KR960002680A - 금속배선 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조공정 중 금속막과 하부막과의 전기적 연결을 위한 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 평탄화막(5) 증착 후 스퍼터링 장비에서 대기중에 노출됨이 없이 고진공으로 유지된 금속합금막 증착 챔버로 이동시켜 금속합금으로 콘택상부를 메우게끔 증착한 후 다시 대기중에 노출됨이 없이 고진공으로 유지된 열처리 챔버로 이동하여 얼처리함으로써 압력차를 이용해 콘택을 매립하는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 알루미늄합금 평탄화에 있어 콘택 크기 및 단차비에 무관하게 콘택을 매립할 수 있다.

Description

금속배선 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1C도는 본 발명에 따른 일실시예의 금속배선 형성 공정 단면도.

Claims (4)

1. 실리콘기판 또는 도전막과 같은 패턴(1)상부에 절연막을 형성한 후, 콘택마스크를 사용하여 상기 절연막(2)의 소정 부분에 콘택홀(3)을 형성한 다음, 상기 콘택홀(3) 및 절연막(2) 상부에 배리어금속막(4) 및 평탄화막(5)을 형성한 다음 금속합금막(6)으로 콘택홀을 매립하는 반도체 소자의 금속배선 형성방법에 있어서, 상기 평탄화막(5) 증착 후 스퍼터링 장비에서 대기중에 노출됨이 없이 고진공으로 유지된 금속합금막 증착 챔버로 이동시켜 금속합금으로 콘택상부를 메우게끔 증착한 후 다시 대기중에 노출됨이 없이 고진공으로 유지된 열처리 챔버로 이동하여 열처리함으로써 압력차를 이용해 콘택을 매립하는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 금속합금막(6)은 알루미늄합금막인 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 금속합금막(6)의 증착 압력은 수 Torr 내지 수십 Torr, 온도는 400 내지 600℃인 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 금속합금막(6) 형성 후 금속합금막 상부에 반사방지막(8)을 형성하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.