KR940016626A - 반도체장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

하프 미크론 이하의 접촉구를 매립하는 반도체 장치의 배선층 구조 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판상에 절연층을 형성하고, 절연층에 접촉구 또는 비아를 형성하고, CVD방법을 이용하여 접촉구를 매립한다. 다음에, 수득한 CVD금속층을 용융점 이하의 고온에서 진공열처리하여 그 표면을 평활하게 한후 그위에 신뢰성있는 스퍼터 금속층을 형성한다. CVD방법에 의해 접촉구가 매립되고, 신뢰성 있는 스퍼터 금속층을 적층 형성함으로써, 하프 미크론 이하의 접촉구를 매립하는 반도체 장치의 배선층을 형성할 수 있어, 차세대 반도체 장치의 배선층으로서 사용이 가능하다.

Description

반도체장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 4 도 내지 제 7 도는 본 발명의 반도체 장치의 배선층의 예들을 나타내는 단면도들이고; 제 8 도 내지 제12도는 본 발명의 방법에 의한 반도체장치의 배선층 형성방법의 일 실시예를 나타내기 위한 개략도.

Claims (45)

  1. 반도체 웨이퍼상에 형성된 절연막; 상기 절연막에 형성된 요부; 상기 요부를 완전히 매립하고 평활한 표면을 갖는 CVD금속층; 상기 CVD금속층상에 형성되어 있고 스퍼터된 금속층으로 구성된 배선층을 포함하는 반도체 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 요부는 반도체 기판에 형성된 불순물 도핑영역을 노출시키는 접촉구 또는 반도체 장치의 하부 도전층과 상구 도전층의 전기적 접속을 위한 바아임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 CVD금속층과 상기 CVD금속층과의 반응을 억제하기 위하여, 상기 CVD금속층하부에 형성된 확산 방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 확산 방지막은 상기 요부의 내면상에 연장되어 형성되어 있음을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 확산 방지막은 상기 요부의 내면 및 절연막의 표면상에 형성되어 있음을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 확산 방지막은 내화 금속 또는 내화 금속화합물로 구성되어 있음을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 확산 방지막은 내화 금속으로 구성된 제 1 확산 방지막과 내화 금속화합물로 구성된 제 2 확산 방지막으로 구성된 복합막임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 요부는 어스펙트비가 2.0 내지 6.0이고 크기가 0.2 내지 0.6㎛임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 CVD금속층 하부에 형성되어 있는 핵 생성 활성(nucleation)층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 핵 생성층은, 실리콘, 구리 또는 이들의 조합으로 구성되거나, 내화 금속 및 내화 금속화합물로 구성된 군에서 선택된 어느 하나 이상의 물질로 구성되거나 수소 처리층 또는 실릴화층인 특징으로 하는 반도체 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 CVD금속층과 스퍼터된 금속층 사이에 형성된 중간층을 더 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 중간층은 (111)배향성을 갖는 제 3 확산 방지막임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 중간층이 실리콘층, 내화 금속 및 이들의 화합물로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  14. 반도체 웨이퍼상에 형성된 절연막; 상기 절연막에 형성된 개구부; 상기 개구부를 완전히 매립하고 평탄한 표면을 갖는 CVD금속플러그; 상기 CVD금속플러그 및 상기 절연막층상에 형성되어 있고 스퍼터된 금속층으로 구성된 배선층을 포함하는 반도체 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 개구부는 반도체 기판에 형성된 불순물 도핑영역을 노출시키는 접촉구 또는 반도체 장치의 하부 도전층과 상부 도전층의 전기적 접속을 위한 비아임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 개구부의 내면 및 저면상에 형성되고, CVD금속층 하부에 형성된 확산 방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 확산 방지막은 내화 금속으로 구성된 제 1 확산 방지막과 내화 금속화합물로 구성된 제 2 확산 방지막으로 구성된 복합막임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 개구부의 내면과 CVD금속플러그 사이에 형성되어 있는 핵 생성 활성(nucleation)층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 핵생성층은, 실리콘, 구리 또는 이들의 조합으로 구성되거나, 내화 금속 및 내화 금속화합물로 구성된 군에서 선택된 어느 하나 이상의 물질로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 장치.
  20. 제14항에 있어서, 상기 CVD금속플러그 및 상기 절연막과 스퍼터된 금속층 사이에 형성된 중간층을 더포함함을 특징으로 하는 반도체 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 중간층은 (111) 배향성을 갖는 제 3 확산 방지막임을 특징으로 하는 반도체 장치.
  22. 제20항에 있어서, 상기 중간층이 실리콘층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  23. 반도체 기판상에 형성된 절연막; 상기 절연막에 형성된 개구부; 상기 개구부의 내면 및 저면 및 상기 절연막상에 형성되어 있는 확산 방지막; 상기 확산 방지막상에 형성되어 있는 핵 생성 활성층; 상기 개구부를 완전히 매립하고 평탄한 표면을 갖는 CVD금속층; 상기 CVD금속층상에 형성된 중간층; 상기 중간층상에 형성되어 있고 스퍼터된 금속층을 포함하는 반도체 장치.
  24. 반도체 기판상에 형성된 절연막; 상기 절연막에 형성된 개구부; 상기 개구부의 내면 및 저면상에 형성되어 있는 확산 방지막; 상기 확산 방지막 및 상기 절연 막상에 형성되어 있는 핵생성활성층; 상기 개구부를 완전히 매립하고 평탄한 표면을 갖는 CVD금속층; 상기 CVD금속층상에 형성된 중간층; 상기 중간층상에 형성되어 있고 스퍼터된 금속층을 포함하는 반도체 장치.
  25. 반도체 기판상에 형성된 절연막; 상기 절연막에 형성된 개구부; 상기 개구부의 내면 및 저면상에 형성된 확산 방지막; 상기 확산 방지막상에 형성된 핵생성활성층; 상기 개구부를 완전히 매립하고 평탄한 표면을 갖는 CVD금속플러그; 상기 CVD금속플러그 및 상기 절연막층상에 형성되어 있는 중간층; 상기 중간층상에 형성되어 있는 스퍼터된 금속층을 포함하는 반도체 장치.
  26. 반도체 기판상에 형성된 절연막; 상기 절연막에 형성된 개구부; 상기 개구부의 저면상에 형성된 확산 방지막; 상기 확산 방지막, 상기 개구부의 내면 및 상기 절연막상에 형성된 핵생성활성층; 상기 개구부을 완전히 매립하고 평탄한 표면을 갖는 CVD금속층; 상기 CVD금속층층상에 형성되어 있는 중간층; 상기 중간층상에 형성되어 있는 스퍼터된 금속층을 포함하는 반도체 장치.
  27. 반도체 기판상에 개구부를 갖는 절연막을 형성하고, 상기 개구부를 매립하는 금속층을 CVD방법에 의해 CVD금속층을 형성하고, 상기 CVD금속층을 열처리하여 그 표면이 평활한 CVD금속층을 수득하고, 상기 CVD금속층상에 스퍼터링 방법에 의해 신뢰성있는 스퍼터 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 CVD금속층은 TIBA, TIMA, DMAH 및 DIBAH로 구성된 군에서 선택된 유기 금속 화합물을 소오스로 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  29. 제27항에 있어서, 상기 CVD금속층을 형성하기 전에, 상기 CVD금속층과 상기 CVD금속층과 접촉하는 반도체 기판 또는 절연막과의 반응을 억제하기 위하여, 확산 방지막을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 확산 방지막은 상기 개구부의 내면 및 저면 및 상기 절연막상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  31. 제29항에 있어서, 상기 확산 방지막은 상기 개구부의 저면상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  32. 제29항에 있어서, 상기 확산 방지막은 상기 개구부의 내면 및 저면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  33. 제27항에 있어서, 상기 CVD금속층을 형성하기 전에, 상기 CVD금속층을 균일하게 형성하기 위하여 상기 CVD금속층이 형성되는 부위에 핵 생성 활성층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  34. 제34항에 있어서, 상기 핵 생성 활성층은 Ti, Mo, Ta 및 Zr로 구성된 군에서택된 내화 금속 또는 이들의 화합물로 구성된 군에서 선택될 어느 하나를 증착하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  35. 제34항에 있어서, 상기 핵 생성 활성층은 수소 종단 또는 수소처리 하여 수득한 수소 처리중인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  36. 제34항에 있어서, 상기 핵 생성 활성층은 실리콘을 스퍼터링하거나 실리콘 수소화물을 풀러쉬하여 수득한 실리콘층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  37. 제34항에 있어서, 상기 핵 생성 활성층은 실릴화 처리하여 수득한 실릴화층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  38. 제37항에 있어서, 상기 열처리 공정은 상기 CVD금속층을 구성하는 금속의 용융점 이하의 고온에서 진공을 깨지 않고, 연속적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  39. 제 38 항에 있어서, 상기 열처리 공정은 0.6Tm 내지 Tm(Tm은 상기 CVD금속층을 구성하는 금속의 용융점이다)의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  40. 제 27 항에 있어서, 상기 스퍼터 금속층을 형성하기 전에, 상기 표면이 평활한 CVD금속층상에 중간층을 형성하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  41. 제 41 항에 있어서, 상기 중간층으로서 우선 방위가 (111)인 TiN을 증착시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  42. 제 27 항에 있어서, 상기 스퍼터 금속층은, 저온에서 스퍼터 금속층 소기 두께의 일부분을 먼저 증착하여 제 1 스퍼터 금속층을 형성하고, 상기 제 1 스퍼터 금속층을 용융점 이하의 고온에서 열처리한 후, 추가로 상기 스퍼터 금속층의 소정두께로 제 2 금속층을 증착하여 형성한 복합층으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  43. 반도체 기판 상에 CVD방법에 의해, 금속층을 형성하고, 상기 금속층을 상기 금속층을 구성하는 금속의 용융점이하의 고온에서 열처리하여 상기 금속층의 표면을 평활하게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  44. 반도체 기판상에 개구부를 갖는 절연막을 형성하고, 상기 개구부만을 선택적으로 매립하는 금속플러그를 CVD방법에 의해 형성하고, 상기 CVD금속플러그를 열처리하여 그 표면이 평활한 CVD금속플러그를 수득하고, 상기 CVD금속플러그 및 상기 절연막상에 스퍼터링 방법에 의해 신뢰성있는 스퍼터 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  45. 반도체 기판상에 절연막을 형성하고, 상기 절연막에 반도체 기판의 불순물 도핑영역을 노출시키는 접촉구를 형성하고, 상기 접촉구의 내면, 상기 반도체 기판의 노출된 표면 및 상기 절연막상에 확산 방지막을 형성하고, 상기 확산 방지막상에 핵생성활성층을 형성하고, 상기 핵생성활성층상에 상기 접촉구를 매립하는 금속층을 CVD방법에 의해 CVD금속층을 형성하고, 상기 CVD금속층을 열처리하여 그 표면이 평활한 CVD금속층을 수득하고, 상기 표면이 평활한 CVD금속층상에, 우선 방위가 (111)인 중간층을 형성하고, 상기 중간층상에 스퍼터링 방법에 의해 신뢰성있는 스퍼터 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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