KR900010931A - 콘택부위의 불순물 확산방지방법 - Google Patents
콘택부위의 불순물 확산방지방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체메모리소자의 제조공정도이다.
Claims (4)
- 반도체 메모리소자의 비트라인을 형성시키는 다음의 공정; (ㄱ) 기판위에 메모리회로가 구성되는 각 소자들을 형성시키는 공정후 절연층(3)을 도포 시키는 공정; (ㄴ) 콘택(4) 부위 형성과 불순물(P)이 주입되는 공정; (ㄷ) 폴리실리콘층(6)의 도포후 타이타늄층(7)을 도포시키고 급속어닐링 처리하는 공정; 과로되는 방법에 있어서, 상기(ㄱ)(ㄴ)의 공정과, 코발트층(5)을 데포시키는 공정과, 급속어닐링처리하여 콘택(4) 부위에 코발트 실리사이드층(11)을 형성시키는 공정과, 상기(ㄷ)의 공정시 가스(SiH4)가 폴리실리콘 층(6)에 주입되는 공정을 포함하는 콘택부위의 불순물 확산방지방법.
- 제1항에 있어서, 콘택(4) 부위에만 코발트 실리사이드층(11)을 형성되게 도포시키는 불순물 확산방지용 코발트물질 대신에 다른 불순물 확산방지용 물질로 장벽(Barrier metal)이 형성되게한 콘택부위의 불순물 확산방지방법.
- 제1항에 있어서, 콘택(4) 부위에 코발트 실리사이드층(11)을 형성시키는 공정은 코발트층(5)을 화학기상도포방식(CVD), 스퍼터리방식(SPUTTERING), 증착방식들중 하나의 공정을 선택하여된 콘택부위의 불순물 확산방지방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (ㄷ)의 공정시 라겟을 이용한 스퍼터링방식에 의하여 폴리실리콘층(6)에 주입되는 가스(SiH4) 대신에 SiH2Cl2, SiH6, TiCl4중 하나의 가스를 선택하여 화학기상 도포방식(CVD)으로 처리하는 콘택부위의 불순물 확산방지방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR1019880016962A KR920004777B1 (ko) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | 콘택부위의 불순물 확산방지방법 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443517B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 |
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1988
- 1988-12-19 KR KR1019880016962A patent/KR920004777B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100443517B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 |
Also Published As
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| KR920004777B1 (ko) | 1992-06-15 |
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