KR970054180A - 반도체소자 및 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 및 제조방법에 관한 것으로, 옵셋영역 조절이 용이하고, 공정을 단순화 함은 물론 기판의 동일 평면상에 트랜지스터가 차지하는 면적을 감소시켜 고집적소자에 적합하도록 한 것이다.
본 발명에 따른 반도체소자는 기판과, 상기 기판상에 콘택홀을 갖는 제1절연막과, 상기 콘택홀 바닥에 형성된 제1불순물영역과, 상기 콘택홀을 제외한 상기 제1절연막상에 형성된 제2불순물 영역과, 상기 콘택홀측벽에 형성된 반도체 영역과, 상기 콘택홀내의 제1불순물 영역상에 영역상에 형성된 제2절연막상에 형성된 게이트전극을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 반도체소자의 제조방법은 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판상에 콘택홀을 갖는 제1절연막을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함한 제1절연막상에 활성층을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀 바닥 및 콘택홀을 제외한 상기 제1절연막상에 형성된 활성층 부분에 이온을 주입하여 제1 및 2불순물영역과 함께 상기 콘택홀측벽의 활성층 부분에 반도체 영역을 각각 형성하는 단계와, 상기 콘택홀 바닥위에 상기 제1불순물 영역상에 제2절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2절연막과 활성층위에 제3절연막을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀내에 제3절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단곌르 포함하여 이루어진다.

Description

반도체소자 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 단면도.

Claims (23)

  1. 기판; 상기 기판상에 형성되고, 콘택홀을 갖는 제1절연막; 상기 콘택홀 바닥에 형성된 제1불순물 영역; 상기 콘택홀을 제외한 상기 제1절연막상에 형성된 제2불순물영역; 상기 콘택홀 측벽에 형성된 반도체영역; 상기 콘택홀내의 제1불순물영역상에 형성된 제2절연막; 상기 제2절연막상에 형성된 게이트전극을 포하함여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1불순물영역은 드레인영역을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2불순물영역은 소오스영역을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체영역은 채널영역을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 채널영역은 제1불순물영역과 제2불순물영역에 수직으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반도체영역중 상기 제2절연막과 접촉되는 부분은 오프셋 영역을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 상기 콘택홀 깊이보다 작은 두께로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀내부에 트랜지스터 몸체가 형서되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  9. 제8항에 있어서, 상기 콘택홀내부에 트랜지스터 몸체는 실린더 형태로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 콘택홀내의 반도체영역을 포함한 제2절연막과 게이트전극 사이에 제3절연막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  11. 기판; 상기 기판상에 격리형성된 필드영역과 활성영역; 상기 활성영역의 기판상에 형성된 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막상에 형성된 제1도전층; 상기 제1도전응 양측의 기판에 형성된 제1 및 제2불순물영역들; 상기 기판상에 형성되고, 상기 제1도전층상측이 노출되도록 콘택홀을 갖는 제1절연막; 상기 콘택홀 바닥에 형성되고, 상기 제1도저층과 전기적으로 연결된 제3불순물영역; 상기 콘택홀을 제외한 제1절연막상에 형성된 제4불순물영역; 상기 콘택홀측면에 형성된 반도체영역; 상기 콘택홀내의 제3불순물영역상에 형성되고, 상기 콘택홀 깊이보다 작은 두께를 갖는 제2절연막; 상기 제2절연막과 반도체영역 및 제4불순물영역상에 형성된 제3절연막; 상기 콘택홀내의 제3절연막상에 형성된 제2도전층을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  12. 제11항에 있어서, 상기 게이트 절연막과 제1도전층 및 제1및 제2불순물영역은 벌크트랜지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제3 및 제4불순물영역과 제3절연막 제2도전층 박막트랜지스터를 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자.
  14. 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 콘택홀을 갖는 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 포함한 제1절연막상에 활성층을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 바닥 및 콘택홀을 제외한 상기 제1절연막상에 형성된 활성층 부분에 이온을 주입하여 제1 및 제2불순물여역들을 각각 형성하고, 상기 콘택홀측면에 형성된 활성층부분에 반도체 영역을 형성하는 단게; 상기 콘택홀 바닥위의 상기 제1불순물 영역상에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀내의 상기 제2절연막상에 게이트전극을 형성하는 단게를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 게이트전극을 형성하기전 공정으로 상기 제2절연막을 포하한 활성층상에 제3절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제3절연막은 게이트 절연막으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의제조방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 콘택홀깊이는 채널영역 길이를 결정하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의제조방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 제2절연막은 활성층위에 절연물질을 증착하고 상기 절연물질을 콘택홀내에만 남도록 제어하여 형서하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법,
  19. 제14항에 있어서, 상기 제2절연막은 오프셋영역을 형성하기 위해 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  20. 제14항에 있어서, 상기 제2절연막은 상기 콘택홀 깊이보다 작은 두께를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  21. 제14항에 있어서, 상기 콘택홀측벽에 형성된 반도체영역은 채널영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  22. 제14항에 있어서, 상기 콘택홀측벽에 형성된 반도체영역은 채널영역으로 사용하는 것을 특징으로 하는반도체 소자의 제조방법.
  23. 기판을 준비하는 단계; 상기 기판상에 필드영역과 활성영역을 격리 형성하는 단계; 상기 활성영역의 기판상에 게이트 절연막과 상기 게이트 절연막상에 제1게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 제1게이트전극 양측의 기판에 제1 및 제2불순물영역들을 형성하는 단계; 상기 기판상에 상기 제1게이트전극 상측이 노출되도록 코택홀을 갖는 제1절연막을 형성하는 단계;상기 콘택홀을 포함한 제1절연막상에 활성층을 형성하는 단게; 상기 콘택홀 바닥 및 콘택홀을 제외한 제1절연막상에 형성되는 활성층상에 불순물이온을 주입하여 제3 및 제4불순물영역을 형성하고, 상기 콘택홀측벽에 형성된 활성층부분에 반도체영역을 정의 하는 단계; 상기 제3불수물 영역상에 상기 콘택홀 깊이보다 작은 두께를 갖는 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제2절연막과 상기 활성층의 노출된 표면에 제3절연막을 형성하는 단게; 상기 콘택홀내의 제3절연막상에 제2게이트전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6747313B1 (en) * 1997-12-17 2004-06-08 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Thin film transistor
GB2362755A (en) 2000-05-25 2001-11-28 Nanogate Ltd Thin film field effect transistor with a conical structure
US8809854B2 (en) 2011-04-22 2014-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8932913B2 (en) 2011-04-22 2015-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device
US8878288B2 (en) 2011-04-22 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8916868B2 (en) * 2011-04-22 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US8847233B2 (en) 2011-05-12 2014-09-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a trenched insulating layer coated with an oxide semiconductor film

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5229310A (en) * 1991-05-03 1993-07-20 Motorola, Inc. Method for making a self-aligned vertical thin-film transistor in a semiconductor device
EP0545327A1 (en) * 1991-12-02 1993-06-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin-film transistor array for use in a liquid crystal display
KR950001159B1 (ko) * 1991-12-27 1995-02-11 삼성전자 주식회사 반도체 메모리장치의 박막트랜지스터 및 그 제조방법
US5241193A (en) * 1992-05-19 1993-08-31 Motorola, Inc. Semiconductor device having a thin-film transistor and process
KR0166840B1 (ko) * 1995-05-12 1999-01-15 문정환 리세스 채널 구조를 갖는 반도체 소자 및 그의 제조방법

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