KR960043032A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 알루미늄 합금의 저온 증착에서 고온 고전력 증착으로 2단계 증착후, 진공단절없는 열처리법을 이용하여 금속콘택홀 매립 달성과 동시에 양호한 표면거칠기 특성을 가지는 막을 형성시킬 수 있기 때문에 소자의 신뢰도를 향상시키며, 금속배선공정을 단순화시킴으로써 소자의 제조단가를 낮출 뿐 만 아니라 마스크 공정시 정렬정확도를 확보할 수 있기 때문에 소자의 수율을 향상시키는 효과가 있다.

Description

반도체 소자의 금속배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1d도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속배선 형성공정도.

Claims (6)

  1. 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 있어서; 절연막으로 덮인 기판 또는 도전막 소정부위를 노출시키는 금속 콘택홀을 형성하는 단계; 전체구조 상부 표면을 따라 확산방지금속막을 형성하는 단계; 상기 확산방지금속막 상에점착막을 형성하는 단계; 상기 점착막이 형성된 콘택홀 측벽에 연속적인 막이 형성될 때까지 저온에서 소정두께의 제1알루미늄 합금막을 형성하는 단계; 상기 제1알루미늄 합금막상에 최종 목적 두께까지 고온에서 제2알루미늄 합금막을 형성하는 단계; 고온에서 소정시간 열처리하여 상기 제2알루미늄 합금막이 콘택홀을 완전히 매립하도록 하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 점착막은 티타늄막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1알루미늄 합금막 형성시 압력을 0.5mtorr 내지 2mtorr로 낮게 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1알루미늄 합금막 형성시 증착온도를 20℃ 내지 100℃도로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2알루미늄 합금막 형성시 전력을 15kω 이상의 고전력으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2알루미늄 합금막이 콘택홀을 완전히 매립하도록 하는 단계는, 상기 제2알루미늄합금막 형성후, 진공단절없이 400℃ 내지 580℃의 온도에서 120초 내지 240초 동안 열처리하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950012758A 1995-05-22 1995-05-22 반도체 소자의 금속배선 형성방법 KR0171323B1 (ko)

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