KR970003535A - 반도체소자의 콘택 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 콘택 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판 또는 도전층의 상부에 콘택홀을 형성한 후, 콘택홀의 상부에 확산 방지층을 형성하고 확산 방지층의 상부에 다시 티타늄의 조성비가 우수한 즉, Ti : N의 비가 1 이상이 되는 티타늄 나이트라이드층을 점착층으로 사용함으로써, 알루미늄 합금의 고온 증착 또는 리플로우시 접착능력을 향상시킴과 동시에, 알루미늄과의 반응을 억제하여 용이하게 안정된 콘택 매립을 달성할 수 있으며, 이로 인해 반도체소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키고 금속배선 공정을 단순화 시킬 뿐만 아니라 64DRAM급 이상의 고집적 반도체소자에서도 알루미늄 합금 배선을 사용가능하게 하여 반도체소자 제조에 따른 경비를 절감할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따라 콘택홀의 상부에 확산방지 금속층을 형성한 상태의 단면도, 제2도는 제1도의 확산방지 금속층 상부에 점착층으로 티타늄 나이트라이드층을 형성시킨 상태의 단면도, 제3A도 및 제3B도는 제2도의 티타늄 나이트라이드 접착층 상부에 2단계 증착법에 의하여 콘택매립을 달성한 상태의 금속콘택홀의 단면도, 제4A도 및 제4B도는 티타늄 나이트라이드 점착층 상부에 알루미늄 합금을 저온 증착한 후, 리플로우법에 의하여 콘택 매립을 완성한 상태의 금속 콘택홀의 단면도.
Claims (6)
- 반도체 소자의 콘택 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 또는 도전층의 소정부위 상부에 금속 콘택홀을 형성하는 단계와, 전체구조 상부에 티타늄과 나이트라이드막을 증착하여 확산방지층을 형성하는 단계와, 상기 확산 방지층 상부에 티타늄의 조성비가 우수한 티타늄 나이트라이드 점착층을 형성하는 단계와, 상기 점착층 상부에 알루미늄 합금을 증착하여 금속 콘택홀의 내부를 매립하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄 나이트라이드 점착층 증착시 반응성 스퍼터링법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄 나이트라이드 점착층의 Ti : N의 조성비는 1.1 : 0.9 내지 1.8 : 0.2의 범위가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 점착층 상부에 알루미늄 합금을 증착할 시, 2단계 증착법 또는 저온 증착후 고온 리플로우법 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 제조방법.
- 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 알루미늄 합금을 증착시 스퍼터링 방법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄 나이프라이드 점착층 증착 후, 알루미늄 합금층 형성을 동일 스퍼터링 클러스터 시스템내에서 징공단절없이 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019653A KR970003535A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 콘택 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950019653A KR970003535A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 콘택 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003535A true KR970003535A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019653A KR970003535A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체소자의 콘택 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003535A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019653A patent/KR970003535A/ko not_active Application Discontinuation
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