KR960026448A - 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 게이트용 전도막이 디파인된 반도체 기판에 저농도 불순물을 이온주입하는 단계 ; 상기 게이트용 전도막 패턴 측벽에 스페이서 전도막을 형성하는 단계 ; 고농도의 불순물을 이온주입하여 반도체 기판에 소오스/드레인을 형성하는 단계를 포함하여 게이트와 소오스/드레인간이 충분히 오버랩을 되도록 함으로써, 핫 캐리어 효과를 방지하여 향상된 동작특성을 갖는 트랜지스터 제조 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명의 일실시예에 따른 트랜지스터 제조 공정 단면도.
Claims (5)
- 트랜지스터 제조 방법에 있어서, : 게이트용 전도막이 디파인된 반도체 기판에 저농도 불순물을 이온주입하는 단계 ; 상기 게이트용 전도막 패턴 측벽에 스페이서 전도막을 형성하는 단계 ; 고농도의 불순물을 이온주입하여 반도체 기판에 소오스/드레인을 형성하는 단계를 포함하여 게이트와 소오스/드레인간이 충분히 오버랩을 되도록 하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서; 상기 게이트용 전도막은 게이트용 전도막 상에 그 표면을 보호하는 절연막을 더 포함하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서 ;상기 스페이서 전도막은 비도핑된 폴리실리콘막인 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조 방법.
- 제4항에 있어서 ; 상기 소오스/드레인 형성을 위한 고농도의 불순물 이온주입시 상기 스페이서 전도막인 비도핑된 폴리실리콘막에 동시에 고농도 불순물을 주입하는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033002A KR960026448A (ko) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940033002A KR960026448A (ko) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026448A true KR960026448A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66687972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940033002A KR960026448A (ko) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026448A (ko) |
-
1994
- 1994-12-06 KR KR1019940033002A patent/KR960026448A/ko not_active Application Discontinuation
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