KR950009933A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 콘택홀 형성 후 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 금속막(3)을 중착한 다음 열처리 하여 실리콘 기판(1)과 접한 부분의 금속막을 실리사이드화하여 실리사이드막(4)을 형성하는 단계와, 상기 열처리 후 실리사이드화 되지 않은 금속막(3)을 식각하여 제거하는 단계와, 전체구조 상부에 다 결정실리콘막(5)을 증착한 다음, 건식식각하여 상기 다결정실리콘막(5)을 소정정도 잔류시키는 단계와, 전체구조 상부에 장벽금속막(7), 배선형성용 금속막(8)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어짐으로써 콘택홀 저면 모서리 부분에서의 스텝커버리지특성 열화를 방지하여 소자의 신뢰성을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속배선 형성 공정 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 제조공정중 콘택홀 형성 후 금속배선 형성방법에 있어서, 전체구조 상부에 금속막(3)을 증착한 다음 열처리 하여 실리콘 기판(1)과 접한 부분의 금속막을 실리사이드화하여 실리사이드막(4)을 형성하는 단계와, 상기 열처리 후 실리사이드화 되지 않은 금속막(3)을 식각하여 제거하는 단계와, 전체구조 상부에 다결정 실리콘막(5)을 중착한 다음, 건식식각하여 상기 다결정실리콘막(5)을 소정정도 잔류시키는 단계와, 전체구조 상부에 장벽금속막(7), 배선형성용 금속막(8)을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막(3)은 티타늄막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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