KR930003278A - 완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법 - Google Patents

완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법 Download PDF

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KR930003278A
KR930003278A KR1019910011545A KR910011545A KR930003278A KR 930003278 A KR930003278 A KR 930003278A KR 1019910011545 A KR1019910011545 A KR 1019910011545A KR 910011545 A KR910011545 A KR 910011545A KR 930003278 A KR930003278 A KR 930003278A
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KR1019910011545A
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이철형
김병준
이정규
이정기
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

내용 없음.

Description

완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명에 따른 개구부의 형성방법을 도시한 공정순서도.

Claims (4)

  1. 반도체기판상에 제 1절연층을 형성하는 공정; 상기 제1절연층위에 제2절연층을 형성하는 공정; 상기 제2절연층위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정; 상기 포토레지스트 패턴을 적용하여, 상기 제2절연층을 일정두께 등방성 식각하는 공정; 상기 포토레지스트 패턴을 적용하여, 상기 나머지 두께의 제2절연층 및 제1절연층을 이방성 식각함으로써 개구부를 형성하는 공정; 그리고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한 후, 상기 개구부가 형성된 절연층을 열처리시키는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1절연층 및 제2절연층은 BPSG막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1절연층인 제1BPSG막의 불순물농도가 상기 제2절연층인 제2BPSG막의 불순물농도보다 낮게 형성되는 것을 특징으로 하는 완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 열처리공정은 1000℃∼1100℃온도하에서 10초∼20초 동안RTA공정을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910011545A 1991-07-08 1991-07-08 완만한 프로화일을 갖는 개구부의 형성방법 KR930003278A (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100473157B1 (ko) * 1997-12-31 2005-05-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의콘택홀형성방법
KR100477823B1 (ko) * 1997-12-27 2005-06-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의콘택홀형성방법
KR100814339B1 (ko) * 2001-11-16 2008-03-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 콜레스테릭 액정 컬러필터를 가지는 반사형 액정표시장치

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