KR900003967A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 1H도는 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 일실시예를 도시하는 공정 순서 단면도, 특히 제 1H도는 본 발명의 반도체 장치의 일실시예를 도시하는 주요 단면도,
제5도는 GmMAX를 설명하는 그래프,
제6도는 Lpunch를 설명하는 그래프.
Claims (11)
- 반도체 장치에 있어서, 제1전도형에서 제1의 농도를 가지는 반도체기판, 상기 반도체 기판중에 상기 반도체 기판 표면에서 격리되어 형성된 제1전도형에서 제1의 농도보다 고 농도의 제2농도를 상기 반도체 기판 표면에서 제1의 깊이에 가지는 띠모양의 제1불순물층, 상기 반도체 기판상에 1절연막을 거쳐서 형성된 게이트 전극, 상기 제 1 불순물층과 접하든가 그것보다 위에 존재하며, 또한 상기 제 1 불순물층에 가까운 부분에서 상기 게이트 전극의 양측의 상기 반도체 기판중에 서로 격리되어 형성된 제2전도형에서 상기 반도체 기판 표면에서 제2의 깊이에 제3의 농도를 가지며, 하면이 상기 게이트 전극 하측으로 향해서 돌출하는 형상으로 제2불순물층, 상기 게이트 전극의 측벽에 형성된 사이드웰 절연막, 상기 사이드웰 절연막 옆의 상기 제2불순물층중에 형성된 제2전도형에서 제3의 농도보다 고농도인 제4의 농도를 갖는 제3불순물층을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제1불순물층의 상기 제1의 깊이는 바람직하게는 0.2 내지 0.7㎛임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 또는 제2항에 있어서, 상기 제1불순물 층의 상기 제2의 농도는 바람직하게는 1×1016내지 3×1018cm-3임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 제2불순물층의 상기 제2의 깊이는 바람직하게는 0.05 내지 0.25㎛임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항, 제2항, 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 제2불순물층의 상기 제3의 농도는 바람직하게는 1×1016내지 6×1018cm-3임을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 제1전도형인 반도체 기판상에 제1의 절연막을 형성하는 공정과, 제1전도형인 제1의 불순물을 상기 반도체 기판중에 이온 주입하는 공정과 상기 제1의 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트 전극을 마스크로 해서 상기 반도체 기판과 역전도형인 제2전도형인 제2의 불순물을 상기 반도체 기판중에 그 불순물 농도의 피크가 상기 제1의 불순물 농도의 피크보다 얕아지도록 이온을 주입하는 공정과 상기 게이트 전극에 제2의 절연막에 의한 사이드웰 절연막을 형성하는 공정과 상기 게이트 전극 및 상기 사이드웰 절연막을 마스크에 제2전도형인 제3의 불순물을 상기 반도체 기판에 이온 주입하는 공정으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 사이드웰 절연막을 기판상 및 게이트 전극상에 제2의 절연막을 형성한 다음, 이방성 이온에칭을 행함으로서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 제1의 불순물의 농도가 피크가 되는 상기 반도체 기판중에 있어서의 상기 반도체 기판 표면으로 부터의 깊이는 바람직하게는 0.2 내지 0.7㎛이라는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제6항, 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 제1의 불순물의 상기 반도체 기판중에 있어서의 농도 피크는 바람직하게는 1×1018내지 3×1018cm-3임을 특징으로 하는 반도체 장치 제조방법.
- 제6항, 제7항, 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제2의 불순물 농도가 피크가 되는 상기 반도체 기판중에 있어서의 상기 반도체 기판 표면으로부터의 깊이는 바람직하게는 0.05 내지 0.25㎛임을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제6항, 제7항, 제8항, 제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 제2의 불순물의 상기 반도체 기판중에 있어서의 농도 피크는 바람직하게는 1×10+6내지 6×1018cm-3임을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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