KR960043035A - 반도체 소자의 배선 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 배선 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 배선형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판 위에 절연막을 중착한 후 이를 선택 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과; 상기 절연막고 기판 위에 장벽층을 형성하는 공정과; 상기 장벽충 위에 제1알루미늄 합금충을 형성하는 공정과; 상기 제1알루미늄 합금충 위에 Ge을 함유한 제2알루미늄 합금층을 형성하는 공정 및; 상기 제1 및 제2알루미늄 합금층이 형성된 기판을 열처리하여 알루미늄 합금 배선을 형성하는 공정을 거쳐 소자 제조를 완료하므로써, 제2알루미늄 합금충의 고유 특성인 저온 유동성을 살리면서도 최종적으로 형성되는 알루미늄 합금 배선의 일렉트로마이그레이션(electromigration)특성을 개선시킬 수 있는 고신뢰성의 반도체 소자의 배선을 구현할 수 있게 된다.

Description

반도체 소자의 배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(가)도 내지 제2(마)도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 소자의 배선 형성방법을 도시한 공정수순도.

Claims (11)

  1. 반도체 기판 위에 절연막을 중착한 후 이를 선택 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과; 상기 절연막과 기판 위에 장벽층을 형성하는 공정과; 상기 장벽충 위에 제1알루미늄 합금충을 형성하는 공정과; 상기 제1알루미늄 합금충 위에 Ge을 함유한 제2알루미늄 합금층을 형성하는 공정 및; 상기 제1 및 제2알루미늄 합금층이 형성된 기판을 열처리하여 알루미늄 합금 배선을 형성하는 공정을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1알루미늄 합금충은 알루미늄에 V, Pd, Sc, Cu, Ti 등의 원소들을 하나 이상 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2알루미늄 합금충은 150℃ 이하의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2알루미늄 합금충에 함유된 Ge의 양은 상기 알루미늄 합금 배선의 1~7at/O가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 300℃ 이상의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소장의 배선 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 알루미늄 합금 배선은 Al-Gu-Ge로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  7. 반도체 기판 위에 절연막을 중착한 후 이를 선택 식각하여 콘택홀을 형성하는 공정과; 상기 절연막과 기판 위에 장벽충을 형성하는 공정과; 상기 장벽충 위에 제1알루미늄 합금충을 형성하는 공정 및 상기 제1알루미늄 합금충이 형성된 기판을 가열하여 고온으로 올린 후, 고온 상태에서 Ge을 함유한 제2알루미늄 합금충을 형성하여 알루미늄 합금배선을 완성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1알루미늄 합금충은 150℃이하의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 기판은 300℃ 이상의 온도를 가지도록 가열하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제1알루미늄 합금충은 알루미늄에 V, Pd, Sc, Cu, Ti등의 원소들을 하나 이상 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선 형성방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 열처리 공정은 300℃이상의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소장의 배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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