KR980005548A - 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 콘택홀을 완전히 매립시켜 콘택홀 내의 전기적 단선문제를 해결하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명의 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법은 불순물 확산 영역과 게이트가 형성된 반도체 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 불순물 확산영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계; 콘택홀 내에 박막의 Si를 증착하는 단계; 증착된 Si막상에 장벽 금속막으로서 박막의 Ti막 및 TiN막을 순차적으로 증착하는 단계; 장벽 금속막 상에 콘택홀을 충분하게 매립시키도록 W을 증착하는 단계; 및 증착된 막들을 하부의 절연막의 표면이 노출되도록 비등방성 식각하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2d도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법을 설명하기 위한 단면도.
Claims (5)
- 불순물 확산 영역과 게이트가 형성된 반도체 기판상에 절연층을 형성하는 단계; 불순물 확산 영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계; 콘택홀 내에 박막의 Si를 증착하는 단계; 증착된 Si막상에 장벽 금속막으로서 박막의 Ti막 및 TiN막을 순차적으로 증착하는 단계; 장벽 금속막 상에 콘택홀을 충분하게 매립시키도록 W을 증착하는 단계; 및 증착된 막들을 하부의 절연막의 표면이 노출되도록 비등방성 식각하여 금속 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Si는 스퍼터링법으로 200~500Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 Si의 증착은 챔버내에 시준기를 설치하여 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 장벽 금속인 Ti/TiN막 대신에 단계별로 Ti증착, TiN증착, Ti증착을 하여, Ti/TiN/Ti구조의 장벽 금속막을 형성 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 장벽 금속인 Ti/TiN증착시 Ti와 TiN을 각각 시준기를 사용한 별도의 챔버에서 증착한 후 텅스텐을 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024540A KR980005548A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024540A KR980005548A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005548A true KR980005548A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024540A KR980005548A (ko) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005548A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100507868B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2005-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 배선 형성방법 |
-
1996
- 1996-06-27 KR KR1019960024540A patent/KR980005548A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100507868B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2005-11-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 배선 형성방법 |
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