KR970018230A - 금속배선의 장벽금속 형성 방법 - Google Patents
금속배선의 장벽금속 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970018230A KR970018230A KR1019950028818A KR19950028818A KR970018230A KR 970018230 A KR970018230 A KR 970018230A KR 1019950028818 A KR1019950028818 A KR 1019950028818A KR 19950028818 A KR19950028818 A KR 19950028818A KR 970018230 A KR970018230 A KR 970018230A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- tisi
- situ
- sputter depositing
- metal
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 기판의 접합층 일부가 노출되도록 절연막의 일부를 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계, 전체구조 상부에 TiSi막을 스퍼터링 증착하는 단계; 인-시츄로 상기 TiSi막상에 TiN막을 스퍼터링 증착하는 단계; 및 인-시츄로 어닐링하여 상기 TiSi막을 TiS2으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 장벽금속 형성 방법에 관한 것으로, 접합층에 존재하는 Si원자들이 과도하게 빠져나와 접합층을 손상시키는 것을 방지하여 소자의 신뢰성 및 소자 제조 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명에 따른 장벽금속 형성 공정도.
Claims (4)
- 반도체 소자 금속배선 공정에서의 장벽금속 형성 방법에 있어서; 반도체 기판의 접합층 일부가 노출되도록 절연막의 일부를 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계;전체구조 상부에 TiSi막을 스퍼터링 증착하는 단계; 인-시츄로 상기 TiSi막상에 TiN막을 스퍼터링 증착하는 단계; 및 인-시츄로 어닐링하여 상기 TiSi막을 TiS2으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 장벽금속 형성 방법.
- 제1항에 있어서 상기 TiSi막의 스퍼터링 증착은 TiSi타켓을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선의 장벽금속 형성 방법.
- 반도체 소자 금속배선 공정에서의 장벽금속 형성 방법에 있어서; 반도체 기판의 집합층 일부가 노출되도록 절연막의 일부를 식각하여 금속 콘택홀을 형성하는 단계; 전체구조 상부에 TiSi막을 스퍼터링 증착하는 단계; 인-시츄로 어닐링하여 상기 TiSi막을 TiS2으로 형성하는 단계; 및 인-시츄로 상기 TiS2막상에 TiN막을 스퍼터링 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속배선의 장벽금속 형성 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 TiSi막의 스퍼터링 증착은 TiSi 타겟을 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선의 장벽금속 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950028818A KR970018230A (ko) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 금속배선의 장벽금속 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950028818A KR970018230A (ko) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 금속배선의 장벽금속 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018230A true KR970018230A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66597173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950028818A KR970018230A (ko) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 금속배선의 장벽금속 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018230A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000057879A (ko) * | 1999-02-05 | 2000-09-25 | 가네꼬 히사시 | 고융점금속질화막 및 고융점금속실리사이드막을 이용한배선을 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 |
| KR100457408B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의텅스텐플러그형성방법 |
-
1995
- 1995-09-04 KR KR1019950028818A patent/KR970018230A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100457408B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-02-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의텅스텐플러그형성방법 |
| KR20000057879A (ko) * | 1999-02-05 | 2000-09-25 | 가네꼬 히사시 | 고융점금속질화막 및 고융점금속실리사이드막을 이용한배선을 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950025957A (ko) | 적층 구조의 배선을 갖고 있는 반도체 디바이스 및 그 제조방법 | |
| KR940020531A (ko) | 콘택홀에 금속플러그 제조방법 | |
| KR940010214A (ko) | 반도체 소자의 금속콘택 형성방법 | |
| KR950021526A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| KR970018230A (ko) | 금속배선의 장벽금속 형성 방법 | |
| KR970003513A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960030372A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR950030264A (ko) | 반도체소자 금속배선 형성방법 | |
| KR960042957A (ko) | 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 | |
| KR970052243A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 | |
| KR970052242A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR980005554A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR980005548A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR970018231A (ko) | 금속배선 제조방법 | |
| KR970063497A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선층 형성 방법 | |
| KR960030326A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR940001277A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| KR970072313A (ko) | 반도체 금속박막의 배선방법 | |
| KR950021285A (ko) | 금속배선층 형성방법 | |
| KR960039283A (ko) | 반도체 소자의 배선 제조방법 | |
| KR960043032A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970003535A (ko) | 반도체소자의 콘택 제조방법 | |
| KR950009933A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970053456A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970052516A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |