KR970072084A - 반도체 소자의 금속층 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속층 형성방법 Download PDF

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KR970072084A KR1019960011716A KR19960011716A KR970072084A KR 970072084 A KR970072084 A KR 970072084A KR 1019960011716 A KR1019960011716 A KR 1019960011716A KR 19960011716 A KR19960011716 A KR 19960011716A KR 970072084 A KR970072084 A KR 970072084A
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속층 형성방법을 제공하는 것으로, 저온 챔버를 이용하여 콜리메이티드 방법으로 제1금속층을 증착한 후 고온챔버를 이용한 고온공정에서 온도를 낮추어 제2금속층을 증착하므로써 금속층의 층덮힘을 양호하게 할 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 금속층 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속성 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 금속층 형성방법에 있어서, 소정의 제조공정을 거친 실리콘기판상에 절연막을 형성한 후 접합 영역이 노출되도록 절연막을 패터닝하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 절연막 및 접합영역상에 베리어금속층을 형성한 후 경화처리를 하여 상기 베리어금속층을 조밀화하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 베리어금속층상에 티타늄 엣팅막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 콜리메이티드 증착방법으로 상기 티타늄 엣팅막상에 제1금속층을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1금속층상에 제2금속층을 증착하여 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 베리어금속층은 티타늄 및 티타늄 나이트라이드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 티타늄 엣팅막은 티타늄이 400 내지 700Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1금속층은 알루미늄이 25 내지 200℃의 온도, 8 내지 15KW의 전력 및 1 내지 5mTorr의 압력 조건에서 1000 내지 3000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2금속층은 알루미늄이 450 내지 500℃의 온도, 2 내지 5KW의 전력 및 1 내지 5mTorr의 압력 조건에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속층 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960011716A 1996-04-18 1996-04-18 반도체 소자의 금속층 형성방법 KR100187687B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100299511B1 (ko) * 1999-06-18 2001-11-01 박종섭 반도체 소자의 금속배선 형성방법

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