로서, 각각 N 및 P형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체소자.
- 제1도전형의 반도체기판상에 게이트산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트산화막상에 폴리실리콘층을 형성하는 공정과, 상기 폴리실리콘층에서 게이트전극으로 예정되어 있는 부분상에 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴에 의해 노출되어 있는 폴리실리콘층을 폴리머를 다량으로 발생시키는 Br을 포함하는 혼합가스로 소정두께 제거하며 상기 감광막패턴과 식각된 폴리실리콘층의 측벽에 폴리머 스페이서를 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴과 폴리머 스페이서를 마스크로 나머지 두께의 폴리실리콘층을 제거하여 철(凸)자 형상의 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 감광막패턴과 폴리머 스페이서를 제거하는 공정과, 상기 철(凸)자 형상의 게이트전극을 마스크로 하여 게이트전극 양측의 반도체기판에 제2도전형의 불순물로 LDD 구조의 확산영역을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 폴리실리콘층상에 질화막으로 된 반사방지막을 형성하고 후속 공정을 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013735A KR960002691A (ko) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013735A KR960002691A (ko) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002691A true KR960002691A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013735A KR960002691A (ko) | 1994-06-17 | 1994-06-17 | 반도체소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002691A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002250A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｍｏｓｆｅｔ 제조 방법 |
| KR100436773B1 (ko) * | 1997-12-20 | 2004-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성을 위한 식각 방법 |
| KR100552296B1 (ko) * | 1998-11-04 | 2006-06-07 | 삼성전자주식회사 | 다결정규소박막트랜지스터기판의제조방법 |
-
1994
- 1994-06-17 KR KR1019940013735A patent/KR960002691A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436773B1 (ko) * | 1997-12-20 | 2004-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성을 위한 식각 방법 |
| KR100552296B1 (ko) * | 1998-11-04 | 2006-06-07 | 삼성전자주식회사 | 다결정규소박막트랜지스터기판의제조방법 |
| KR20030002250A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | Ｍｏｓｆｅｔ 제조 방법 |
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