KR910010629A - 금속 배선막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부 도면은 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 금속 배선막의 제조공정도를 나타낸 것이다.
Claims (4)
- 실리콘 기판(1)에 불순물 주입영역(2)을 형성한 후, 절연막(3)을 도포하고 식각하여 콘택 홀(4)을 형성하는 공정과, 그 위에 티타늄막(5)을 도포하고, 질소이온을 주입하는 공정과, 어닐링방법으로 열처리를 실시하여 질화 티타늄막(62) 및 티타늄 실리사이드막(61)을 형성하는 공정과, 금속배선막(7)을 도포하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄막(5)을 플라즈마 화학 증착법으로 도포하는 것을 특징으로 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 600℃ 내지 650℃, NH3 분위기하에서 10초 동안 1차로 실시되고, 800℃ 내지 850℃, NH3 분위기하에서 10초 동안 2차로 실시되는 것을 특징으로 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 금속 배선막(7)으로 알루미늄 합금막이나 고융점 금속막이 사용되는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR19980060529A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
KR100443517B1 (ko) * | 2001-12-27 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 비트라인 형성방법 |
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1989
- 1989-11-24 KR KR1019890017102A patent/KR920010123B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR19980060529A (ko) * | 1996-12-31 | 1998-10-07 | 김영환 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
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KR920010123B1 (ko) | 1992-11-16 |
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