KR970054324A - 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법에 관한 것으로, 누설 전류의 발생을 방지하기 위하여 확산 방지막을 다층으로 형성하되, 각 층의 결정입계의 분포 및 크기가 서로 다르게 형성되도록 하므로써 확산에 의한 누설 전류의 발생을 방지하여 소자의 신뢰성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 확산 방지막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법에 있어서, 접합 영역이 형성된 실리콘 기판상에 절연층을 형성하고, 상기 접합 영역이 노출되도록 상기 절연층을 패터닝하여 콘택 홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 제1티타늄 나이트라이드, 티타늄 및 제2티타늄 나이트라이드를 순차적으로 증착하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2티타늄 나이트라이드는 결정입계의 분포 및 크기가 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2티타늄 나이트라이드는 250 내지 350Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄은 80 내지 120Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065709A KR970054324A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950065709A KR970054324A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970054324A true KR970054324A (ko) | 1997-07-31 |
Family
ID=66624218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950065709A KR970054324A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 소자의 확산 방지막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970054324A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950065709A patent/KR970054324A/ko not_active Application Discontinuation
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