KR960039204A - 금속막 배선 형성방법 - Google Patents

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Abstract

안정된 접촉 저항을 가지는 금속막 배선 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 의해서 층간 절연층 상에 콘택홀이 형성된 반도체 기판의 전면에 100∼900Å 두께의 제1내화 금속막을 증착하고, 상기 반도체 기판을 열처리하여 상기 콘택홀의 바닥에 실리사이드막을 형성한다. 이어서, 반도체 기판 상의 미반응 제1내화 금속막을 제거한 후 상기 실리사이드막의 표면에 형성된 절연막을 식각하고, 상기 반도체 기판의 전면에 배리어금속막 및 제2내화 금속막을 연속하여 증착한다. 마지막으로 사진 식각공정을 사용하여 배리어 금속막 패턴 및 제1내화 금속막의 패턴을 형성하여 금속막 배선을 형성한다. 본 발명에 의하여, 상기 실리사이드막의 표면에 형성된 절연막을 식각하여 제거함으로써 상기 금속막 배선의 접촉 저항을 안정화시킬 수 있으며, 상기 실리사이드막을 500∼700℃ 범위의 낮은 온도에서 열처리하는 것만으로도 안정된 접촉 저항을 얻을 수 있어 후속 공정의 저온화에 도움이 된다.

Description

금속막 배선 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 의한 금속막 배선의 형성방법을 순서대로 보여주는 단면도들이다.

Claims (9)

  1. 반도체 기판의 층간 절연층 상에 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 및 상기 층간 절연층의 전면에 제1내화 금속막을 증착하는 단계; 상기 제1내화 금속막을 열처리하여 상기 콘택홀의 바닥에 실리사이드막을 형성하는 단계; 상기 콘택홀 및 사이 층간 절연층 상에 증착되어 있는 미반응 제1내화 금속막을 제거하는 단계; 상기 실리사이드막의 표면에 형성된 절연막을 제거하는 단계; 상기 콘택홀을 통하여 상기 실리사이드막에 접촉하는 배리어(barrier) 금속막 및 제2내화 금속막을 상기 층간 절연층 위에 연속으로 증착하는 단계; 및 상기 배리어 금속막 및 상기 제2내화 금속막을 사진 식각공정으로 배리어 금속막 패턴 및 제2내화 금속막 패턴을 형성하는 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속막 배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1내화 금속막의 두께를 100∼900Å 범위로 하는 것을 특징으로 하는 금속막 배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 사기 제1내화 금속막은 Ti, W, Mo, Co 또는 Ta으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속막 배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실리사이드막의 열처리는 500∼700℃ 범위의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 금속막 배선 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 미반응 제1내화 금속막을 제거하는 단계후에, 700∼1000℃ 범위의 온도에서 제2차 열처리를 실시하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 금속막 배선 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실리사이드막 표면에 형성된 상기 절연막은 스퍼터 장치를 이용하에 제거하는 것을 특징으로 하는 금속막 배선 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 절연막을 제거하는 단계 후에, 상기 배리어 금속막 증착은 상기 스퍼터 장치를 이용하여 연속으로 실시하는 것을 특징으로 하는 금속막 배선 형성방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 배리어 금속막은 TiN, WN, TiSiN, TaSiN 또는 TaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속막 배선 형성방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제2내화 금속막은 W, TiSi 또는 Al으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속막 배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR100593138B1 (ko) * 1999-12-24 2006-06-26 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속배선 형성방법

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