KR980005478A - 반도체 소자의 금속배선 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 금속배선 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR980005478A KR980005478A KR1019960023226A KR19960023226A KR980005478A KR 980005478 A KR980005478 A KR 980005478A KR 1019960023226 A KR1019960023226 A KR 1019960023226A KR 19960023226 A KR19960023226 A KR 19960023226A KR 980005478 A KR980005478 A KR 980005478A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- film
- titanium
- metal wiring
- aluminum alloy
- Prior art date
Links
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체소자의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판이나 금속으로 형성된 도전층 상부에 층간절연막을 형성하고, 상기 층간절연막의 예정된 부분을 식각하여 상기 도전층의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 도전층에 접속시키는 금속배선 형성방법에 있어서, 전체표면상부에 티타늄막을 소정두께 형성하고 상기 티타늄막 상부에 실리콘막을 소정두께 형성한 다음, 상기 티타늄막과 실리콘막이 반응하도록 열처리공정을 실시하여 접합층인 티타늄 실리사이드막을 형성하고 상기 티타늄 실리사이드막 상부에 알루미늄합금을 형성한 다음, 상기 알루미늄합금을 플로우시키는 열공정을 실시하여 금속배선을 형성함으로써 높은 단차의 콘택홀을 쉽게 매립할 수 있어 콘택특성을 향상시키고 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키며 그에 따른 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 및 제2b도는 본 발명의 실시예에 반도체소자의 금속배선 형성방법을 도시한 단면도.
Claims (6)
- 반도체 기판이나 금속으로 형성된 도전층 상부에 층간절연막을 형성하고, 상기 층간절연막의 예정된 부분을 식각하여 상기 도전층의 예정된 부분을 노출시키는 콘택홀을 형성한 다음, 상기 도전층에 접속시키는 금속배선 형성방법에 있어서, 전체표면상부에 티타늄막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 티타늄막 상부에 실리콘막을 소정두께 형성하는 공정과, 상기 티타늄막과 실리콘막이 반응하도록 열처리공정을 실시하여 접합층인 티타늄 실리사이드막을 형성하는 공정과, 상기 티타늄 실리사이드막 상부에 알루미늄합금을 형성한 공정과, 상기 알루미늄합금을 플로우시키는 열공정을 실시하여 금속배선을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄막은 100~200Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘막은 100~200Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플로우 공정은 500~900℃정도의 온도로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속배선 형성방법은 상기 티타늄 증착공정부터 상기 플로우 공정까지 고진공으로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.
- 제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 금속배선 형성방법은 상기 티타늄막 증착 챔버, 실리콘막 증착 챔버, 열공정 챔버, 알루미늄합금 증착 챔버 및 플로우 챔버가 형성되고, 각각의 챔버 사이가 고진공으로 연결된 멀티 챔버를 사용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023226A KR980005478A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023226A KR980005478A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005478A true KR980005478A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66288266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023226A KR980005478A (ko) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005478A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422906B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2004-03-16 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
-
1996
- 1996-06-24 KR KR1019960023226A patent/KR980005478A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422906B1 (ko) * | 2001-11-12 | 2004-03-16 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950034682A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 제조방법 | |
| KR960039147A (ko) | 접속홀의 플러그 형성 방법 | |
| KR960043035A (ko) | 반도체 소자의 배선 형성방법 | |
| KR980005478A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970003513A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR960030372A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970052277A (ko) | 금속배선 형성방법 | |
| KR100187685B1 (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성 방법 | |
| KR100443363B1 (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970052928A (ko) | 반도체 소자의 부식방지용 금속배선 형성방법 | |
| KR960039282A (ko) | 반도체 소자의 배선 제조방법 | |
| KR960043114A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970052303A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR930018658A (ko) | 금속배선층 형성방법 | |
| KR980005485A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JPS63293950A (ja) | 半導体装置 | |
| KR960039204A (ko) | 금속막 배선 형성방법 | |
| KR940008375B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
| KR970052505A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970008347A (ko) | 반도체 소자의 금속층 형성방법 | |
| KR970053548A (ko) | 반도체소자의 적층 비아홀 형성방법 | |
| KR970052341A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR980005312A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR980005519A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR940027100A (ko) | 반도체 소자의 다층배선 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |