KR930005117A - 반도체 배선 형성 방법 - Google Patents
반도체 배선 형성 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR930005117A KR930005117A KR1019910013509A KR910013509A KR930005117A KR 930005117 A KR930005117 A KR 930005117A KR 1019910013509 A KR1019910013509 A KR 1019910013509A KR 910013509 A KR910013509 A KR 910013509A KR 930005117 A KR930005117 A KR 930005117A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- gas
- atmosphere
- depositing
- heat treatment
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 반도체 배선 형성 공정을 도시한 도면.
Claims (6)
- 반도체 배선 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판 상에 절연막을 입히고 베리어 메탈을 데포지션한 후 24시간 이내에 실온 내지 450℃에서 가스 분위기로 1분 내지 30분 동안 열처리하는 단계(단계 A)와, 상기 형성된 베리어 메탈 상에 알루미늄 합금을 스퍼터링 방법으로 50℃ 내지 300℃에서 데포지션 한 후 24시간 이내에 실온 내지 450℃에서 가스 분위기로 열처리하는 단계(단계 B)와, 사전식각 공정에 유용한 반사율을 덕기 위해서 저 반사율층 (ARC)을 스퍼터링 방법으로 형성하는 단계(단계 C)와, 절연막을 데포지션 한 후 패드콘택을 열고 가스 분위기에서 열처리하므로 배선을 형성하는 단계(단계 D)를 포함하여 이루어지는 반도체 배선 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 단계 A및 D의 분위기 가스는 수소(H2)이며, 상기 단계 B의 분위기 가스는 수소(H2), 산소+질소(O2+N2) 또는 암모니아(NH3) 가스인 것을 특징으로 하는 반도체 배선 형성 방법.
- 반도체 배선 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판 상에 절연막을 입히고 베리어 메탈을 데포지션한 후 24시간 이내에 실온 내지 450℃에서 가스 분위기로 1분 내지 30분 동안 열처리하는 단계(단계 A)와, 상기 형성된 베리어 메탈 상에 알루미늄 합금을 스퍼터링 방법으로 데포지션 하는 단계(단계 B), 사전식각 공정에 유용한 반사율을 덕기 위해서 저 반사율층(ARC)을 스퍼터링 방법으로 형성하는 단계(단계 C)와, 절연막을 데포지션 한 후 패드콘택을 열고 가스 분위기에서 열처리하므로 배선을 형성하는 단계(단계 D)를 포함하여 이루어지는 반도체 배선 형성 방법.
- 제3항에 있어 서, 상기 단계 A 및 D의 분위기 가스는 수소 (H2) 인 것을 특징으로 하는 반도체 배선 형성 방법.
- 반도체 배선 형성 방법에 있어서, 실리콘 기판 상에 절연막을 입히고 베리어 메탈을 데포지션 하는 단계 (단계 A)와, 상기 형성된 베리어 메탈 상에 알루미늄 합금을 스퍼터링 방법으로 50℃ 내지 300℃ 에서 데포지션한 후 24시간 이내에 실온 내지 450℃에서 가스 분위기로 열처리하는 단계(단계 B)와, 사전식각 공정에 유용한 반사율을 얻기 위해서 저 반사율층(ARC)을 스퍼터링 방법으로 형성하는 단계(단계 C)와, 절연막을 데포지션한 후 패드콘택을 열고 가스 분위기에서 열처리하므로 배선을 형성하는 단계(단계 D)를 포함하여 이루어지는 반도체 배선 형성 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 단계 B의 분위기 가스는 수소(H2), 산소++질소(O2+N2) 또는 암모니아(NH3) 가스이며, 상기 단계 D의 분위기 가스는 수소(H2)인 것을 특징으로 하는 반도체 배선 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910013509A KR940004442B1 (ko) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 반도체장치의 금속배선 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910013509A KR940004442B1 (ko) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 반도체장치의 금속배선 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930005117A true KR930005117A (ko) | 1993-03-23 |
| KR940004442B1 KR940004442B1 (ko) | 1994-05-25 |
Family
ID=19318271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910013509A KR940004442B1 (ko) | 1991-08-05 | 1991-08-05 | 반도체장치의 금속배선 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940004442B1 (ko) |
-
1991
- 1991-08-05 KR KR1019910013509A patent/KR940004442B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940004442B1 (ko) | 1994-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR890003006A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR930003243A (ko) | (111) 결정방향을 가지는 질화티타늄 방벽층을 형성시키는 방법 | |
| KR930003257A (ko) | 반도체 장치 및 그의 제조방법 | |
| KR960023223A (ko) | 실리콘 이동을 감소시키기 위한 질화 금속막의 처리방법 | |
| JPS63275114A (ja) | 基板上に低応力耐火金属層を形成する方法 | |
| KR960034488A (ko) | 고온 저항을 개선시키기 위한 티타늄 질화물 층의 처리방법 | |
| KR960035843A (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| JPH0556872B2 (ko) | ||
| KR930005117A (ko) | 반도체 배선 형성 방법 | |
| KR950015721A (ko) | 반도체 장치의 배선 구조 및 배선 형성 방법 | |
| KR940010194A (ko) | 반도체장치의 배선층 형성방법 | |
| KR980005579A (ko) | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성 방법 | |
| KR960026120A (ko) | 금속흡착법에 의한 다결정 규소박막의 제조방법 | |
| KR950034693A (ko) | 반도체 다층박막 금속배선 형성방법 | |
| KR960026167A (ko) | 반도체 소자의 콘택방법 | |
| KR950021108A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR980005615A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR890011056A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR940021758A (ko) | 텅스텐 박막의 증착 방법 | |
| KR950007063A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 | |
| JPS5812441Y2 (ja) | 半導体装置電極構造 | |
| KR970003487A (ko) | 반도체소자의 금속배선 형성방법 | |
| KR970052379A (ko) | 반도체 장치의 금속 배선 형성 방법 | |
| KR900003976A (ko) | 반도체장치의 금속배선막 형성방법 | |
| KR950009919A (ko) | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20090427 Year of fee payment: 16 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |