KR900003978A - 반도체장치의 제조방법

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반도체장치의 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도(C)는 본 발명의 부분 장벽금속을 사용한 경우 금속배선막 형성에 따른 콘택스텝 커버리지를 나타낸 도면.

제3도는 본 발명의 반도체장치의 제조공정도.

실리콘기판(1)에 불순물 주입영역(2)을 형성한 다음 절연막(3)을 도포시켜 콘택홀(4)을 형성하고, 금속배선막(7)을 도포시키는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 콘택홀(4)을 형성한 다음 콘택홀(4)을 습식세정하고 티타늄막(5)을 도포한 다음 열처리를 실시하여 셀프얼라인 방법으로 실리사이드막(6)을 형성하고, 티타늄막(5)을 식각한 다음 금속배선막(7)을 도포시키는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 티타늄막(5)이 절연막(3)과 접한 부분에서는 반응하지 않고 불순물 주입영역(2)과 접한 콘택부분에서만 실리사이드막(6)이 형성되도록 온도 850℃, 10초 동안 Ar 분위기 또는 N₂분위기하에서 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
제1항에 있어서, 셀프얼라인 방법으로 실리사이드막(6)을 형성한 후 온도 700℃ 20초 동안 N₂분위기하에서 열처리를 실시하여 실리사이드막(6)위에 얇은 티타늄질화막을 성장시키는 방법.
제1항에 있어서, 티타늄막(5)을 식각시키고 콘택홀(4)내의 실리사이드막(6)은 식각시키지 않도록 75℃의 NH₄OH:H₂O₂:H₂O=1:2:5 용액에서 티타늄막(5)을 선택적으로 식각시키는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.