KR960026214A - 반도체 소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 게이트 전극과 불순물이온주입영역을 동시에 노출시킬 때 콘택 홀의 크기보다 노출되는 불순물이온주입영역의 면적을 크게 형성하여 설계 여유를 증가시킬 수 있는 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘 기판 상에 소정 패턴의 게이트 산화막, 폴리실리콘막 및 실리사이드막을 형성하는 단계, 게이트 측벽 스페이서와 불순물이온주입영역을 형성하는 단계, 전체 구조의 상부에 절연용 산화막을 형성하는 단계, 사진 식각법으로 콘택 홀을 형성하는 단계 및 소정의 금속 배선막을 형성하는 단계로 이루어진 반도체 소자 제조방법에 있어서, 상기 콘택 홀 형성 단계에서 실리콘 기판내에 트렌치를 형성하고 불순물을 이온주입하여 금속 배선막과 불순물이온주입영역과의 접촉 면적이 증대되어 설계 여유를 증가시켜 반도체 소자의 전기적 특성이 향상될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (7)
- 실리콘 기판 상에 소정 패턴의 게이트 산화막, 폴리실리콘막 및 실리사이드막을 형성하는 단계, 게이트 측벽 스페이서와 불순물이온주입영역을 형성하는 단계, 전체 구조의 상부에 절연용 산화막을 형성하는 단계, 사진 식각법으로 콘택 홀을 형성하는 단계 및 소정의 금속 배선막을 형성하는 단계로 이루어진 반도체 소자 제조방법에 있어서, 상기 콘택 홀 형성 단계에서 실리콘 기판내에 트렌치를 형성하고 불순물을 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치 형성시에 상기 실리사이드막과 게이트 측벽 스페이서를 식각 마스크로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 불순물을 기 주입된 불순물과 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 불순물은 소정의 각도로 기울여서 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 각도는 ±15°내지 25°정도인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 불순물은 20~100kev, 1×1012~1×1019원자/㎠의 조건으로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 불순물은 2회에 걸쳐서 반복 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR0162141B1 KR0162141B1 (ko) | 1999-02-01 |
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Family Applications (1)
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| KR1019940039102A KR0162141B1 (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자 제조방법 |
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1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039102A patent/KR0162141B1/ko active IP Right Grant
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| Publication number | Publication date |
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| KR0162141B1 (ko) | 1999-02-01 |
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