JP3584054B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は半導体装置及びその製造方法に係り、より具体的に本発明は配線層を含む半導体装置及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の集積度の低い半導体装置において、金属の段差塗布性は大きく問題にならなかった。ところが、最近には半導体装置の高集積化により接触口の直径はハーフミクロン位に非常に小さくなり、深さも深くなってアスペクト比は一層大きくなり、半導体基板に形成された不純物注入領域は遙に薄くなった。従って、従来のアルミニウムを利用し配線を形成する方法は直径 0.5μm 以下及び2以上のアスペクト比を有する接触口を埋め立てるのに困難であり、ボイドが形成され金属配線層の信頼性を低下させるので改善する必要性があった。従って、近来には半導体装置の配線方法は半導体装置の速度、収率及び信頼性を決定する要因となるので半導体製造工程中、一番重要な位置を占めている。
【0003】
高いアスペクト比、スパッターされたアルミニウムの段差塗布性の不良によるボイド形成のような問題点を解決するためにアルミニウムを溶融させ接触口を埋め立てる方法が提示されている。例えば、日本国特許公開公報第62−132848号(菅野幸保等)、日本国特許公開公報第63−99546号(飯島晋平等)、日本国特許公開公報第62−109341号(清水雅裕等)等には溶融法が開示されている。前記した公報によれば、アルミニウム又はアルミニウム合金を蒸着した後、アルミニウムをアルミニウムの溶融点以上の温度で加熱し液状アルミニウムを流動させ接触口を埋め立てる。前記公報以外に、米国特許第4、920、027号(Ryoichi Mukai )、米国特許第4、800、179号(Ryoichi Mukai )及び米国特許第4、758、533号(Magee Thomas et al. )には、金属層を蒸着した後、レーザービームを利用し加熱溶融させ平坦化された金属層を形成する方法が開示されている。
【0004】
前記方法によると、半導体ウェハーを水平的に位置させ溶融された液状アルミニウムが接触口を適当に埋め立てるようにし、液状金属層は表面張力を小さくしようとし固化の際に収縮したり捩じれるようになり底部の半導体物質を露出させ、熱処理温度を正確に調節できず、一定に反復再現しにくいという問題点が存する。又、金属上の残余部分で接触口以外の部分は表面が荒くなり後続くフォトリソグラフィ工程が困難になる。
【0005】
米国特許第4、970、176号(Tracy 等)には、多段階金属配線方法が開示されている。即ち、前記特許には低温(約200℃以下)で所定の厚さの厚い金属層を蒸着した後、400〜500℃の温度に温度を上昇させながら金属を蒸着させる。このような金属層は粒子成長、再結晶及びバルク拡散を通じて後に蒸着される金属層の段差塗布性を向上させる。
【0006】
しかしながら、直径1μm 以下の接触口をアルミニウム又はアルミニウム合金で完全に埋立させることができず現在の高集積化された半導体装置の接触口を埋め立てるには適当でない。
現在、Ono 等はAl−Si 膜の温度が500℃以上の場合にAl−Si 膜の液体性が急に増加すると発表し500〜550℃でAl−Si 膜を蒸着し接触口を埋め立てる方法を提示したことがあり(Hisako Ono, et al., in Proc., 1990 VMIC Conference June 11〜12, pp.76 〜82)、米国特許第5、071、791号(Inoue Minoru et al. )には基板を一定した温度以上に加熱しながらアルミニウム合金を蒸着し、良好な段差塗布性と平坦な表面を有する配線層を形成する方法が開示されている。
【0007】
又、依田孝等は500〜550℃の温度で金属を蒸着し接触口を埋め立てる方法を提示した(ヨーロッパ特許出願公開第0387835号、日本特許公開公報平成02−239665号)。依田等の方法によれば、接触口は金属で完全に埋め立てられ得るが、Al−Si 膜が原子移動による変形の中、電子移動(electro migration )に対しては強い抵抗性を示し、ストレスマイグレーションに対しては弱い抵抗性を示す可能性が大きい。又、Al膜内に含まれたSiがAl粒子境界で析出されるので望ましくない。従って、追加エッチング段階により接触口以外の全てのAl−Si 膜を取り除く必要性があるので、金属配線工程が複雑になる。
【0008】
前記以外にも本発明者を含むC.S.Park等は100℃以下の低温でアルミニウム合金を蒸着した後、溶融点より少し低い温度である550℃で約3分の間熱処理し接触口を完全に埋め立てる方法を開示し( Proc., 1991 VMIC Conference June 11 and 12, pp326 〜328 )これを米国特許出願第07/897、294号(1990年9月19日付けで出願し発明の名称が金属配線層の形成方法である米国特許出願第07/585、218号の一部係属出願である)で出願したことがある。前記低温蒸着されたアルミニウムは、550℃熱処理の際に溶けないが、接触口内に移動し接触口を完全に埋め立てる。
【0009】
前述したC.S.Park等の方法によれば、100℃以下の低温で約500Åの厚さでアルミニウムを蒸着した後にも熱処理し大きさが 0.8μm であリアスペクト比が約 1.0である接触口を完全に埋立させることができ、依田等の方法のような追加エッチング段階が不必要である。又、非常に薄いアルミニウム膜を形成した後に、熱処理し接触口を埋立させることができ、接触口の大きさが小さくなっていく最近の半導体工程で、今後より小さい大きさの接触口をアルミニウムやアルミニウム合金で埋め立てられるだろうと期待される。このような利点のために、前記C.S.Park等の接触口埋没方法は当分野で多くの関心を引いている。
【0010】
前述した通り、アルミニウム又はアルミニウム合金は電子移動特性の優れた配線が形成できるスパッタリング方法により形成されるのが一般的である。ところが、スパッタリング方法は先に述べたように、段差塗布性に問題があるので他の蒸着方法の開発が必要になった。Alを化学気相蒸着CVD方法により蒸着させ、ブァイアを完全に埋め立てる方法が提示された。例えば、米国特許第4、460、618号(Heinecke et al. )及び米国特許第4、433、012号(Heinecke et al. )にはトリイソブチルアルミニウム(Triisobutyl aluminum、以下TIBAという)を熱分解させCVD方法によりアルミニウムを蒸着する方法が提示されている。
【0011】
CVDアルミニウムを蒸着する代表的な方法は、前述した通り、有機アルミニウム前駆体を揮発した後これを熱分解しAlを蒸着させることである。このような有機アルミニウム前駆体の代表的なものには、前述したTIBAやDMAH(Dimethyl Aluminum hydride : (CH3)2AlH )等が挙げられる。
通常、TIBAを利用しLPCVD方法により、アルミニウムを蒸着する場合に、260℃の基板温度で、TIBAの気相温度は45℃に保ち、アルゴンを担体ガスとして用い、1Torr位の圧力で遂行する場合に 1、500Å/分と教示されている。
【0012】
このようなCVD方法によるアルミニウムを蒸着する方法は、CVD−蒸着アルミニウム(以下、‘CVD−Al’という)の段差塗布性は非常に優れるが、得られたCVD−Al膜の表面が荒くて後続くフォトリソグラフィ工程で問題点を起こす。又、CVD−Alにより形成された配線層は電子移動耐性が非常に不良であって信頼性が十分でなくなる。のみならず、CVD方法によってはアルミニウムをAl−Si 合金の形に蒸着しにくい(参照文献、SILICON PROCESSING FOR THE VLSI ERA−Vol 2, by S.Wolf,p254 )。
【0013】
得られたアルミニウム膜の均一性を改善するために、ウェハーをTiCl4 の雰囲気に露出させ基板表面を前処理しCVD工程の際に、Alの核生成を促進する方法が提示された(参照;米国特許大4、460、618号)。又、ソースとして、DMAH、AlH2(i−C4H9)、AlH2Cl等のようなアルミニウム水素化物を用いる方法も提示された(参照;米国特許第3、462、288号)。
【0014】
又、Al−Si 合金より構成された膜を形成するために、米国特許第4、328、261号には高温及び低圧化で、シラン及びアルミニウムアルキルガスをCVD方法により蒸着する方法が提示された。
米国特許第4、923、717号には基板の表面上に鏡状のAlを蒸着するために基板をTiCl4 のようなIVB族又はVB族の金属化合物で処理し、アルミニウム水素化物を分解しアルミニウム膜を形成させる方法が開示されている。ところが、TiCl4 を利用して前処理する方法によれば、塩素基が残留し腐食問題をもたらす。
【0015】
以上のように、CVD方法によりAlを蒸着する方法は多くの問題点があり、まだは広く実用化されていない。
シリコン基板間の前記のような反応によるAlスパイキングやSi残砂(残滓)又はSiノジュール(nodule)の形成を防止するために、配線層とシリコン基板又は絶縁層の間に拡散防止膜を形成するのが公知されている。例えば、米国特許第4、897、709号(Yokoyama等)には拡散防止膜として窒化チタニウム膜を接触口の内壁に形成する方法が述べられている。又、日本国特許公開公報第61−183942号にはMo、W、Ti又はTaのような金属を蒸着し耐火金属膜を形成し前記耐火金属膜上に窒化チタニウムを蒸着し窒化チタニウム膜を形成し、耐火金属膜と窒化チタニウム膜より構成された二重膜を熱処理し、半導体基板と接続する接触口の底部で耐火金属膜は半導体基板と反応し熱的に安定した化合物より構成された耐火金属シリサイド層を形成させることにより障壁効果を向上させる技術が開示されている。このような拡散防止膜を熱処理する工程は窒素雰囲気でアニーリングして遂行する。拡散防止膜をアニーリングしない場合には450℃以上の温度でアルミニウムやアルミニウム合金をスパッタリングしたり、後にシンタリングする場合接合スパイキング現象が発生し望ましくない。
【0016】
又、萩田雅史は障壁金属とアルミニウム配線との湿潤性を向上させ配線の質と収率を向上させるために、障壁層である TiN層を熱処理した後、Siや02 をイオン注入する方法を提示した(日本国特許公開第2−26052号)。
又、拡散障壁層を形成する時、 TiN層を形成した後熱処理し、再び TiN層を形成させ障壁効果を増大させる方法が公知になっている。
【0017】
又、前記のように、拡散防止膜の特性を向上させアルミニウムスパイキングやSi残砂の析出を防止する方法以外に、アルミニウム配線層を相異なる組成を有する複合層として形成させることにより、アルミニウムスパイキングやSi残砂の形成を防止する方法が提示されている。
例えば、日本国特許公開平成第02−159065号(松本道一)には、配線層の形成の際に先ずAl−Si 膜を形成し、その上に純粋なAl層を形成した後、シンタリング工程でのSi残砂の析出を防止する方法が開示されている。又、本発明者の米国特許出願第07/828、458号(出願日:1992年1月31日)及び第07/910、895号(出願日:1992年7月8日)には前記C.S.Park等の方法により、低温でアルミニウムを蒸着し、溶融点以下の高温で熱処理し、接触口を埋め立てる時発生するSi残砂の析出を防止するために複合層を形成させる方法が述べられている。
【0018】
一般的に、拡散防止膜を形成した後、金属層を形成するためにはウェハーを金属層形成のためのスパッタリング装置に移送しなければならないので大気に露出される。
この際、拡散防止膜の表面や粒子境界部分で酸化が起こり、酸化された拡散防止膜上ではアルミニウム原子の移動度が小さくなり、Al−1%Si−0.5%Cu合金を約 6,000Å位の常温で蒸着する時、粒子の大きさは0.2 μm 位の小さい粒子が形成される。
【0019】
一方、大気に露出されていない拡散防止膜では約1μm までの大きい粒子が形成され、高温で熱処理したり高温スパッタリングしてアルミニウム膜を蒸着する場合に、拡散防止膜はアルミニウムと反応しアルミニウム膜の表面が非常に荒くなり、反射率が落ち後続く写真工程で困難な点が発生する。
一般的に、拡散防止膜として通常窒化チタニウム(TiN) 膜やTiW(又は TiW複合窒化物)膜が用いられている。前記TiN 膜や TiW膜(又は TiW複合窒化物)等は薄膜形成の際に粒子境界でアルミニウムやシリコンの拡散が完璧に防止できない微細組織上の欠陥が存したり粒子境界が存する。酸素スタッフィング方法により粒子境界での拡散経路を遮断させる方法が提示されたことがある。拡散防止膜がN2 アニーリング工程や大気に露出される場合に少量の酸素が混入され拡散障壁効果が増進される。これをスタッフィング効果という。
【0020】
一般的にTiN を蒸着した後大気に露出させれば、大気中の酸素によりスタッフィング効果が現れる。ところが、Ti又はTiN を蒸着し障壁層を形成させた後大気に露出させたり、酸素含有雰囲気中でTiN を蒸着したり、酸素の混入された窒素雰囲気でアニーリングする場合接触抵抗が増加する可能性がある。
拡散防止膜の形成されている接触口で拡散防止膜の特性を向上させるためには拡散防止膜の表面と粒子境界に酸化物が存する状態にするのが望ましい。しかしながら、このような酸化物の存在は拡散防止膜とアルミニウムとの湿潤性を低下させ、ボイドを形成させたり、熱処理の際に不良なプロファイルを有する金属層を形成させ半導体装置の配線層の信頼度を低下させる。
【0021】
図1〜図3は前記従来の方法によりアルミニウムを蒸着し接触口を埋立させる時現れ得る配線層の不良を示す。
図1〜図3で1は半導体基板、2は不純物ドーピング領域、3は絶縁膜(BPSG膜)、4は拡散防止膜、6はAl合金層を示す。図1は通常のスパッタリング方法により蒸着されたアルミニウムのプロファイルを示し、図2は前述したCVD方法によりAlを蒸着させ得られたアルミニウム層6を示し、図3はAl金属を蒸着した後真空熱処理したり高温スパッタリング方法により接触口を埋め立てる場合に接触口に形成されたボイド7を示す。
【0022】
前述した通り、図1の従来のスパッタリング方法によれば、スパッターされたAlの段差塗布性が不良であって、高いアスペクト比を有し、大きさがハーフミクロン以下である接触口を埋め立てるのは非常に難しく、CVD方法により形成されるアルミニウム層は信頼性が落ち実際の半導体装置に適用しにくく、アルミニウムを低温蒸着した後、熱処理し接触口を埋め立てる方法は、小さくて深い接触口を埋め立てるためには蒸着及び熱処理を反復して遂行しなければならないので処理量が落ちる。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的はハーフミクロン以下の大きさの接触口を有する配線層の新たな構造及びその製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、前述したスタッフィング効果をそのまま保つ拡散防止膜を有し、ハーフミクロン以下の大きさの接触口を完全に埋め立て信頼性のある配線層を有する半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【0024】
【課題を解決するための手段】
前記した目的を達成するために、本発明によれば半導体基板上に形成されており凹部を有する絶縁膜と、前記凹部を完全に埋め立て平滑な表面を有するCVD金属層と、前記CVD金属層上に形成されており、スパッターされた金属層より構成されたことを特徴とする配線とを含む半導体装置が提供される。前記凹部は半導体基板に形成された不純物ドーピング領域を露出させる接触口、半導体装置の上部導電層と下部導電層の電気的接続のためのブァイア又は配線埋込溝(含部分的埋込)である。
【0025】
本発明は又半導体基板上に形成されており開口部を有する絶縁膜と、前記開口部を完全に埋め立て平坦な表面を有するCVD金属プラグと、前記CVD金属プラグ及び前記絶縁膜層上に形成されておりスパッターされた金属層より構成された配線を含む半導体装置を提供する。
本発明の配線は低いアスペクト比及びサブミクロン位の大きさを有する接触口及びブァイアにも適用されるが、特に高集積化が要求される高いアスペクト比及びハーフミクロンの大きさ即ち、アスペクト比が 2.0〜 6.0であり大きさが 0.2〜 0.6μm である接触口及びブァイアに適用可能である。 本発明の一例によれば、前記CVD金属層又は前記CVD金属プラグと前記絶縁膜との反応を抑制するために、前記CVD金属層又は前記CVD金属プラグの下部に拡散防止膜が形成できる。望ましくは、前記拡散防止膜は前記凹部の内面上に延長され形成される。
【0026】
本発明の他の例によれば、前記拡散防止膜は前記凹部の内面及び絶縁膜の表面上に形成されている。
本発明で、前記拡散防止膜はTi、Mo、Ta及びZr等の耐火金属又は耐火金属化合物を使用して形成できる。前記拡散防止膜は耐火金属より構成された第1拡散防止膜と耐火金属化合物より構成された第2拡散防止膜より構成された複合膜であることが望ましい。
【0027】
本発明の望ましい例によれば、前記CVD金属層又はCVD金属プラグの下部に核生成活性層が形成される。前記核生成活性層は、シリコン、銅又はこれらの組み合わせで構成されたり、前記核生成活性層は耐火金属又は耐火金属化合物より構成され得る。又、前記核生成活性層は水素処理層又はシリル化層であり得る。
【0028】
本発明の望ましい例によれば、前記CVD金属層又はCVD金属プラグと、この上にスパッターされた金属層の間に中間層が形成される。前記中間層は(111)配向性を有する第3拡散防止膜であることもあり、前記中間層はシリコン、耐火金属又は耐火金属化合物を使用して形成できる。
本発明は半導体基板上に形成されており、開口部を有する絶縁膜と、前記開口部の内面、底面及び前記絶縁膜上に形成されている拡散防止膜と、前記拡散防止膜上に形成されている核生成活性層と、前記開口部を完全に埋め立て平坦な表面を有するCVD金属層と、前記CVD金属層上に形成された中間層と、前記中間層に形成されており、スパッターされた金属層を含む半導体装置を提供する。
【0029】
又、本発明は半導体基板上に形成されており、開口部を有する絶縁膜と、前記開口部の内面及び底面上に形成されている拡散防止膜と、前記拡散防止膜及び前記絶縁膜上に形成されている核生成活性層と、前記開口部を完全に埋め立て平坦な表面を有するCVD金属層と、前記CVD金属層上に形成された中間層と、前記中間層に形成されており、スパッターされた金属層を含む半導体装置を提供する。
【0030】
又、本発明は半導体基板上に形成されており、開口部を有する絶縁膜と、前記開口部の内面及び底面上に形成されている拡散防止膜と、前記拡散防止膜上に形成された核生成活性層と、前記開口部を完全に埋め立て平坦な表面を有するCVD金属プラグと、前記CVD金属プラグ及び前記絶縁膜上に形成されている中間層と、前記中間層上に形成されているスパッターされた金属層を含む半導体装置を提供する。
【0031】
又、本発明は半導体基板上に形成されており、開口部を有する絶縁膜と、前記開口部の底面上に形成された拡散防止膜と、前記拡散防止膜、前記開口部の内面及び前記絶縁膜上に形成された核生成活性層と、前記開口部を完全に埋め立て平坦な表面を有するCVD金属層と、前記CVD金属層上に形成された中間層と、前記中間層上に形成されているスパッターされた金属層を含む半導体装置を提供する。
【0032】
本発明の他の目的を達成するために、半導体基板上に開口部を有する絶縁膜を形成する段階と、前記開口部を埋め立てる金属層をCVD方法によりCVD金属層を形成する段階と、前記CVD金属層を熱処理しその表面を平滑にする段階と、前記CVD金属層上にスパッタリング方法によりスパッターされた金属層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【0033】
前記CVD金属層はTIBA、トリメチルアルミニウム(TMA)、DMAH及びジイソブチルアルミニウムハイドライドDIBAH(Di−iso−butyl Aluminum Hydride )のような有機金属化合物をソースとして利用して形成させ得る。前記CVD金属層を形成する前に、前記CVD金属層を均一に形成するために前記CVD金属層の形成される部分に核生成活性層を形成する。前記熱処理工程は前記CVD金属層を構成する金属の溶融点以下の高温で真空を破らず、連続的に遂行することが望ましい。例えば、前記熱処理工程は 0.6Tm〜Tm(Tmは前記CVD金属層を構成する金属の溶融点である)の温度で遂行する。
【0034】
前記スパッターされた金属層を形成する前に、前記表面の平滑なCVD金属層上に中間層を形成することが望ましい。
本発明の一例によれば、前記スパッター金属層は低温でスパッターされるべき金属層の所定厚さの一部分を先ず蒸着し第1スパッター金属層を形成し、前記第1スパッター金属層を溶融点以下の高温で熱処理した後、前記スパッターされた金属層が所定の厚さを有するように追加で金属を蒸着し第2金属層を形成して得られた複合層より構成される。
【0035】
本発明は又、半導体基板上にCVD方法により金属を蒸着し金属層を形成する段階と、前記金属層を前記金属層を構成する金属の溶融点以下の高温で熱処理し前記金属層の表面を平滑化することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
又、本発明は半導体基板上に開口部を有する絶縁膜を形成する段階と、前記開口部のみを選択的に埋め立てるCVD金属プラグをCVD方法により形成する段階と、前記CVD金属プラグを熱処理しその表面を平滑にする段階と、前記CVD金属プラグ及び前記絶縁膜上にスパッタリング方法によりスパッターされた金属層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【0036】
又、本発明は不純物ドーピング領域を有する半導体基板上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜に前記半導体基板の不純物ドーピング領域を露出させる接触口を形成する段階と、前記接触口の内面、前記半導体基板の露出された表面及び前記絶縁膜上に拡散防止膜を形成する段階と、前記拡散防止膜上に核生成活性層を形成する段階と、前記核生成活性層上に前記接触口を埋め立てる金属層をCVD方法によりCVD金属層を形成する段階と、前記CVD金属層を熱処理しその表面を平滑にする段階と、前記表面の平滑なCVD金属層上に、先ず方位が(111)である中間層を形成する段階と、前記中間層上にスパッタリング方法によりスパッターされた金属層を形成する段階を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【0037】
【作用および発明の効果】
本発明によれば、接触口はCVD方法により金属で埋め立てられ、スパッタリング方法等により信頼性のあるスパッターされた金属層が蒸着され接触口を埋め立てハーフミクロン以下の大きさを有する接触口を埋め立てる半導体装置の配線の形成が可能である。配線層は次世代の半導体装置に使用され得る。
【0038】
【実施例】
以下、添付した図面に基づき本発明の実施例を詳細に説明する。
図4〜図7は本発明の半導体装置の配線層の例を示す断面図である。
図4は本発明の半導体装置の配線層の一例を示す。
図4で31は半導体基板、32は前記半導体基板の表面部分に形成された不純物ドーピング領域、33はBPSGで構成された絶縁膜と、35は接触口の内面、半導体基板の露出された表面及び絶縁膜33上に形成された拡散防止膜、36は前記拡散防止膜35上に形成された核生成活性層、37aは前記接触口を埋め立てその表面が平滑なCVD金属層、38は中間層、39は前記中間層38上に形成されている信頼性のあるスパッター金属層、40は反射防止膜を示す。
【0039】
図5は本発明の半導体装置の配線層の第2例を示す断面図である。
図5で、51は半導体基板、52は前記半導体基板の表面部分に形成された不純物ドーピング領域、53はBPSGで構成された絶縁膜、55aは接触口の内面及び半導体基板の露出された表面上に形成された拡散防止膜、57は前記拡散防止膜55及び前記絶縁膜53上に形成された核生成活性層、58aは前記接触口を埋め立てその表面が平滑なCVD金属層、59は中間層、60は前記中間層59上に形成されている信頼性のあるスパッター金属層、61は反射防止膜を示す。
【0040】
図6は本発明の半導体装置の配線層の第3例を示す断面図である。
図6で、71は半導体基板、72は前記半導体基板の表面部分に形成された不純物ドーピング領域、73はBPSGで構成された絶縁膜、75aは接触口の内面及び半導体基板の露出された表面上に形成された拡散防止膜、76aは前記拡散防止膜75a上に形成された核生成活性層、77aは前記接触口を埋め立てその表面が平滑なCVD金属プラグ、78は前記CVD金属プラグ77a及び絶縁膜73上に形成された中間層、79は前記中間層78上に形成されている信頼性のあるスパッター金属層、80は反射防止膜を示す。
【0041】
図7は本発明の半導体装置の配線層の又他の一例を示す断面図である。
図7で、91は半導体基板、92は前記半導体基板の表面部分に形成された不純物ドーピング領域、93はBPSGで構成された絶縁膜、96aは半導体基板の露出された表面上に形成された拡散防止膜、97は前記拡散防止膜96a、接触口の内面及び前記絶縁膜93上に形成された核生成活性層、98aは前記接触口を埋め立てその表面が平滑なCVD金属層、99は中間層、100は前記中間層99上に形成されている信頼性のあるスパッター金属層、101は反射防止膜を示す。
【0042】
以下、下記実施例を通じて前記図4〜図7に示した本発明の配線層及びその形成方法に対しより具体的に説明する。
(実施例1)
図8〜図12は本発明の方法による半導体装置の配線層形成方法の一実施例を示すための概略図である。
【0043】
図8は拡散防止膜35の形成段階を示す。具体的には不純物ドーピング領域32が形成されている半導体基板31上に絶縁層33を形成する。絶縁層33は含燐含硼素ガラス(BPSG)を使用し約 0.8〜 1.6μm の厚さで形成する。次に前記絶縁層33に開口部を形成して半導体基板31の不純物ドーピング領域32の表面一部を露出させる。ここで、開口部は半導体基板31の不純物ドーピング領域32を露出させる接触口34である。形成された接触口34の大きさ(口径)は 0.2〜 0.6μm であり、アスペクト比は2〜6である。
【0044】
次に、絶縁層33の全表面、接触口34の内面及び半導体基板31の露出された表面上に拡散防止膜35を形成する。前記拡散防止膜35は2層構成であって、アルゴン雰囲気でDC(直流バイアス)マグネトロンスパッタリング方法によりチタニウムTiを約200〜500Åの厚さで蒸着し第1拡散防止膜を形成した後、圧力が7mTorr であり、N2 の相対分圧が40%であるアルゴン雰囲気下でスパッタリング方法によりチタニウムナイトライドを約 300〜1,500 Åの厚さで蒸着し第2拡散防止膜を形成する。この際基板の温度はTiを蒸着する時やTiNを蒸着する時両方とも200℃である。
【0045】
次に、前記拡散防止膜35を450〜500℃の温度で、30〜60分間N2 雰囲気でアニーリングする。この際、微量の酸素が混入され、拡散障壁層の表面にTiO2、TiO 、Ti2O3 等のような酸化物層(図示せず)が形成される。このような酸化物層の存在により拡散防止膜とアルミニウム粒子間の湿潤性が不良になるので、後続くCVD方法によるアルミニウム蒸着工程で、アルミニウム粒子の核形成を低下させる。
【0046】
図9は前記拡散防止膜35上に核生成活性層36を形成する段階を示す。前記で得られた拡散防止膜35上に、Ti、Mo、Ta、Zr等のような耐火金属又はこれらの化合物の中いずれか一つ、望ましくはTiを蒸着し核生成活性層を形成する。この核生成活性層はTiCl4 雰囲気で前記拡散防止膜35を露出させ遂行することができるが、このような方法は塩素基が残留し腐食問題を発生して望ましくない。この際、形成された核生成活性層の厚さは約100Åである。蒸着工程は低速、好ましくは約10Å/sec の速度で遂行するのが望ましい。
【0047】
本発明の他の実施例によれば、前記核生成活性層36は表面部分に前記酸化物層の形成された前記拡散防止膜35の表面を水素終端させたり、その表面部分を還元させ形成された水素処理層であり得る。このような拡散防止膜の水素終端又は水素還元処理は、前記で得られた拡散防止膜35を水素圧力 2.5mTorr 下で、水素プラズマを発生させるECR(Electron Cyclotron Resonance )装置を利用し、マイクロウェーブパワー1kW、バイアス電圧0Vの状態で基板31の温度は25℃で10秒〜1分間遂行する(一方、前記水素処理方法を利用し、スパッタリング方法により蒸着されたアルミニウム層の粒子を大きく形成することにより、蒸着されたアルミニウムの熱処理の際のリフロー特性を改善させる方法に対し、本発明者は米国特許出願第08/115、733号に出願したことがある。)。
【0048】
本発明の他の実施例によれば、前記核生成活性層36は前記拡散防止膜35上に、シリコンをターゲットとして使用しシリコンをスパッタリングしたり、シランSiH4のようなシリコン水素化物をフラッシングさせ酸化膜が形成されないように真空中で、連続的に蒸着させて形成されたシリコン層であり得る。この際、前記シリコンの代わりに、ターゲットとして銅を使用することもできる。又、前記核生成活性層として、銅層とシリコン層より構成された複合層を形成することもできる。
【0049】
前記核生成活性層36の表面には酸化物が存しないのが望ましいので、前記核生成活性層36の形成は真空中で連続的に成されるべきであり、水素処理させ水素終端させるのが最も好ましい。
本発明の又他の実施例によれば、前記核生成活性層36として、前記拡散防止膜36の表面部分にシリル化工程を遂行しシリル化層を形成する。ここで、前記シリル化工程はシリコン水素化物を使用しSiH4又はSi2H6 プラズマやSi* 又は SiH* ラジカルに露出させ遂行する。この際、シリコン水素化物の分圧は 0.5〜15mTorr であり、電力は1〜10kWであり、基板の温度は常温〜200℃である。又、シリル化層形成の際に装置の初期真空度が5×10−7Torr以下になるようなレベルの排気を続ける。シリコン水素化物はグロー放電の際又はスパッタリングの途中にSi* 、H * 、 SiH* 又はSiH2 * 等のような反応性ラジカルを生成させる。スパッタリング途中の水素は2次電子の放出により半導体基板の損傷を防止し半導体素子の特性や信頼性を向上させる。従って、シリル化処理の際に水素を1μTorr〜5mTorr 位の分圧で別に添加するのが望ましい。このようにシリル化層を形成させ核生成活性層36を形成することができ、Alとシリコンの拡散経路を遮断させ接合スパイキング発生を防止する。
【0050】
図10はCVD金属層37の形成段階を示す。前記核生成活性層36を形成した後、真空を破らず、基板31を他の反応室に移送させた後、前記核生成活性層36上にCVD方法によりAlを蒸着し前記接触口34を埋め立てるCVD金属層37を形成する。本実施例で、アルミニウム蒸着は前記公知された通常のCVD方法により遂行できる。例えば、TIBA、TMA、DMAH等のような有機金属化合物をソースとして利用して遂行する。
【0051】
TIBAを使用して蒸着する場合、コールドウォール(cold wall )形の装置を使用し、TIBAの流入の際気相温度は90℃以下、望ましくは84〜86℃を保ち、担体ガスとしてアルゴンのような不活性ガスを用いてバブリングさせ使用する。この際、アルゴンガスの流速は約7リットル/min であることが好ましい。TIBAの熱分解の際に蒸着温度は約250℃位であるが、蒸着速度が大きくて望ましくない。蒸着速度は温度が下がると減少するので、蒸着速度を低めるためにより低い温度で遂行することもできる。前記条件で、蒸着速度は約 1,000Å/min であり、接触口の大きさが 0.2μm の場合にはTIBAを利用し約1分間アルミニウムを蒸着させ接触口を埋没させる。
【0052】
本発明の他の実施例によれば、前記CVD金属層37はDMDH等のようなアルミニウム水素化物を使用して蒸着させる。この際、前記アルミニウム水素化物の熱分解を防止するために、低温で前記アルミニウム水素化物を保管し、蒸着工程は50℃以上の温度で遂行する。不活性ガスであるアルゴンを利用しソースの気相状態が調節でき、蒸着温度を低めるためには前述した通り基板の温度を低めたり、又はソースの量を減少させる。アルミニウム水素化物を利用した蒸着方法は適切なソースを使用すれば蒸着温度が低められる。蒸着工程は0.01〜10Torrの圧力及び50〜150℃の反応室で遂行する。
【0053】
例えば、(Me3N)2AlH3 の気相状態で、80℃では(Me3N)2AlH3 の分圧が優勢であると知られている。このような現象は(Me3N)2AlH3 分子からMe3Nの分解が水素の損失より先立つからである。このような現象はDMAHの場合も同様に起こる。(Me3N)2AlH3 をソース又は前駆体として使用する場合には80℃以上の温度でアルミニウムが蒸着される。従って、80〜150℃の低い温度でアルミニウムを蒸着する時、アルミニウム水素化物を使用して蒸着する。この際、圧力は10mTorr 〜10Torrの範囲を保つ。アルミニウムの蒸着温度が180℃の際は、蒸着速度は 0.6〜 1.0μm/min である。蒸着速度を低めるためには温度を低め150℃の温度で(Me3N)2AlH3 を熱分解して接触口を埋没させる。この際、熱分解をより効果的に遂行するためにはプラズマを印加し蒸着工程を遂行することもできる。ここで、Meはメチル基を示している。
【0054】
しかし、このような方法で得られたCVD金属層37の表面は図3に示した通り平滑でない。従って、そのまま後続くフォトリソグラフィー工程を遂行する場合にはアラインの際に精密度を高めることができず、前記CVD金属層37は炭素のような残留不純物を含んでおり、電子移動及びストレス移動の耐性が小さくて信頼性が低い。
【0055】
図11は前記CVD金属層37を平滑化する段階を示す。前記CVD金属層37を形成した後、半導体基板31を真空を破ることなく他の室(chamber )に入れ、アルゴン伝導法を利用し、CVD金属層37を溶融点以下の高い温度で、望ましくは 0.6Tm(Tmは前記CVD金属層37を構成する金属の溶融点である)〜Tmの温度、より具体的には約460℃(この際熱処理装置の温度は約500〜550℃である)で約1〜5分間、好ましくは約2分間熱処理し、前記CVD金属層37の表面を平滑にする。熱処理により前記CVD金属層37は初期に形成された金属層のストレス弛緩により前記CVD金属層37を構成する金属原子はリフロー特性を有し、金属原子の移動が誘発され、金属原子の移動はその自由エネルギーを減少させ、よって表面積を減少させ、前記CVD金属層37の表面が非常に平滑になる。又、金属原子の移動が誘発されながら、膜内に含まれている不純物が取り除かれる作用効果、即ち、ベーキングされる効果があり前記CVD金属層37の信頼性が向上される。この熱処理段階はCVD金属層37の表面が酸化されないように不活性ガス(例:N2、Ar)又は還元性ガス(例:H2)雰囲気で遂行すうるのが望ましい。前記アルゴン伝導法の代わりに、RTA(Rapid Thermal Annealing )法、ランプ加熱法等のような他の熱処理法を使用し得る。これらの熱処理方法を単独又は他の方法と組み合わせて使用できる。図11で37aは表面が平滑なCVD金属層を示す。
【0056】
図12は中間層38及びスパッターされた金属層39を形成する段階を示す。前記その表面が平滑なCVD金属層37a上に中間層38としてTi又はTiNをスパッタリング方法により200Åの厚さで蒸着して拡散防止膜を形成する。この際、蒸着温度は200℃である。次に、前記中間層38上にアルミニウム又はアルミニウム合金を 2,000〜 4,000Å、望ましくは3,000 Åの厚さで蒸着しスパッター金属層39を形成する。スパッター作業は、初期真空度5×10−7Torr以下、望ましくは5×10−8Torr以下、プラズマ圧力は2Torr以下で遂行する。
【0057】
スパッター金属層39はAl−1%Si−0.5%Cuをターゲットとして使用し350℃以下の温度でスパッタリングして形成する。又、形成される配線層の信頼性を更に向上させるために、150℃以下の温度で、Al−1%Si−0.5%Cuをターゲットとして用いてスパッタリングして厚さ 500〜 1,500Å、望ましくは 1,000Åの第1金属層を形成した後、得られた第1金属層を前述したCVD金属層37を熱処理する時と同一の方法で、前記合金の溶融点以下の高温で、好ましくは 0.6Tm〜Tmの温度で真空を破らず熱処理した後、追加で350℃以下の温度、望ましくは温度を調節しない常温で連続的にスパッタリングし厚さ 1,500〜 2,500Å、望ましくは 2,000Åの第2金属層を形成し前記スパッター金属層39を得る。この際、前記第2金属層はSi成分を含まないAl−0.5%Cu をターゲットとして使用して形成させ相異なる成分を有する第1金属層と第2金属層より構成された複合層を形成し前記スパッター金属層39が得られる。このような複合層を形成することにより、Si残砂の析出を防止できる。
【0058】
本発明の他の実施例によれば、Si残砂の析出を防止するために、前記スパッター金属層39はAl−0.5% 以下のSi−0.5%Cu をターゲットとして使用し単一層を形成したり、150℃以下の温度でAl−0.5% 以下のSi−0.5%Cu をターゲットとして使用しスパッタリングして第1金属層を形成した後、前記合金の溶融点以下の高温で真空を破らず熱処理した後、追加で350℃以下の温度でスパッタリングして第2金属層を形成し前記スパッター金属層39を得る。この際、前記合金の中に含まれたシリコンの含量は後続くパタニング工程後にSi残砂を析出しないように適切に調節する。この場合に、シリコンの含量は約 0.4% であるのが望ましい。
【0059】
本発明の他の実施例によれば、前記中間層38を構成する拡散防止膜として、TiSi2 、TaSi2 、MoSi2 、WSi2等のような耐火金属シリサイドを使用し形成させることもできる。このような場合に、前記スパッター金属層39は純粋なアルミニウム又はAl−Cu 合金(Al−0.5 Cu合金) 又はAl−Ti 合金のようにSi成分のないアルミニウム合金をターゲットとして使用して形成させる。 本発明の又他の実施例によれば、前記中間層38として、拡散防止膜の代わりに犠牲層であるシリコン層を形成させることもできる。前記シリコン層はSiH4やSi2H6 を使用しCVD方法により約20Åの厚さで形成させる。次に、前記スパッター金属層39は純粋なアルミニウム又はAl−Cu 合金(Al−0.5 Cu合金) 又はAl−Ti 合金のようにSi成分のないアルミニウム合金をターゲットとして使用して形成させる。
【0060】
前記スパッター金属層39は150℃以下の低温で蒸着させる場合に、4mTorr 、望ましくは2mTorr のAr雰囲気でスパッタリング法により100〜150Å/sec 、望ましくは120Å/sec の速度で蒸着する。この際、パワーは5 〜 7.2kWである。
次に、後続くフォトリソグラフィー工程を向上させるために前記スパッター金属層39の表面上にスパッタリング方法により窒化チタニウムを200〜500Åの厚さで蒸着し反射防止膜40を形成する。反射防止膜40を形成した後、半導体装置の配線パターンのために所定のレジストパターン(図示せず)を反射防止膜上に通常のフォトリソグラフィー工程により形成し、前記レジストパターンをエッチングマスクとして使用し反射防止膜40、スパッター金属層39、中間層38、CVD金属層37、核生成活性層36及び拡散防止膜35を順次的にエッチングし図4に示した本発明による配線層を完成する。
【0061】
(実施例2)
図13〜図18は本発明の方法による半導体装置の配線層形成方法の第2実施例を示すための概略図である。
本第2実施例は前記第1実施例と蒸着方法及び熱処理概念は同一であるが、接触口での拡散防止膜の形成工程を異にしたものである。
【0062】
図13は拡散防止膜55の形成段階を示す。具体的には前記実施例1と同一の方法で不純物ドーピング領域52が形成されている半導体基板51上に絶縁層53を形成した後、前記絶縁層53に半導体基板51の不純物ドーピング領域52の表面一部を露出させる開口部を形成する。ここで、開口部は前記実施例1の場合と同様に、半導体基板51の不純物ドーピング領域52を露出させる接触口54である。形成された接触口54の大きさは 0.2μm 〜 0.6μm であり、アスペクト比は2〜6である。次に、絶縁層53の全表面、接触口54の内面及び半導体基板51の露出された表面上に拡散防止膜35を形成する。
【0063】
拡散防止膜は通常スパッタリング方法により形成される。通常のスパッタリング方法により、拡散防止膜を形成させる場合に、高いアスペクト比により拡散防止膜の接触口での段差被覆性が不良になり、これは接触口での故障を誘発する。半導体装置が非常に高集積化されるにつれ、高いアスペクト比を有し大きさがハーフミクロン以下の接触口ではこのような現象が深刻である。高いアスペクト比を有する接触口での拡散防止膜の段差被覆性を増加させるために、本実施例ではTiのような耐火金属又はTiN のような耐火金属化合物を半導体基板に垂直入射角を有するようにスパッターされる。垂直入射角を有するようにスパッタリングするためには、通常のスパッタリング条件より一層低い圧力、例えば 0.5mTorr 以下の圧力でスパッタリングしたり、垂直入射成分のみの粒子を選択的に蒸着する装置であるコリメーターを利用する。このような方法により、接触口54の底面の段差塗布性を増加させ得る。
【0064】
コリメーターを利用する場合、材質がTiであり、蜂の巣の形を有する直径3/8〜2インチのコリメーターをスパッタリング室に装着し2mTorr 以下で、スパッタリングする。
本実施例ではTiを前記コリメーターを利用して蒸着する。より具体的には、前記接触口54の大きさが 0.3μm の場合に、直径が3/8インチであり、アスペクト比が 1.0以上であるコリメーターを利用し前記絶縁膜53上での厚さが500 〜1,000 ÅになるようにTiを蒸着し接触口54の下部での被覆率(蒸着の厚さ)が200〜500ÅになるようにTi層を形成する。次に、NH3 のような窒化性の雰囲気で、RTA装置を利用し、約800℃温度で30秒間Ti層を熱処理しTi層の下部にはTiSi2 層を形成させTi層の上部にはTiN 層を形成させ拡散防止膜55を得る。
【0065】
次に、任意に前記形成された拡散防止膜55上にTiN のような耐火金属化合物を200〜500Åの厚さで蒸着できる。
図14はフォトレジスト層56を形成する段階を示す。前記拡散防止膜56の形成されている結果物の全面にフォトレジストを 1.0〜 1.4μm の厚さで形成する。
【0066】
図15は前記フォトレジストを利用し接触口部分にのみ拡散防止膜を残す段階を示す。前記形成されたフォトレジスト層56を利用し結果物の全面にエッチバック又はポリシング工程を行い接触口54部分にのみフォトレジストを残す。次に、前記接触口54の部分に残っているフォトレジストを利用し接触口54の内面及び半導体基板51の露出された表面部分を取り除いた拡散防止膜55、即ち絶縁膜53上に形成された拡散防止膜を取り除き接触口54部分にのみ拡散防止膜55が存するようにする。図15で、55aは接触口部分にのみ存する拡散防止膜を示す。次に、前記接触口54部分に残っているフォトレジストを取り除く。
【0067】
図16は核生成活性層57及びCVD金属層58の形成段階を示す。前記接触口54に残っているフォトレジストを取り除いた後、前記実施例1の場合と同様に前記接触口に存する拡散防止膜55a及び絶縁膜53上に核生成活性層57を形成させる。ここで、核生成活性層57の形成工程は前記実施例1の方法と同一であるが、水素処理方法は除かれる。
【0068】
次に、前記実施例1の場合と同一の方法で、前記核生成活性層57上にCVD金属層58を形成し接触口54を埋め立てる。
図17は前記CVD金属層58を平滑する段階を示す。前記CVD金属層58を形成した後、前記実施例1の場合と同一の方法で、半導体基板51を真空を破ることなく他の室に入れ、アルゴン伝導法を利用し、溶融点以下の高い温度で、望ましくは 0.6Tm〜Tmの温度で約1〜5分間、望ましくは約2分間熱処理し、前記CVD金属層58の表面を平滑にする。図17で、58aは表面が平滑なCVD金属層を示す。
【0069】
図18は中間層59及びスパッターされた金属層60を形成する段階を示す。前記その表面が平滑なCVD金属層58a上に前記実施例1の場合と同一の方法で、中間層59及び電子移動及びストレス移動耐性の優れたスパッター金属層60を形成する。無論、中間層を形成しなくても信頼性の優れたスパッター金属層60を形成させ得る。前記スパッター金属層の厚さは望ましくは 3,000Åである。
【0070】
又、前記実施例1の場合と同一の方法で、形成される配線層の信頼性を更に向上させるために、150℃以下の温度でAl合金を使用し厚さ 1,000Åの第1金属層を形成した後、 0.8Tm〜Tmの温度で真空を破らず熱処理する。このように熱処理して得た金属層は(111)配向性が増加され信頼性が増加される。アルミニウムのような金属をスパッタリングする時、X線回折強度の(111)面/(200)面に対する値が増加するほど、即ちI(111)/I(200)の比が増加するほど電子移動耐性が増加する。従って、前記のように熱処理し下部スパッタリングの(111)配向性を増加させれば後に形成される半導体装置の金属配線の信頼性が増加する。
【0071】
又、選択的に優先方位(111)であるTiN 層を蒸着し前記中間層59を形成することもできる。平坦化されたCVD金属層58a上に、先ず優先方位(111)であるTiN のような物質を蒸着した後、アルミニウムを蒸着すれば、(111)方位の増加された金属層が得られる。次に、前記実施例1の場合と同一の方法で、連続的にスパッタリングして厚さ 2,000Åの第2金属層を形成し前記スパッター金属層39を得る。
【0072】
次に、後続くフォトリソグラフィー工程を向上させるために前記実施例1の場合と同一の方法で、前記スパッタリング金属層60の表面上に窒化チタニウムを200〜500Åの厚さで蒸着し反射防止膜61を形成した後、半導体装置の配線パターンのために所定のレジストパターン(図示せず)を反射防止膜上に通常のフォトリソグラフィー工程により形成し、前記レジストパターンをエッチングマスクとして使用し反射防止膜61、スパッター金属層60、中間層59、CVD金属層58a及び核生成活性層57を順次的にエッチングし図5に示した本発明による配線層を完成する。
【0073】
(実施例3)
図19〜図24は本発明の方法による半導体装置の配線層形成方法の第3実施例を示すための概略図である。
本第3実施例も前記第1実施例と蒸着方法及び熱処理概念は類似しているが、接触口での拡散防止膜及び核生成活性層の形成工程を異にしたものである。
【0074】
図19は拡散防止膜75及び核生成活性層76の形成段階を示す。具体的には、前記実施例1及び2の場合と同一の方法で不純物ドーピング領域72の形成されている半導体基板71上に絶縁層73を形成した後、前記絶縁層73に半導体基板71の不純物ドーピング領域72の表面一部を露出させる開口部を形成する。ここで、開口部は前記実施例1及び2と同様に、半導体基板71の不純物ドーピング領域72を露出させる接触口74である。
【0075】
図20はフォトレジスト層69を形成する段階を示す。前記拡散防止膜75及び核生成活性層76の形成されている結果物の全面に、フォトレジストを 1.0〜 1.4μm の厚さで形成する。
図21は前記フォトレジストを利用し接触口の部分にのみ拡散防止膜及び核生成活性層を残す段階を示す。前記形成されたフォトレジスト層69を利用し、前記実施例2の場合と同じことに、結果物全面にエッチバック又はポリシング工程を行い接触口74部分にのみフォトレジストを残す。次に、前記接触口74部分に残っているフォトレジストを利用し接触口74の内面及び半導体基板71の露出された表面部分を除いた拡散防止膜75及び核生成活性層76の、即ち絶縁膜73上に形成された拡散防止膜及び核生成活性層76を取り除き接触口74部分にのみ拡散防止膜75及び核生成活性層76が存するようにする。図21で、75a及び76aは接触口部分にのみ存する拡散防止膜及び核生成活性層をそれぞれ示す。次に、前記接触口74部分に残っているフォトレジストを取り除く。
【0076】
本発明の他の実施例によれば、接触口74部分にのみフォトレジストを残す工程は接触口74形成用のパターンが形成されているフォトマスクを利用し露光及び現像し遂行することもできる。
エッチバック工程を遂行すれば、核生成活性層76の表面上には酸化物が存し核生成活性効果がなくなる。従って、核生成活性層76を接触口にのみ形成させるためには、エッチング後に基板71をH2 ECRプラズマ装置を利用し、水素ラジカル又は水素プラズマに露出させて還元した後、真空装置内に400℃以上一定時間維持させれば絶縁膜の水素終端効果が消えるようになり接触口74部分にのみ核生成活性層76aが存する。
【0077】
図22はCVD金属プラグ77を形成する段階を示す。図21段階の後に、前記実施例1及び2と同一の方法でアルミニウム又はアルミニウム合金をCVD方法により蒸着させ接触口74を埋没させる。前記実施例1及び2では核生成活性層が絶縁膜上にも存したので、絶縁膜上にもCVD金属層が形成されたが、本実施例では核生成活性層76aが接触口の部分にのみ存するので、接触口部分にだけアルミニウム又はアルミニウム合金が蒸着され図22に示した通りCVD金属プラグ77が得られる。
【0078】
このように得られたCVD金属プラグ77は前記実施例1又は2で熱処理段階前のCVD金属層と同様にその表面が平滑でない。のみならず、接触口74部分に凹凸部が形成されることもできる。
図23は前記CVD金属プラグ77の表面を平滑にする段階を示す。前記CVD金属プラグ77を形成した後、前記実施例1の場合と同一の方法で半導体基板71を真空を破ることなく他の室に入れアルゴン伝導法を利用し、溶融点以下の高い温度で望ましくは 0.6Tm〜Tmの温度で約1〜5分間、望ましくは約2分間熱処理し、前記CVD金属プラグ77の表面を平滑にする。図23で、77aは表面の平滑なCVD金属プラグを示す。
【0079】
図24は中間層78及びスパッターされた金属層79を形成する段階を示す。前記その表面が平滑なCVD金属プラグ77a及び絶縁膜73上に、中間層78及び電子移動及びストレス移動耐性の優れたスパッター金属層79を形成する。より具体的に、アルミニウム又はアルミニウム合金の金属配線の寿命を向上させたり、スパッター金属層の下支膜を同一化するために、Tiのような遷移金属を 200〜 1,000Å位で蒸着させたり、TiN のような遷移金属化合物を 200〜 1,000Å位で単独又は組み合わせて蒸着する。蒸着方法は実施例1及び2に述べられたことと同一である。
【0080】
次に、前記中間層78上にアルミニウム又はアルミニウム合金を 3,000〜 5,000Å、望ましくは 4,000Åの厚さで蒸着しスパッター金属層79を形成する。前記スパッター金属層79は前記実施例1に述べられたことと同一の条件下で形成する。
スパッター金属層79はAl−1%Si−0.5%Cuをターゲットとして使用し350℃以下の温度でスパッタリングして形成したり、形成される配線層の信頼性を更に向上させるために、150℃以下の温度でAl−1%Si−0.5%Cuをターゲットとして使用してスパッタリングし厚さ 1,000〜 2,000Åの第1金属層を形成した後、得られた第1金属層を実施例1と同一の方法で、前記合金の溶融点以下の高温で、望ましくは 0.8Tm〜Tmの温度で真空を破らず熱処理した後、追加で350℃以下の温度、望ましくは温度を調節しない常温で連続的にスパッタリングして厚さ 2,000〜 3,000Åの第2金属層を形成し前記スパッター金属層79を得る。この際、前記第2金属層は前記実施例1の場合と同様に、Si成分を含まないAl−0.5%Cu をターゲットとして使用し形成させ、相異なる成分を有する第1金属層と第2金属層より構成された複合層を形成し前記スパッター金属層79が得られる。
【0081】
又は、実施例1の場合と同じことに、前記スパッター金属層79はAl−0.5% 以下のSi−0.5%Cu をターゲットとして使用し単一層を形成することもできる。
次に、後続くフォトリソグラフィー工程を向上させるために前記実施例1の場合と同一の方法で、前記スパッター金属層79の表面上に窒化チタニウムを200〜500Åの厚さで蒸着し反射防止膜80を形成した後、半導体装置の配線パターンのために所定のレジストパターン(図示せず)を反射防止膜上の通常のフォトリソグラフィー工程により形成し、前記レジストパターンをエッチングマスクとして使用し反射防止膜80、スパッター金属層79及び中間層78を順次的にエッチングし図6に示した本発明による配線層を完成する。
【0082】
(実施例4)
図25〜図30は本発明の方法による半導体装置の配線層形成方法の第4実施例を示すための概略図である。
図25は接触口95の形成段階を示す。具体的には、前記実施例1の場合と同一の方法で不純物ドーピング領域92が形成されている半導体基板91上に絶縁層93を形成した後、前記絶縁層93に半導体基板91の不純物ドーピング領域92の表面一部を露出させる開口部を形成するためにフォトリソグラフィー工程によりレジストパターン94を形成する。ここで、開口部は前記実施例1と同じことに、半導体基板91の不純物ドーピング領域92を露出させる接触口95である。形成された接触口95の大きさは 0.2〜 0.6μm であり、アスペクト比は2〜6である。
【0083】
図26は拡散防止膜(96及び96a)の形成段階を示す。前記フォトレジストパターン94を取り除かず、前記フォトレジストパターン94の全表面及び半導体基板91の露出された表面上に拡散防止膜96及び96aを形成する。高いアスペクト比を有する接触口での拡散防止膜の段差被覆性を増加させるために、本実施例でも前記実施例1に述べられたように、Tiのような耐火金属又は TiNのような耐火金属化合物を半導体基板に垂直入射角を有するようにスパッターさせる。
【0084】
図27は核生成活性層97の形成段階を示す。前記フォトレジストパターン94と前記フォトレジストパターン94の上に形成された拡散防止膜96を取り除いた後、前記絶縁膜93、接触口95の底面即ち前記露出された半導体基板91の表面上に形成された拡散防止膜96a上及び接触口95の内面に核生成活性層97を形成する。
【0085】
前記核生成活性層97は TiNを200℃の温度で、2mTorr の圧力で、100〜500Åの厚さで、蒸着させたり、Tiを蒸着した後、NH3 のような窒化性の雰囲気で、RTA装置を利用し約800℃の温度で30秒間熱処理され得られる。
図28はCVD金属層58の形成段階を示す。
図27の段階後に、前記実施例1の場合と同一の方法で、前記核生成活性層97上にCVD金属層98を形成し接触口95を埋め立てる。
【0086】
図29は前記CVD金属層98を平滑にする段階を示す。前記CVD金属層98を形成した後、前記実施例1の場合と同一の方法で、半導体基板91を真空を破ることなく他の室に入れ、アルゴン伝導法を利用し、溶融点以下の高い温度で、望ましくは 0.6Tm〜Tmの温度で約1〜5分間、望ましくは約2分間熱処理し、前記CVD金属層98の表面を平滑にする。図22で、98aは平滑なCVD金属層を示す。
【0087】
図30は中間層99及びスパッターされた金属層100を形成する段階を示す。前記その表面が平滑なCVD金属層98a上に前記実施例1の場合と同一の方法で、中間層99及び電子移動及びストレス移動耐性の優れたスパッター金属層100を形成する。
次に、後続くフォトリソグラフィー工程を向上させるために前記実施例1の場合と同一の方法で、前記スパッター金属層100の表面上に窒化チタニウムを200〜500Åの厚さで蒸着し反射防止膜101を形成した後、半導体装置の配線パターンのために所定のレジストパターン(図示せず)を反射防止膜上に通常のフォトリソグラフィー工程により形成し、前記レジストパターンをエッチングマスクとして使用し反射防止膜101、スパッター金属層100、中間層99、平坦なCVD金属層98a及び核生成活性層97を順次的にエッチングし図7に示した本発明による配線層を完成する。
【0088】
前記本発明の半導体装置の配線層は 0.3μm 大きさの接触口又はブァイアの埋没が可能であり次世代高集積半導体装置の金属配線が可能である。又、接触口はCVD方法により埋没させた後、真空熱処理することにより、信頼性が向上され、CVDアルミニウム配線層の表面が平滑に形成され後続くリソグラフィー工程が容易に遂行され得る。又、前記CVD金属層上に信頼性の良い金属層を通常のスパッタリング方法によって形成することにより全体的な半導体装置の金属層の信頼性が保たれる。
【0089】
又、前記表面が平滑なCVD金属層は真空熱処理段階を通じてCVD金属層内に残存するガスや不純物が排出されるベーキング効果を有する。従って、CVD金属層の膜質が向上される。
本発明によると、CVD方法により、接触口を埋め立てる場合、半導体ウェハーを大量で処理することができ、処理量が増加され半導体装置の単価が低められる。
【0090】
又、真空熱処理方法によりボイドが形成されず、接触口の完全な埋没が可能である。
又、熱処理の際核生成活性層として適切に選択し、アルミニウムと核生成活性層の反応により接合スパイキングが防止できる信頼性のある配線層の形成が可能である。
【0091】
本発明の配線層の形成方法は選択的エピタキシャル(epitaxial )成長方法でないので、下支膜とは関係なく配線層が形成できる。
以上、本発明を実施例を挙げ具体的に説明したが、本発明はこれに限らず、当業者の通常の知識の範囲内でその変形や改良が可能であることは無論のことである。
【図面の簡単な説明】
【図1】通常のスパッタリングの際に形成されるアルミニウムに蒸着されたプロファイルを示す図である。
【図2】従来のCVD方法によりAlを蒸着させ得られたアルミニウム層のプロファイルを示す図である。
【図3】Al金属を蒸着した後真空熱処理したり高温スパッタリング方法により接触口を埋没する場合に接触口に存するボイドを示す図である。
【図4】本発明の半導体装置の配線層の例を示す断面図である。
【図5】本発明の半導体装置の配線層の例を示す断面図である。
【図6】本発明の半導体装置の配線層の例を示す断面図である。
【図7】本発明の半導体装置の配線層の例を示す断面図である。
【図8】本発明の方法による半導体装置の配線層形成方法の第1実施例を示すための概略図である。
【図9】本発明の方法による半導体装置の配線層形成方法の第1実施例を示すための概略図である。
【図10】本発明の方法による半導体装置の配線層形成方法の第1実施例を示すための概略図である。
【図11】本発明の方法による半導体装置の配線層形成方法の第1実施例を示すための概略図である。
【図12】本発明の方法による半導体装置の配線層形成方法の第1実施例を示すための概略図である。
【図13】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第2実施例を示すための概略図である。
【図14】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第2実施例を示すための概略図である。
【図15】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第2実施例を示すための概略図である。
【図16】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第2実施例を示すための概略図である。
【図17】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第2実施例を示すための概略図である。
【図18】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第2実施例を示すための概略図である。
【図19】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第3実施例を示すための概略図である。
【図20】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第3実施例を示すための概略図である。
【図21】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第3実施例を示すための概略図である。
【図22】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第3実施例を示すための概略図である。
【図23】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第3実施例を示すための概略図である。
【図24】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第3実施例を示すための概略図である。
【図25】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第4実施例を示すための概略図である。
【図26】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第4実施例を示すための概略図である。
【図27】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第4実施例を示すための概略図である。
【図28】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第4実施例を示すための概略図である。
【図29】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第4実施例を示すための概略図である。
【図30】本発明の方法による半導体装置の配線層の形成方法の第4実施例を示すための概略図である。
Claims (20)
- 半導体ウェハーと、
前記半導体ウェハー上に形成されており凹部を有する絶縁膜と、
前記凹部の底面、内面及び前記絶縁膜上に形成されている拡散防止膜と、
前記拡散防止膜において前記絶縁膜と接している表面とは反対側の表面上の全体に形成されている核生成活性層と、
前記凹部を完全に埋め立て平滑な表面を有するCVD金属層と、
前記CVD金属層上に形成されており、スパッターされた金属層とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記凹部は半導体ウェハーに形成された不純物ドーピング領域を露出させる接触口又は半導体装置の上部導電層と下部導電層の電気的接続のためのブァイアであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記核生成活性層はシリコン、銅、又はこれらの組合で構成されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記核生成活性層は耐火金属又は耐火金属化合物より構成されたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記核生成活性層は水素処理層又はシリル化層であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記CVD金属層とスパッターされた金属層の間に形成された中間層を更に備えることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記中間層は(111)配向性を有する拡散防止膜であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 前記中間層はシリコン、耐火金属又は耐火金属化合物より構成されたことを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に形成されており開口部を有する絶縁膜と、
前記開口部の底面、内面及び前記絶縁膜上に形成されている拡散防止膜と、
前記拡散防止膜において前記絶縁膜と接している表面とは反対側の表面上の全体に形成されている核生成活性層と、
前記開口部を完全に埋め立て平坦な表面を有するCVD金属層と、
前記CVD金属層上に形成されておりスパッターされた金属層とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記開口部は半導体基板に形成された不純物ドーピング領域を露出させる接触口又は半導体装置の上部導電層と下部導電層の電気的接続のためのブァイアであることを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 前記CVD金属層及び前記絶縁膜とスパッターされた金属層の間に形成された中間層を更に含むことを特徴とする請求項9記載の半導体装置。
- 半導体基板上に開口部を有する絶縁膜を形成する段階と、
前記開口部の底面、内面及び前記絶縁膜上に拡散防止膜を形成する段階と、
前記拡散防止膜において前記絶縁膜と接している表面とは反対側の表面上の全体に核生成活性層を形成する段階と、
前記開口部を完全に埋め立てる金属層をCVD方法によりCVD金属層として形成する段階と、
前記CVD金属層を熱処理しその表面を平滑にする段階と、
前記CVD金属層上にスパッタリング方法によりスパッターされた金属層を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記CVD金属層はTIBA、TMA、DMAH及びDIBAHより構成された群から選択された有機金属化合物をソースとして利用して形成させることを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記核生成活性層はTi、Mo、Ta及びZrより構成された群から選択された耐火金属又はこれらの化合物を蒸着して形成させることを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記核生成活性層は水素終端又は水素処理して得られた水素処理層であることを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記核生成活性層はシリル化工程により得られたシリル化層であることを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記熱処理工程は0.6Tm 〜 Tm ( Tm は前記CVD金属層を構成する金属の溶融点である)の温度で真空を破らず、連続的に遂行することを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記スパッターされた金属層を形成する前に、前記表面の平滑なCVD金属層上に中間層を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。
- 前記中間層として優先方位が(111)であるTiNを蒸着させ形成することを特徴とする請求項18記載の半導体装置の製造方法。
- 前記スパッター金属層は150℃以下の温度でスパッターされた金属層の所定厚さの一部分を先ず蒸着し第1スパッター金属層を形成し、前記第1スパッター金属層を0.6Tm 〜 Tm ( Tm は前記第1スパッター金属層の溶融点である)の温度で熱処理した後、前記スパッターされた金属層が所定の厚さを有するように追加で金属を蒸着し第2金属層を形成して得られた複合層より構成されることを特徴とする請求項12記載の半導体装置の製造方法。
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