KR960042961A - 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 확산방지층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 확산방지층 형성방법이 개시된다.
본 발명은 실리콘층, 티타늄층 및 티타늄 나이트라이드층을 순차적으로 형성한 후, 열처리로 실리콘층과 티타늄층을 티타늄 실리사이드층으로 전화시켜 티타늄 실리사이드층과 티타늄 나이트라이드층으로 된 확산방지 층을 형성한다.
따라서, 본 발명은 접합영역에 도핑된 불순물 이온의 소모없이 티타늄보다 낮은 비저항을 갖는 티타늄 실리사이드층을 형성함에 의해 콘택저항을 감소시키고, 또한 티타늄 실리사이드층의 확산방지 능력으로 인하여, 티타늄 나이트라이드층을 얇게 형성할 수 있어 후속공정인 알루미늄 합금 중착공정시 층덮힘을 개선할 수 있을 뿐만 아니라, 확산방지효과를 중대시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 1D도는 본 발명에 의한 확산방지층 형성방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.
Claims (6)
- 반도체 소자의 확산방지층 형성방법에 있어서, 실리콘 기판상에 층간 절연막을 형성한 후, 상기 층간 절연막의 소정부분을 식각하여 접합영역이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함한 상기 층간 절연막상에 실리콘층을 형성하는 단계와, 상기 실리콘층상에 티타늄층 및 티타늄 나이트라이드층을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 티타늄 나이트라이드층을 열처리하고, 이때 상기 실리콘층의 실리콘 이온과 상기 티나늄층의 티타늄 이온이 반응되어 티타늄 실리사이드층으로 전환되므로, 이로 인하여 상기 티타늄 실리사이드층과 상기 티타늄 나이트라이드층으로 된 확산방지층이 형성되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산방지층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘층은 온도를 350 내지 600℃의 범위로 하고, 압력을 200mTorr 내지 50Torr의 범위로 하고, 소오스 가스로 모노 사일렌(SiH4)을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산방지층 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 모노 사일렌 대신에 디클로로사일렌(SiH2Cl2)을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산방지층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘층은 비정질의 상을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산방지층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘층은 다결정의 상을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산방지층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 N2가스 및 O2가스 분위기하에서 550 내지 800℃의 온도로 수초내지 수분간 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산방지층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950013127A KR960042961A (ko) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019950013127A KR960042961A (ko) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960042961A true KR960042961A (ko) | 1996-12-21 |
Family
ID=66525277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950013127A KR960042961A (ko) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960042961A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000041728A (ko) * | 1998-12-23 | 2000-07-15 | 윤종용 | 반도체소자의 다층 배선 및 그 형성방법 |
| KR100460065B1 (ko) * | 2002-07-12 | 2004-12-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 비트라인 형성 방법 |
| KR100548596B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2006-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 제조방법 |
| KR100560289B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2006-06-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
-
1995
- 1995-05-25 KR KR1019950013127A patent/KR960042961A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR20000041728A (ko) * | 1998-12-23 | 2000-07-15 | 윤종용 | 반도체소자의 다층 배선 및 그 형성방법 |
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