KR980005878A - 반도체 장치의 모스트랜지스터 제조방법 - Google Patents
반도체 장치의 모스트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 장치 제조방법에 있어서, 반도체 기판에 게이트 산화막 및 게이트 전극용 비도핑된 플리실리콘막을 차례로 형상하는 단계; 게이트 전극용 마스크를 사용하여 상기 게이트 산화막 및 상기 비도핑된 플리실리콘막을 차례로 선택식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계; 전체구조 상부에 금속막을 형성하고, 제1 열처리 공정을 통해 상기 금속막을 상 변환시티는 단계; 소오스/드레인 이온 주입 공정을 실시하는 단계; 상기 상 변환이 이루어지지 않은 금속막을 제거하는 단계; 및 제2 열처리 공정에 의해 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 장치의 모스랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 게이트 전극용 폴리실리콘막내에 도핑된 고농도 불순물 (AS)에 의한 상 변환 (Phase Transition)페일을 제거하고, 비교적 얕은 소오스/드레인 접합을 형성함으로써, 신뢰성 있는 고집적 소자를 실현할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치의 모스트랜지스터 제조 공정 단면도이다.
Claims (6)
- 반도체 장치 제조방법에 있어서, 반도체 기판에 게이트 산화막 및 게이트 전극용 비도핑된 폴리실리콘막을 차례로 형성하는 단계; 게이트 전극용 마스크를 사용하여 상기 게이트 산화막 및 상기 비도핑된 폴리실리콘막을 차례로 선택식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 측벽에 절연막 스페이서를 형성하는 단계; 전체구조 상부에 금속막을 형성하고, 제1 열처리 공정을 통해 상기 상기 금속막을 상 변환시키는 단계; 소오스/드레인 이온 주입 공정을 실시하는 단계; 상기 상 변환이 이루어지지 않은 금속막을 제거하는 단계; 및 제2열처리 공정에의해 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 장치의 모스트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 소오스/드레인 이온 주입 공정시 상기 비도핑된 폴리실리콘막내에 불순물이 도핑되는것을 특징으로 하는 반도체 장치의 모스트랜지스터.
- 제1항에 있어서,상기 금속막은 티타늄막 또는 텅스텐막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 모스랜지스터 제조방법.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 금속막은 500Å 내지 800Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 모스트랜지스터 제조방법
- 제1항에 있어서,상기 제1열처리는 650°Ｃ 정도 저온의 N₂가스분위기에서 약30초동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 모스트랜지스터 제조방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 제2열처리는 850˚Ｃ 내지 900˚Ｃ정도 고온의 N₂가스분위기에서 약 30초 내지 60초 동안 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 모스트랜스터 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023005A KR980005878A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 장치의 모스트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023005A KR980005878A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 장치의 모스트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005878A true KR980005878A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023005A KR980005878A (ko) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 반도체 장치의 모스트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005878A (ko) |
-
1996
- 1996-06-21 KR KR1019960023005A patent/KR980005878A/ko not_active Application Discontinuation
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