KR910010629A - 금속 배선막 형성방법 - Google Patents

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KR910010629A
KR910010629A KR1019890017102A KR890017102A KR910010629A KR 910010629 A KR910010629 A KR 910010629A KR 1019890017102 A KR1019890017102 A KR 1019890017102A KR 890017102 A KR890017102 A KR 890017102A KR 910010629 A KR910010629 A KR 910010629A
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이철진
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김광호
삼성전자 주식회사
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268

Abstract

내용 없음

Description

금속 배선막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부 도면은 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 금속 배선막의 제조공정도를 나타낸 것이다.

Claims (4)

  1. 실리콘 기판(1)에 불순물 주입영역(2)을 형성한 후, 절연막(3)을 도포하고 식각하여 콘택 홀(4)을 형성하는 공정과, 그 위에 티타늄막(5)을 도포하고, 질소이온을 주입하는 공정과, 어닐링방법으로 열처리를 실시하여 질화 티타늄막(62) 및 티타늄 실리사이드막(61)을 형성하는 공정과, 금속배선막(7)을 도포하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 금속배선 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 티타늄막(5)을 플라즈마 화학 증착법으로 도포하는 것을 특징으로 금속배선 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 600℃ 내지 650℃, NH3 분위기하에서 10초 동안 1차로 실시되고, 800℃ 내지 850℃, NH3 분위기하에서 10초 동안 2차로 실시되는 것을 특징으로 금속배선 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 금속 배선막(7)으로 알루미늄 합금막이나 고융점 금속막이 사용되는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980060529A (ko) * 1996-12-31 1998-10-07 김영환 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법
KR100443517B1 (ko) * 2001-12-27 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 비트라인 형성방법

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KR100443517B1 (ko) * 2001-12-27 2004-08-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 비트라인 형성방법

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