KR960030326A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 알루미늄과 실리콘 간에 발생하는 접합 스파이킹(junction spiking) 현상을 방지하기 위해 형성되는 배리어(barrier)를 인시투 스퍼터링(In-Situ Sputtering) 공정에 의해 Ti/TiNOx로 형성하므로서 접합 스파이킹 현상을 완전히 제거할 수 있는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 반도체 소자의 금속배선 형성방법을 설명하기 위한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 접합영역이 형성된 실리콘 기판상에 절연막을 형성하고 상기 접합 영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함한 전체구조 상부의 표면에 티타늄막과 TiNOx막을 인시투 스퍼터링 공정에 의해 형성하고, 상기 TiNOx막의 상부에 알루미늄을 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 인시투 스퍼터링 공정시 N2가스, O2가스 및 아르곤 가스를 4 : 4 : 2의 비율로 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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