KR960026120A - 금속흡착법에 의한 다결정 규소박막의 제조방법 - Google Patents

금속흡착법에 의한 다결정 규소박막의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 다결정 규소박막의 제조방법에 관한 것이다. 좀더 구체적으로, 본 발명은 비정질 규소박막에 금속을 흡착시켜 열처리함으로써, 낮은 온도에서 대면적의 다결정 규소박막을 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 제조방법은 기판을 세척하고 LPCVD 또는 PECVD법에 의해 비정질 규소박막을 증착시키는 공정; 전기 공정에서 수득한 비정질 규소박막이 증착된 기판에 스핀코팅법으로 규소박막 상에 금속용액을 흡착시키는 공정; 및, 불활성가스 분위기 하에서 전기 공정에서 수득한 금속용액이 흡착된 규소박막을 450 내지 600℃의 온도에서 열처리하는 공정을 포함하며, 본 발명에 의해 종래의 방법보다 100℃ 이상 낮은 온도에서 다결정 규소박막을 제조할 수 있으므로, 석영 등의 고가의 기판 대신 저렴한 유리기판을 사용할 수 있는 동시에 대면적의 다결정 규소박막을 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인되었다.

Description

금속흡착법에 의한 다결정 규소박막의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 다결정 규소박막의 제조방법에 대한 공정도이다. 제2도는 본 발명에 의해 제조된 다결정 규소박막에 대한 X-선 그래프이다.

Claims (6)

  1. (i)기판을 세척하고 LPCVD 또는 PECVD법에 의해 비정질 규소박막을 증착시키는 공정; (ii)전기 공정에서 수득한 비정질 규소박막이 증착된 기판을 스핀코팅법에 의해 규소박막 상에 금속용액을 흡착시키는 공정; 및, (iii)불활성가스 분위기 하에서 전기 공정에서 수득한 규소박막을 450 내지 600℃의 온도에서 열처리하는 공정을 포함하는 다결정규소박막의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 기판으로는 유리판; 석영판; 실리콘 웨이퍼; SiO2, 질화규소, 실리콘 옥시니트리드 및 산화 탄탈 등의 비정질 산화물이 피복된 유리판; 전기비정질 산화물이 피복된 석영판; 및, 전기 비정질 산화물이 피복된 실리콘 웨이퍼로 구성된 그룹으로부터 선택된 1종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정규소박막의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 금속용액으로는 구리 또는 금을 1wt%의 질산 수용액에 용해시킨 10 내지 5,000ppm의 구리용액 또는 금 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 스핀코팅시 스핀코터의 회전속도는 100 내지 9,000rpm인 것을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 불활성가스는 아르곤 또는 질소인 것을 특징으로 하는 다결정 규소박막의 제조방법.
  6. 기판을 세척하고 LPCVD 또는 PECVD법에 의해 비정질 규소박막을 증착시켜 스핀코팅방법으로 규소박막 상에 금속용액을 흡착시킨 다음, 불활성가스 분위기 하에서 규소박막을 450 내지 600℃의 온도에서 열처리하여 제조된 다결정규소박막.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030007024A (ko) * 2001-07-11 2003-01-23 조진한 회전 코팅을 이용한 단층/다층 초박막의 제조방법

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100598291B1 (ko) * 2000-06-20 2006-07-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 구리 배선 형성 방법
JP5127101B2 (ja) * 2001-06-28 2013-01-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101167998B1 (ko) * 2009-11-27 2012-07-26 주식회사 테라세미콘 다결정 실리콘 형성 장치 및 그 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02148774A (ja) * 1988-11-29 1990-06-07 Kyocera Corp 光センサーの製造方法
US5135886A (en) * 1990-12-06 1992-08-04 At&T Bell Laboratories Integrated circuit fabrication utilizing amorphous layers
DE59010916D1 (de) * 1990-12-21 2000-11-30 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer mit Arsen dotierten glatten polykristallinen Siliziumschicht für höchstintegrierte Schaltungen
JPH0555140A (ja) * 1991-08-22 1993-03-05 Sharp Corp 多結晶シリコン膜の作製方法
JPH05182919A (ja) * 1992-01-07 1993-07-23 Fujitsu Ltd 多結晶シリコン薄膜の製造方法
JPH05291149A (ja) * 1992-04-13 1993-11-05 Canon Inc プラズマｃｖｄ装置
JPH06244103A (ja) * 1993-02-15 1994-09-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体の製造方法
JP3190483B2 (ja) * 1993-05-21 2001-07-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法
JP3450376B2 (ja) * 1993-06-12 2003-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4141508B2 (ja) * 1993-12-03 2008-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3418647B2 (ja) * 1994-12-09 2003-06-23 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置作製方法および結晶成長促進剤

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030007024A (ko) * 2001-07-11 2003-01-23 조진한 회전 코팅을 이용한 단층/다층 초박막의 제조방법

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