KR980005554A - 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속 배선 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980005554A KR980005554A KR1019960024554A KR19960024554A KR980005554A KR 980005554 A KR980005554 A KR 980005554A KR 1019960024554 A KR1019960024554 A KR 1019960024554A KR 19960024554 A KR19960024554 A KR 19960024554A KR 980005554 A KR980005554 A KR 980005554A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- metal film
- metal
- forming
- depositing
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 금속 배선 신뢰성이 개선된 반도체 소자의 금속 배선 형성방법에 개시된다. 본 발명은, 트랜지스터 및 하부 절연막 공정이 진행된 반도체 기판을 제공하는 단계; 반도체 기판에 층간 절연막을 형성하는 단계; 층간 절연막의 소정부분을 식각하여, 층간 절연막내에 콘택홀을 형성하는 단계; 반도체 기판 상부 및 콘택홀 내부에 매립되도록 제1금속막을 증착하는 단계; 제1금속막 상부에 결정립이 작은 제2금속막을 증착하는 단계; 제2금속막과 제1금속막을 층간 절연막이 노출되도록 연마하는 단계; 결과물 상부에 제3금속막을 증착하는 단계를 포함한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1c도는 본 발명의 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 각 공정 순서별 단면도.
Claims (12)
- 트랜지스터 및 하부 절연막 공정이 진행된 반도체 기판을 제공하는 단계; 상기 반도체 기판에 층간 절연막을 형성하는 단계; 상기 층간 절연막의 소정 부분을 식각하여, 층간 절연막내에 콘택홀 형성하는 단계; 상기 반도체 기판 상부 및 콘택홀 내부에 매립되도록 제1금속막을 증착하는 단계; 상기 제1금속막 상부에 결정립이 작은 제2금속막을 증착하는 단계; 상기 제2금속막과 제1금속막을 층간 절연막이 노출되도록 연마하는 단계; 결과물 상부에 제3금속막을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3금속막은 알루미늄을 주성분으로 하는 합금막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1금속막은 저온에서 금속막을 증착하는 1단계 증착과, 고온에서 금속막을 증착하는 2단계 증착에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제1금속막의 1단계 증착은 50 내지 150℃의 온도에서 증착하고, 2단계 증착은 400 내지 700℃의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 제2단계로 증착되는 제1금속막의 두께로 제1금속막의 전체 두께의 30 내지 70%정도 인것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 콘택홀을 형성하는 단계와, 제1금속막을 형성하는 단계, 제1금속막을 형성하는 단계와 제2금속막을 형성하는 단계, 상기 연마하는 단계와 제3금속막을 형성하는 단계 및 제3금속막 상부에 베리어막을 각각 형성하는 단계를 부가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제6항에 있어서, 상기 베리어막은 전이 금속막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제7항에 있어서, 상기 베리어막은 티타늄막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제6항에 있어서, 상기 베리어막은 티타늄막과 티타늄 질화막의 2중막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2금속막의 증착 온도는 200 내지 600℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제3금속막의 증착온도는 50 내지 350℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 연마하는 단계는 CMP(chemical mechanical polishing)에 의하여 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024554A KR980005554A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024554A KR980005554A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005554A true KR980005554A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024554A KR980005554A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005554A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040049553A (ko) * | 2002-12-06 | 2004-06-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 비트라인 형성방법 |
| KR100645225B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2006-11-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 및 그 반도체 소자 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024554A patent/KR980005554A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040049553A (ko) * | 2002-12-06 | 2004-06-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 비트라인 형성방법 |
| KR100645225B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2006-11-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 및 그 반도체 소자 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950034678A (ko) | 집적 회로내에 전도성 접속부 형성 방법 및, 그 회로내의 전도성 부재 | |
| KR970063577A (ko) | 금속 배선 구조 및 형성방법 | |
| KR950034682A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 제조방법 | |
| KR20030043511A (ko) | 알루미늄을 이용한 구리 확산 방지 막 형성방법 | |
| KR940010214A (ko) | 반도체 소자의 금속콘택 형성방법 | |
| KR980005554A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| US6054771A (en) | Interconnection system in a semiconductor device | |
| KR0176197B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법 | |
| KR970072313A (ko) | 반도체 금속박막의 배선방법 | |
| KR970052242A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970072084A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR980005421A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR980005512A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970018230A (ko) | 금속배선의 장벽금속 형성 방법 | |
| KR930005484B1 (ko) | 반도체 집적회로의 금속배선 방법 | |
| KR100430682B1 (ko) | 반도체소자의금속배선형성방법 | |
| KR970077199A (ko) | 반도체 소자의 배선층 형성방법 | |
| KR980005515A (ko) | 반도체 소자의 비아콘택홀 형성방법 | |
| KR980005548A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR960035803A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR970008491A (ko) | 반도체장치의 다층배선 형성방법 | |
| KR970072318A (ko) | 반도체 장치의 배선 형성방법 | |
| KR980005417A (ko) | 금속 배선의 확산 방지층 형성방법 | |
| KR980006134A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR930005179A (ko) | 반도체장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |