KR950010127A - 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부(Source/Drain Junction) 형성방법에 관하여 기술한 것으로, 특히 깊이가 얕은 소오스/드레인 접합부를 형성하기 위한 N+또는 P+형 불순물을 다단계 이온주입/급속열처리 공정을 이용하여 이온을 주입 열처리한 후 최종적으로 일반 튜브로 열처리 공정을 실시하여 소오스/드레인 접합부를 형성하므로써, 접촉저항 및 누설전류를 감소시킴은 물론 접합부의 깊이를 얕게 형성시킬 수 있는 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법에 관하여 기술된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부을 형성하는 단계를 설명하기 위해 도시한 단면도.
Claims (1)
- 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 필드 옥사이드(2) 및 게이트 옥사이드(3)를 순차적으로 형성한 후, 폴리실리콘을 증착 및 패턴화하여 게이트 전극(4)을 형성한 상태에서 N+또는 P+형 불순물을 낮은 주입에너지와 이온주입공정을 실시하여 깊이가 얕으면서 농도가 낮은 소오스/드레인 접합부(6)를 형성하는 단계와, 상기 이온주입에 의해 발생되는 결함을 제거하기위해 급속열처리하여 상기 접합부(6)의 결합을 제거하는 단계와, 상기 농도가 낮은 소오스/드레인 접합부(6)의 농도를 증가시키면서 결함 또한 제거하도록 상기 이온주입공정과 급속열처리공정을 반복실시하는 단계와, 상기 단계로부터 일반 튜브열처리하여 깊이가 얕은 완성된 소오스/드레인 접합부(6)를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930019240A KR950010127A (ko) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930019240A KR950010127A (ko) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950010127A true KR950010127A (ko) | 1995-04-26 |
Family
ID=66823952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930019240A KR950010127A (ko) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 반도체 소자의 소오스/드레인 접합부 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950010127A (ko) |
-
1993
- 1993-09-22 KR KR1019930019240A patent/KR950010127A/ko not_active IP Right Cessation
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