KR950009914A - 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법 Download PDF

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KR950009914A
KR950009914A KR1019930019242A KR930019242A KR950009914A KR 950009914 A KR950009914 A KR 950009914A KR 1019930019242 A KR1019930019242 A KR 1019930019242A KR 930019242 A KR930019242 A KR 930019242A KR 950009914 A KR950009914 A KR 950009914A
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유상호
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현대전자산업 주식회사
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부(source/Drain Junction) 형성방법에 관하여 기술한 것으로, 특히 깊이가 얕은 소오스/드레인 접합부 형성시 N+또는 P+형 불순물을 이온주입한 후 전반적으로 티타늄을 증착하고, 이후 금속 열처리 공정으로 티타늄-실리사이드를 형성한 후 다시 이온주입공정을 실시하여 티타늄-실리사이드 내의 이온을 확산소스로 사용하므로써 접촉저항이 낮고 깊이가 얕은 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법에 관하여 기술된다.

Description

반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a 내지 제1d도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부를 형성하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 필드 옥사이드(2), 게이트 옥사이드(3) 및 게이트 전극(4)을 형성한 상태에서, 전체구조상에 N+또는 P+형 불순물을 이온주입하여 소오스/드레인 접합부(6)를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 전체구조상에 티타늄(7)을 얇게증착하는 단계와, 상기 단계로부터 금속 열처리공정을 실시하여 접합부 및 게이트 전극(6 및 4)상에 티타늄-실리사이드(8)를 형성하고, 나머지 부분에는 잔여 티타늄(7a)이 남아있도록 하는 단계와, 상기 단계로부터 전체구조상에 다시 이온주입공정을 실시하여 상기 티타늄-실리사이드(8)를 통해 접합부(6)에 이온을 주입하는 단계와, 상기 단계로부터 선택적 에칭공정으로 잔여 티타늄(7a)을 제거한 후 일반 튜브 열처리공정을 실시하여 접합부(6)를 완성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 티타늄(7)은 300∼700Å 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR93019242A 1993-09-22 1993-09-22 Source/drain junction forming method KR960016234B1 (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100736301B1 (ko) * 2000-07-06 2007-07-06 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법

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