JP5127101B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶質半導体をチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層に用いて作製された薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)の作製方法に関する。特に、触媒元素および希ガス元素を非晶質半導体膜に添加して加熱処理を行うことにより配向性がそろい、粒径の大きな結晶粒が集まった構造の良好な結晶性を有する半導体膜を得る方法に関する。
【0002】
なお、本明細書において、半導体装置とは、該良好な結晶性を有する半導体膜を用いて作製されたTFT、該TFTを含む装置全般を指すこととする。
【0003】
【従来技術】
高精細な表示が可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置がさかんに作製されている。アクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素部の各画素に液晶を駆動させるためのスイッチング用素子としてTFTが形成されており、画素部に形成されたTFTでオンオフの切り替えることにより液晶の配向を変化させて、表示をしている。
【0004】
なかでも電界効果移動度の高い結晶質半導体膜(代表的には、ポリシリコン膜)は、キャリアの移動が高速であるため、このような結晶質半導体膜をチャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域を含む半導体層に用いることで、高解像度でも画像データの書き込みに対応でき、高速動作が要求される駆動回路を画素部と同一の基板上に設けることも可能となり、実用化されつつある。
【0005】
近年は、情報量の増加が著しく、また動画が十分に表示できることも求められている。情報量が多くても、画像が動いてボケが生じないようにするためには、短い選択時間で大量の情報信号を書き込むことのできる、高速応答が可能な素子を実現することが望まれている。
【0006】
そのため、液晶表示装置のスイッチング素子や駆動回路を形成する素子は、十分な電界効果移動度を得ることができないa−Si膜を用いたTFTから、ある程度の電界効果移動度を得られるようになったp−Si膜を用いるTFTにとって代わってきている。
【0007】
良好なp−Si膜を得るための方法としては、レーザ光照射による結晶化方法、加熱処理による結晶化方法、触媒元素を添加し、加熱処理を行うことによる結晶化方法などがあげられる。これらの方法のなかでも、低温の加熱処理で配向性のそろった結晶質半導体膜を得られる触媒元素を用いる結晶化方法は有望視されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、レーザ光を照射して形成された結晶質半導体膜(結晶質シリコン膜)は、レーザ光照射による半導体膜の溶融から固相に変化するまでの時間が極端に短いため、その影響で、小さな結晶粒が集まった状態の結晶質半導体膜となる。このような半導体膜を用いてTFTを作製しても、十分な電界効果移動度が得られないため、特性のよいTFTを得られない。
【0009】
触媒元素を用いて形成された結晶質半導体膜(結晶質シリコン膜)は、柱状の結晶が多数形成されている。この柱状の結晶は、配向性を持っており、同一の結晶配向を持った結晶の集まった領域の結晶粒が形成されている。この結晶粒のサイズは、レーザ光の結晶粒のサイズと比較してかなり大きく、同じ面積にしめる結晶粒の数が少ないため、結晶粒界(結晶粒と結晶粒との境界)も少なくなっている。
【0010】
しかし、上記触媒元素を添加した非晶質半導体膜を加熱処理して得られる結晶質シリコン膜をTFTの半導体層に用いた場合、高い電気特性が得られる反面、隣りあう結晶粒(異なる配向を有する結晶粒)との境界(結晶粒界)や、結晶粒サイズの違いによって各々のTFT特性に若干の差、即ちバラツキが生じていた。
【0011】
TFTのチャネル形成領域中に結晶粒界が存在しないようにするためには、粒径の大きな結晶粒の集まった結晶質半導体膜を用いて半導体層を形成したい。
【0012】
そこで本発明では、上記のような問題を解決して、粒径の大きな結晶粒が集まった良好な結晶質半導体膜を得るための方法を提供することを課題とする。またこのような良好な結晶質半導体膜を用いてTFTを形成し、該TFTからなる動作特性にすぐれ、信頼性の高い半導体装置を実現することを課題とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記のような課題を鑑み、本発明者らは、粒径の大きな結晶粒の集まった結晶質半導体膜を形成するためには、結晶核の発生を抑制すればよいのではないかと考えた。
【0014】
そこで、本発明は、絶縁表面に非晶質半導体膜を形成する第1の工程と、非晶質半導体膜に触媒元素含有層を形成する第2の工程と、前記非晶質半導体膜に希ガス元素を添加する第3の工程と、前記第3の工程の後に、加熱処理を行い結晶質半導体膜を形成する第4の工程と、前記第4の工程の後に、該結晶質半導体膜にレーザ光を照射する第5の工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【0015】
また、非晶質半導体膜中に添加する希ガス元素の濃度は、1×1018〜1×1022/cm3であることを特徴としている。
【0016】
非晶質半導体膜に希ガス元素を添加する方法としては、イオン注入法またはイオンドープ法を用いればよい。
【0017】
または、原料ガスに希ガス元素を含む気体を用いて、あらかじめ所定の濃度の希ガス元素が添加されているような非晶質半導体膜を形成してもかまわない。
【0018】
続いて、結晶化を促進する作用を有する触媒元素を添加する。例えば、重量換算で1〜100ppmの濃度のニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピンコート法などを用いて、非晶質半導体膜に塗布して添加することができる。
【0019】
上記のように、希ガス元素および触媒元素が添加された非晶質半導体膜に加熱処理を施すと、結晶成長の起点となる結晶の種(本明細書では、結晶核という)の発生密度を抑制することができる。
【0020】
なお、加熱処理の手段としては、光源の輻射熱を用いて加熱処理を行う方法、加熱した不活性気体により加熱処理を行う方法、炉を用いて加熱処理を行う方法のいずれかを用いればよい。
【0021】
図19(A)に希ガス元素としてアルゴンを添加した後、触媒元素としてニッケルを添加して結晶化のための加熱処理(炉を用いて、550℃で4時間)を施したシリコン膜を観察した結果を示す。図中の色が薄くなった円状の領域が結晶核である。図19(B)の触媒元素(ニッケル)のみを添加して加熱処理(図19(A)の試料と同一の加熱処理条件)したシリコン膜と比較して、結晶核の密度が低くなっていることがわかる。
【0022】
このように、ある結晶核から成長した結晶が隣接する結晶核からの結晶成長とぶつかって結晶粒界が形成される確率を低くすることができ、結晶成長を妨げる要因が減る、言い換えると大結晶粒が集まった結晶質半導体膜を得ることができる。
【0023】
なお、本発明者らは、例えば、非晶質シリコン膜にアルゴンのような原子半径の大きな希ガス元素を添加すると、非晶質シリコン膜の原子の結合が切り離されてしまうため、触媒元素を添加して、加熱処理を施しても、なかなか結晶核が発生せず、結晶核発生密度を低く抑えられるのではないかと考えている。
【0024】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
基板10上に下地絶縁膜11、該下地絶縁膜11上に非晶質半導体膜として非晶質シリコン膜12を形成する。下地絶縁膜11としては、SiH4、NH3およびN2Oを反応ガスとして形成される酸化窒化シリコン膜およびSiH4およびN2Oを反応ガスとして成膜される酸化窒化シリコン膜を積層して用いる。
【0025】
非晶質シリコン膜12は、スパッタ法またはPCVD法により形成し、次いで非晶質シリコン膜に希ガス元素を添加する。本実施形態では、希ガス元素としてアルゴンを1×1018〜1×1022/cm3の濃度で添加する。なお、添加方法としては、イオン注入法またはイオンドープ法により希ガス元素を添加すればよい。
【0026】
次いで、非晶質半導体膜12に触媒元素を添加して触媒元素含有層13を形成する。非晶質半導体膜の結晶化を促進する作用を有する触媒元素としては、Fe、Co、Ni、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Sn、Sbがあげられる。これらの元素から選ばれた一種または複数種の元素を非晶質半導体膜に添加すればよい。代表的にはニッケルを用い、重量換算で1〜100ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピンコート法を用いて、非晶質半導体膜に塗布することにより添加する。
【0027】
なお、触媒元素の添加方法は、上記の方法に限定されることはなく、スパッタ法、蒸着法またはプラズマ処理などにより形成してもよい。また、触媒元素含有層は非晶質半導体膜を形成する前、すなわち、下地絶縁膜上に形成しておいてもよい。
【0028】
非晶質半導体膜に触媒元素を添加した後、結晶化のための加熱処理を行って結晶質半導体膜14を形成する。加熱処理の方法としては、炉を用いた加熱方法、光源(ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンア−クランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなど)の輻射熱を用いて加熱を行うRTA法、不活性ガス(例えば、窒素)を加熱した雰囲気において加熱を行うRTA法などを採用すればよい。
【0029】
さらに良好な結晶質半導体膜を得るために、加熱処理により得られた結晶質半導体膜にレーザ光を照射する。レーザ光には、波長400nm以下のエキシマレーザやYAGレーザの第2の高調波、第3高調波を用いればよい。いずれにしても、繰り返し周波数10〜1000Hz程度のパルスレーザ光を用い、当該レーザ光を光学系にて100〜400mJ/cm2に集光し、50〜98%のオーバーラップ率をもって結晶質半導体膜に照射する。
【0030】
このようにして得られた結晶質半導体膜は、触媒元素が添加されているため、配向性が高く、さらに希ガス元素を添加したことにより、結晶核の生成密度が低いため、十分に結晶成長した粒径の大きな結晶粒が集まった結晶化率の高い良好な結晶質半導体膜である。
【0031】
なお、本発明により結晶質半導体膜が得られたら、結晶質半導体膜の素子領域にあたる領域の触媒元素の濃度を低減するゲッタリングのための加熱処理を行う。結晶質半導体膜14上に開口部16を有するマスク15を形成して、ゲッタリング作用を有する不純物元素(例えばn型不純物元素のリン)を添加して、ゲッタリング領域17を形成し、加熱処理を行うことにより、結晶質半導体膜の素子領域にあたる領域の触媒元素をゲッタリング領域に移動させて触媒元素濃度を低減することにより、良好な結晶質半導体膜を得ることができる。
【0032】
(実施の形態2)
実施形態2では、実施形態1のようにして得られた結晶質半導体膜を反射電子回折パターン(EBSP:Electron Backscatter diffraction Pattern、以下、EBSPという)により観察した結果を示す。
【0033】
EBSPは、走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscopy)に専用の検出器を設け、一次電子の後方散乱から結晶方位を分析する手段である。試料の電子線の当たる位置を移動させつつ方位解析を繰り返す(マッピング測定)ことにより、面状の試料の結晶方位または配向の情報を得ることができる。その一例として、本実施例で示すように各測定ポイントの結晶粒が表面に向けている結晶方位を色別に表したりすることができる。また、ある測定ポイントに着目し、隣接するポイントにおいて、測定者の設定した結晶方位のずれ角(許容ずれ角)の範囲内である領域を区別して表すこともできる。
【0034】
許容ずれ角は測定者が自由に設定することが可能であるが、本明細書中では、前記許容ずれ角を10°と設定し、あるポイントに着目したときに隣接するポイントの結晶方位のずれ角が10°以下の範囲内である領域を結晶粒と呼び、結晶粒が複数集合して多結晶構造の結晶質半導体膜が形成されている。図 において、同色の領域はひとつの結晶粒とみなすこととする。(なお、結晶粒は実際には複数の結晶粒から形成されているが、結晶粒内における結晶方位の許容ずれ角が小さいため、巨視的には1つの結晶粒と見なすことができる。)
【0035】
図7は、PCVD法により形成された非晶質シリコン膜に希ガス元素としてアルゴンを添加し、その後、重量換算で100ppmの触媒元素(本実施例ではニッケル)を含む水溶液(酢酸ニッケル水溶液)をスピンコート法により塗布してニッケルを添加し、炉を用いて600℃、8時間で加熱処理を施して得られた多結晶構造の結晶質半導体膜をEBSPにより観察した結果である。また、図8は、重量換算で10ppmの触媒元素(本実施例ではニッケル)を含む水溶液(酢酸ニッケル水溶液)をスピンコート法により塗布してニッケルを添加し、炉を用いて550℃、4時間で加熱処理を施して得られた多結晶構造の結晶質半導体膜をEBSPにより観察した結果である。
【0036】
図7と図8の結果を比較して明らかなように、本発明を用いて作製された結晶質半導体膜(図7)は粒径が大きくなっており、ひとつの結晶粒が100μm2以上(100〜200μm2)の粒径が集まって形成されている。
【0037】
従って、本発明の非晶質半導体膜の結晶化方法を用いることにより、ひとつひとつの結晶粒が大きい粒径を有する多結晶構造の結晶質半導体膜を得ることができる。また、このような結晶粒径の大きな結晶質半導体膜を得て、TFTのチャネル形成領域およびソース領域またはドレイン領域を有する半導体層に用いることにより、電界効果移動度が高い高速移動の可能なTFTを実現することができる。
【0038】
(実施の形態3)
実施形態3では、結晶化のための加熱処理の条件によって半導体膜に生成される結晶核の数を計測した結果について説明する。
【0039】
なお、結晶核の数を計測した試料は、PCVD法により形成された非晶質シリコン膜に何も添加せずに結晶化のための加熱処理を行った試料1、PCVD法により形成された非晶質シリコン膜に触媒元素としてニッケルを添加した後、結晶化のための加熱処理を行った試料2、スパッタ法により形成された非晶質シリコン膜に希ガス元素としてアルゴンを添加し、加熱処理を行った試料3、スパッタ法により形成された非晶質シリコン膜に希ガス元素としてアルゴンを添加した後、触媒元素としてニッケルを添加し、加熱処理を行った試料4である。計測した結果を図9のグラフに示す。
【0040】
Arが添加された試料はArが添加されていない試料と比較して、結晶核が生成する温度が高かった。これは、触媒元素のニッケルが添加されている、添加されていないに関わらず、同様の傾向がみられた。
【0041】
また、触媒元素が添加された試料に関して比較すると、例えば、処理温度が560℃の時、Arが添加された試料は、核発生密度が2.0×10-3個/μm2程度に対して、Arが添加されていない試料は、核発生密度が1.2×10-2個/μm2程度と約6倍の結晶核が発生している。
【0042】
結晶核の発生密度が大きければ大きいほど、結晶成長が進んだ際に隣接する結晶核からの成長とぶつかって結晶成長が止まり、結晶粒界が形成されてしまう確率が高くなる。本発明のように希ガス元素および触媒元素を添加して加熱処理することにより得られる結晶質半導体膜は、結晶核の発生が抑制されているため、隣接する結晶核からの結晶成長とぶつかって結晶成長が止まる確率が低くなるため、ひとつひとつの結晶粒を大きく成長させることが期待できる。
【0043】
【実施例】
(実施例1)
本発明の一実施例を、以下に図2〜5を用いて説明する。ここでは、同一基板上に画素部と、画素部の周辺に設ける駆動回路のTFT(nチャネル型TFT及びpチャネル型TFT)を同時に作製する方法について詳細に説明する。
【0044】
図2(A)において、基板100はアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。この基板100上に下地絶縁膜を形成する。本実施例では、SiH4、NH3及びN2Oを反応ガスとして成膜される第1酸化窒化シリコン膜101aを50nm、SiH4及びN2Oを反応ガスとして成膜される第2酸化窒化シリコン膜101bを100nmの厚さに積層形成する。
【0045】
次いで、下地絶縁膜101上に非晶質シリコン膜を形成し、結晶化処理を行った後分割して、半導体層103〜106(本実施例では、便宜上、第1の半導体層103、第2の半導体層104、第3の半導体層105および第4の半導体層106とする)を形成する。
【0046】
結晶化方法は以下の通りである。下地絶縁膜101上に非晶質半導体膜を形成した後、希ガス元素としてアルゴンを1×1018〜1×1022/cm3の濃度に添加する。添加方法としては、イオン注入法、またはイオンドープ法による添加等を用いればよい。また、非晶質シリコン膜成膜時に、原料ガスに希ガス元素を含むガスを用いて、希ガス元素を含む非晶質シリコン膜を形成してもよい。なお、非晶質シリコン膜の成膜には、スパッタ法、PCVD法のいずれかを用いればよい。
【0047】
次いで、結晶化を促進する作用を有する金属元素を触媒元素として非晶質シリコン膜に添加する。本実施例では、触媒元素として、重量換算で10ppmのニッケルを含む酢酸ニッケル塩溶液をスピンコート法で塗布してニッケルを添加する。なお、酢酸ニッケル塩溶液と非晶質シリコン膜との馴染みをよくするために、非晶質シリコン膜の表面にオゾン含有水溶液を塗布して極薄い酸化膜を形成し、その酸化膜をフッ酸と過酸化水素水の混合液でエッチングして除去し、清浄な表面を形成した後、再度、オゾン含有水溶液で処理して極薄い酸化膜を形成しておくことにより、酢酸ニッケル塩溶液を均一に塗布することができる。
【0048】
次いで、結晶化のための加熱処理を行う。加熱処理は、光源の輻射熱を用いて加熱処理を行う方法、加熱した不活性気体により加熱処理を行う方法、炉を用いて加熱処理を行う方法のいずれかを用いればよい。なお、本実施例では、不活性気体として窒素を610℃に加熱した雰囲気において3分間の加熱処理を行って、結晶質シリコン膜を形成した。なお、非晶質シリコン膜をスパッタ法により形成する場合は、形成された非晶質シリコン膜に含まれる水素濃度が低いため、水素脱離処理を行う必要はないが、その他の方法(PCVD法等)で形成した非晶質シリコン膜中には水素が含まれているため、水素脱離のための加熱処理を行った後、結晶化のための加熱処理を行うことが好ましい。
【0049】
次いで、結晶質シリコン膜にレーザ光を照射して、結晶質シリコン膜中に残留する非晶質領域をすべて結晶化した結晶質シリコン膜を形成する。レーザ光は、パルス発振型または連続発光型のエキシマレーザやYAGレーザ、YVO4レーザ等を用いればよい。これらのレーザを用いる場合には、レーザ発振器から放射されたレーザビームを光学系で線状に集光し、半導体膜に照射する方法を用いるとよい。結晶化の条件は、実施者が適宜決定すればよいが、エキシマレーザを用いる場合には、パルス発振周波数300Hzとし、レーザエネルギー密度を100〜800mJ/cm2(代表的には200〜700mJ/cm2)とする。また、YAGレーザを用いる場合には、その第2高調波を用い、パルス発振周波数1〜300Hzとし、レーザエネルギー密度を300〜1000mJ/cm2(代表的には350〜800mJ/cm2)とするとよい。そして幅100〜1000μm、例えば400μmで線状に集光したレーザビームを基板全面にわたって照射し、この時の線状ビームの重ね合わせ率(オーバーラップ率)を50〜98%として行えばよい。
【0050】
結晶化工程後、結晶質シリコン膜の素子領域となる領域から触媒元素を移動させ、触媒元素濃度を低減させるためのゲッタリング工程を行ってもよい。
【0051】
なお、結晶化後、TFTのしきい値電圧を制御するために、アクセプタ型の不純物としてボロンをイオンドープ法により半導体膜に添加する。添加する濃度は実施者が適宣決定すれば良い。
【0052】
こうして形成された多結晶シリコン膜をエッチング処理により分割して、半導体膜103〜106を形成する。その上に、ゲート絶縁膜107として、SiH4、N2Oを用いプラズマCVD法により作製される酸化窒化シリコン膜を110nmの厚さに形成する(図2(B))。
【0053】
さらに、ゲート絶縁膜107上に第1の導電膜108として窒化タンタル膜をスパッタ法で30nmの厚さに形成し、さらに第2の導電膜109としてタングステンを300nmの厚さに形成する(図2(C))。
【0054】
次に、図3(A)に示すように光感光性のレジスト材料を用い、マスク110〜113を形成する。そして、第1の導電膜108及び第2の導電膜109に対する第1のエッチング処理を行う。エッチングにはICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法を用いる。エッチング用ガスに限定はないがW膜や窒化タンタル膜のエッチングにはCF4とCl2とO2とを用いる。それぞれのガス流量を25:25:10とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してエッチングを行う。この場合、基板側(試料ステージ)にも150WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。この第1のエッチング条件により主にW膜を所定の形状にエッチングする。
【0055】
この後、エッチング用ガスをCF4とCl2に変更し、それぞれのガス流量比を30:30とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して約30秒程度のエッチングを行う。基板側(試料ステージ)にも20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。CF4とCl2との混合ガスは窒化タンタル膜とW膜とを同程度の速度でエッチングする。こうして、端部にテーパーを有する第1の電極114a〜117aおよび第2の電極114b〜117bからなる第1の形状のゲート電極114〜117を形成する。テーパーは45〜75°で形成する。尚、第2の絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングするためには10〜20%程度の割合でエッチング時間を増加させると良い。なお、ゲート絶縁膜107の第1の形状のゲート電極114〜117で覆われない領域表面は20〜50nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
【0056】
次に、マスク111〜114を除去せずに図3(B)に示すように第2のエッチング処理を行う。エッチング用ガスにCF4とCl2とO2とを用い、それぞれのガス流量比を20:20:20とし、1Paの圧力でコイル型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行う。基板側(試料ステージ)には20WのRF(13.56MHz)電力を投入し、第1のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。このエッチング条件により第2の導電膜として用いたW膜をエッチングする。こうして第3の電極118a〜121aと第4の電極118b〜121bからなる第2の形状のゲート電極118〜121を形成する。ゲート絶縁膜107の第2の形状のゲート電極118〜121で覆われない領域表面は20〜50nm程度エッチングされ薄くなる。なお、本明細書では、第3の電極、第4の電極を便宜上電極(A)、電極(B)とも称することとする。
【0057】
続いてn型を付与する不純物元素(n型不純物元素)を半導体層に添加する第1のドーピング処理を行う。第1のドーピング処理は、質量分離をしないでイオンを注入するイオンドープ法により行う。ドーピングは第1形状の電極116〜118をマスクとして用い、水素希釈のフォスフィン(PH3)ガスまたは希ガスで希釈したフォスフィンガスを用い、半導体膜104〜107に第1の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域122〜125を形成する。このドーピングにより形成する第1の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域のリン濃度は1×1016〜1×1017/cm3となるようにする。
【0058】
その後、第2の半導体層104を覆うマスク126、第3の半導体層105の一部を露出するマスク127を形成し、第2のドーピング処理を行う。第2のドーピング処理では、第3の電極(電極(A))118a、120aを通して第1の半導体層103に第2の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域129を形成する。このドーピングにより形成する第2の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域のリン濃度は1×1017〜1×1019/cm3となるようにする。
【0059】
続いて、マスク126、127をそのままに第3のドーピング処理を行う。第1の半導体層103、第3の半導体層105にゲート絶縁膜107を通してn型不純物元素を添加を行い、第3の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域131、132を形成する。このドーピングにより形成する第3の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域のリン濃度は1×1020〜1×1021/cm3となるようにする。
【0060】
なお、本実施例では、以上のように2回にわけて不純物元素を添加しているが、ゲート絶縁膜およびゲート電極を形成する第3の電極の膜厚を制御したり、ドーピングの際の加速電圧を調整したりすることにより、1回のドーピング工程で、第2の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域および第3の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域を形成することもできる。
【0061】
次いで、図4(A)で示すように第1の半導体層103および第3の半導体層105を覆うマスク133、134を形成し第4のドーピング処理を行う。ドーピングは水素希釈のジボラン(B2H6)ガスまたは希ガスで希釈したジボランガスを用い、第2の半導体層104に第1の濃度のp型不純物元素を含むp型不純物領域136及び第2の濃度のp型不純物元素を含むp型不純物領域135を形成する。また、画素部において保持容量を形成する第4の半導体層107には、第1の濃度のp型不純物元素を含むp型不純物領域138及び第2の濃度のp型不純物元素を含むp型不純物領域137が形成される。第1の濃度のp型不純物元素を含むp型不純物領域136、138は電極(A)119a、121aと重なる領域に形成されるものであり、1×1018〜1×1020/cm3の濃度範囲でボロンを添加し、第2の濃度のp型不純物元素を含むp型不純物領域135、137には2×1020〜3×1021/cm3の濃度範囲でボロンが添加されるようにする。
【0062】
以上までの工程でそれぞれの半導体膜にリン又はボロンが添加された領域が形成される。第2の形状のゲート電極118〜120はゲート電極となる。また、第2の形状の電極121は画素部において保持容量を形成する一方の容量電極となる。
【0063】
次いで、図4(B)に示すように、それぞれの半導体膜に添加された不純物元素を活性化処理するために、YAGレーザの第2高調波(532nm)の光を半導体膜に照射する。
【0064】
なお、半導体層に添加された不純物元素を活性化する方法として、本実施例で開示するYAGレーザの第2高調波の光を照射する方法以外に、炉を用いて550℃で4時間加熱処理を行う方法、もしくはRTAによる加熱処理方法(ガスまたは光を熱源として用いるRTA法も含む)でもよい。炉を用いた加熱処理を行う場合には、ゲート電極を形成する導電膜の酸化を防ぐために加熱処理前にゲート電極およびゲート絶縁膜を覆う絶縁膜を形成したり、加熱処理の際の雰囲気を減圧窒素雰囲気にしたりすればよい。以上のように、半導体層に添加された不純物元素の活性化する方法はいくつかあるため、その方法は実施者が適宜決定すればよい。
【0065】
また、活性化のための加熱処理において、半導体膜を結晶化する際に用いた触媒元素を後のTFTのソース領域またはドレイン領域(高濃度にリンが添加されている領域)に移動させて、チャネル形成領域の触媒元素濃度を低減することができる。
【0066】
その後、図4(B)に示すように、プラズマCVD法で窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜から成る第1の層間絶縁膜139を50nmの厚さに形成し、クリーンオーブンを用いて410℃の加熱処理を行い、窒化シリコン膜または窒化酸化シリコン膜から放出される水素で半導体膜の水素化を行う。
【0067】
次いで、第1の層間絶縁膜139上に第3の層間絶縁膜140をアクリルで形成する。そしてコンタクトホールを形成する。このエッチング処理においては外部入力端子部の第1の層間絶縁膜及び第3の層間絶縁膜も除去する。そして、チタン膜とアルミニウム膜を積層して形成される配線142〜149を形成する(図4(C))。
【0068】
以上のようにして、同一基板上にnチャネル型TFT201、pチャネル型TFT202を有する駆動回路205と、TFT203と保持容量204を有する画素部206を形成することができる。保持容量204は半導体106、ゲート絶縁膜107、容量配線121で形成されている。
【0069】
駆動回路205のnチャネル型TFT201はチャネル形成領域150、ゲート電極を形成する電極(A)118aと重なる第2の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域129(Lov領域)と、ソース領域またはドレイン領域として機能する第3の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域131を有している。Lov領域のチャネル長方向の長さは0.5〜2.5μm、好ましくは1.5μmで形成する。このようなLov領域の構成は、主にホットキャリア効果によるTFTの劣化を防ぐことを目的としている。これらnチャネル型TFT及びpチャネル型TFTによりシフトレジスタ回路、バッファ回路、レベルシフタ回路、ラッチ回路などを形成することができる。特に、駆動電圧が高いバッファ回路には、ホットキャリア効果による劣化を防ぐ目的から、nチャネル型TFT201の構造が適している。
【0070】
駆動回路205のpチャネル型TFT202にはチャネル形成領域151、ゲート電極を形成する電極(A)119aの外側に第1の濃度のp型不純物元素を含むp型不純物領域135(ソース領域またはドレイン領域として機能する領域)と、電極(A)119aと重なる第2の濃度のp型不純物元素を含むp型不純物領域136を有している。
【0071】
画素部206のTFT(画素TFT)203にはチャネル形成領域152、該チャネル形成領域の外側に形成される第1の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域124と、ソース領域またはドレイン領域として機能する第3の濃度のn型不純物元素を含むn型不純物領域132を有している。また、保持容量204の一方の電極として機能する半導体層106にはp型不純物領域137、138が形成されている。
【0072】
以上のように、本発明は駆動回路部と画素部というように動作条件の異なる回路に対応して適宣配置を決めることができる。
【0073】
図5はアクティブマトリクス基板の回路構成の一例を示す回路ブロックである。TFTを組み込まれて形成される画素部601、データ信号線駆動回路602、走査信号線駆動回路606が形成されている。
【0074】
データ信号線駆動回路602は、シフトレジスタ603、ラッチ604、605、その他バッファ回路などから構成される。シフトレジスタ603にはクロック信号、スタート信号が入力し、ラッチにはデジタルデータ信号やラッチ信号が入力する。また、走査信号線駆動回路606もシフトレジスタ、バッファ回路などから構成されている。画素部601の画素数は任意なものとするが、XGAならば1024×768個の画素が設けられる。
【0075】
このようなアクティブマトリクス基板を用いて、アクティブマトリクス駆動をする表示装置を形成することができる。本実施例では画素電極を光反射性の材料で形成したため、液晶表示装置に適用すれば反射型の表示装置を形成することができる。このような基板から液晶表示装置や有機発光素子で画素部を形成する発光装置を形成することができる。こうして反射型の表示装置に対応したアクティブマトリクス基板を作製することができる。
【0076】
(実施例2)
本実施例では、実施例1を用いて作製したアクティブマトリクス基板から、アクティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を説明する。
【0077】
まず、実施例1に従い、図4(C)の状態のアクティブマトリクス基板を作製した後、アクティブマトリクス基板上に配向膜180を形成してラビング処理を行う。
【0078】
次いで、対向基板181を用意し、対向基板180上に着色層182、183、平坦化膜184を形成する。赤色着色層182と青色着色層183とを一部重ねることにより、遮光膜として機能させている。なお、図6では図示しないが、赤色着色層と緑色着色層とを重ねて遮光膜として機能させている領域もある。
【0079】
次いで、対向電極185を画素部に形成した後、全面に配向膜186を形成してラビング処理を行う。
【0080】
そして、画素部と駆動回路とが形成されたアクティブマトリクス基板と着色層と画素電極とが形成された対向基板とをシール材187で貼り合わせる。シール材187には、フィラーが混入されていて、このフィラーと柱状スペーサとによって均一な間隔をもって2枚の基板を貼り合わせることができる。その後、貼り合わせた基板間に液晶材料188を注入して、封止材(図示せず)によって完全に封止する。液晶材料188には、公知の液晶材料を用いればよい。このようにして図6に示すアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
【0081】
(実施例3)
本実施例では、非晶質半導体膜に触媒元素を添加する方法について図10で説明する。
【0082】
まず、基板2000上に窒化酸化シリコン膜でなる下地絶縁膜2001、該下地絶縁膜2001上に非晶質シリコン膜2002を形成する。この工程は、大気解放せずに下地絶縁膜および非晶質シリコン膜を連続的に形成してもかまわない。なお、下地絶縁膜2001として、1〜10nmの窒化シリコン膜を用いてもよい。
【0083】
次いで、非晶質シリコン膜2002に希ガス元素(本実施例では、アルゴン)を添加する。アルゴンの添加方法としては、イオン注入法、またはイオンドープ法を用いればよい。なお、希ガス元素を含む原料ガスを用いて、スパッタ法またはPCVD法により、あらかじめ1×1018〜1×1022/cm3の濃度で希ガス元素を含む非晶質シリコン膜を成膜してもよい。
【0084】
次に、重量換算で1〜100ppmの触媒元素(本実施例ではニッケル)を含む水溶液(酢酸ニッケル水溶液)をスピンコート法で塗布して、触媒元素含有層2003を非晶質シリコン膜の全面に形成する。ここで、触媒元素として使用可能な触媒元素は、Fe、Co、Ni、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Sn、Sbから選ばれた一種または複数の元素である。
【0085】
なお、スピンコート法でニッケルを添加する場合、ニッケルを含む水溶液と非晶質シリコン膜の馴染みをよくするために、非晶質シリコン膜の表面処理として、オゾン含有水溶液で処理して極薄い酸化膜を形成しておく。シリコンなど、半導体膜の表面は疎水性であるため、このように酸化膜を形成しておくことにより酢酸ニッケル水溶液を均一に塗布することができる。また、本実施例ではスピンコート法でニッケルを添加する方法を用いているが、蒸着法、スパッタ法またはプラズマ処理などにより触媒元素を含む薄膜を非晶質シリコン膜表面に形成する手段を用いてもよい。
【0086】
結晶化の工程に先立ち、400〜500℃で1時間程度の加熱処理を行い、非晶質シリコン膜中に含まれる水素を脱離させる。なお、スパッタ法により形成された非晶質半導体膜は、水素含有率が低いため、水素脱離の処理を行う必要はない。続いて、500〜650℃、5分〜12時間の加熱処理を行う。本実施例では、610℃に加熱した不活性気体(窒素)を用いて5分間の加熱処理を行い、結晶核を生成させる。
【0087】
次いで、結晶核が生成したシリコン膜2004にレーザ光を照射して結晶核から結晶を成長させて結晶質シリコン膜2005を形成する。
【0088】
なお、結晶質シリコン膜2005の素子を形成する領域の触媒元素の濃度を低減させるために、ゲッタリング領域を形成して加熱処理を行う。
【0089】
結晶質シリコン膜2005上に開口部2007を有するマスク絶縁膜2006を形成し、触媒元素をゲッタリングする作用を有する不純物元素(例えば、n型不純物元素のリン、希ガス元素のアルゴン、またはリンおよびアルゴン)を添加してゲッタリング領域2008を形成する。
【0090】
その後、加熱処理を施すことにより、触媒元素をゲッタリング領域に移動させ、素子領域となる結晶質半導体膜の領域の触媒元素濃度を低減することができる。
【0091】
本実施例は、実施例1と組み合わせて適応することが可能である。
【0092】
(実施例4)
本実施例では、非晶質半導体膜に触媒元素を添加する方法について図11で説明する。
【0093】
基板2100上に窒化酸化シリコン膜からなる下地絶縁膜2101、該下地絶縁膜2101上に非晶質シリコン膜2102を形成する。なお、この工程は大気解放せずに下地絶縁膜および非晶質シリコン膜を連続的に形成してもかまわない。なお、下地絶縁膜2101として、1〜10nmの窒化シリコン膜を用いてもよい。
【0094】
次いで、非晶質シリコン膜2102に希ガス元素としてアルゴンを添加する。
アルゴンの添加方法としては、イオン注入法、またはイオンドープ法を用いればよい。なお、希ガス元素を含む原料ガスを用いて、スパッタ法またはPCVD法により、あらかじめ1×1018〜1×1022/cm3の濃度で希ガス元素を含む非晶質シリコン膜を成膜してもよい。
【0095】
次いで、非晶質シリコン膜2102上に開口部2104を有し酸化シリコン膜からなるマスク絶縁膜2103を形成する。
【0096】
次に、重量換算で1〜100ppmの触媒元素(本実施例ではニッケル)を含む水溶液(酢酸ニッケル水溶液)をスピンコート法で塗布して触媒元素(ニッケル)含有層2104を添加する。触媒元素含有層2104は、マスク絶縁膜2103の開口部において、選択的に非晶質シリコン膜2102に形成される。ここで、触媒元素として使用可能な触媒元素は、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Sn、Sbから選ばれた一種または複数の元素である。
【0097】
また、本実施例では触媒元素の添加方法にスピンコート法を用いたが、蒸着法やスパッタ法により非晶質シリコン膜2102に触媒元素を含む薄膜を形成してもよい。
【0098】
ここで、結晶化の工程に先立ち、400〜500℃で1時間程度の加熱処理を行い、非晶質シリコン膜中に含まれる水素を脱離させる。なお、非晶質シリコン膜をスパッタ法により形成した場合、非晶質シリコン膜中に含まれる水素の濃度は低くすることができるため、水素脱離処理を行う必要はない。続いて、500〜650℃、5分〜12時間の加熱処理を行う。本実施例では、610℃に加熱した不活性気体(窒素)を用いて5分間の加熱処理を行い、結晶核を生成させる。
【0099】
次いで、結晶核が生成したシリコン膜2106にレーザ光を照射して結晶核から結晶を成長させて結晶質シリコン膜2107を形成する。
【0100】
なお、結晶質シリコン膜2107の素子を形成する領域の触媒元素の濃度を低減させるために、ゲッタリング領域を形成して加熱処理を行う。
【0101】
触媒元素を添加する際に用いたマスク絶縁膜2103を除去せず、触媒元素をゲッタリングする作用を有する不純物元素(例えば、n型不純物元素のリン、希ガス元素のアルゴン、またはリンおよびアルゴン)を添加してゲッタリング領域2108を形成する。
【0102】
その後、加熱処理を施すことにより、触媒元素をゲッタリング領域に移動させ、素子領域となる結晶質半導体膜の領域の触媒元素濃度を低減することができる。
【0103】
本実施例は、実施例1と組み合わせて適応することが可能である。
【0104】
(実施例5)
本実施例では、実施例3または実施例4で触媒元素を用いて形成された結晶質シリコン膜の素子が形成される領域に残留する触媒元素の濃度を低減するためのゲッタリングの他の方法について図12で説明する。
【0105】
実施例5または実施例6に従って基板上に形成された結晶質シリコン膜2201表面に薄いバリア層2202を形成する。バリア層の厚さは特に限定されないが、簡便にはオゾン水で処理されることにより形成されるケミカルオキサイドで代用してもよい。また、硫酸、塩酸、硝酸などと過酸化水素水を混合させた水溶液で処理しても同様にケミカルオキサイドを形成することができる。他の方法としては、酸化雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中での紫外線照射によりオゾンを発生させて酸化処理を行ってもよい。また、クリーンオーブンを用いて、200〜350℃程度に加熱処理し、薄い酸化膜を形成しバリア層としてもよい。あるいは、プラズマCVD法やスパッタ法、蒸着法などで1〜5nm程度の酸化膜を堆積させてバリア層としてもよい。
【0106】
その上にプラズマCVD法やスパッタ法で半導体膜2203を25〜250nmの暑さで形成する。代表的にはアルゴンを用いたスパッタ法でアルゴンを0.01〜20原子%含む非晶質シリコン膜を形成する。この半導体膜2203は、後に除去するため、結晶質半導体膜2201とエッチングの選択比が高くなるように密度の低い膜(例えば、非晶質シリコン膜)としておくことが望ましい。
【0107】
希ガス元素としては、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)から選ばれた一種または複数種を用いる。本発明はゲッタリング領域を形成するためにこれら希ガス元素をイオンソースとして用い、イオンドープ法またはイオン注入法で半導体膜に注入している。
【0108】
なお、希ガス元素を添加する理由として、現在は以下のふたつの理由が考えられている。一つ目の理由は、希ガス元素の注入により、ダングリングボンドを形成し、半導体(シリコン)膜に歪みを与えることである。二つ目の理由は、半導体(シリコン)膜の格子間に希ガス元素のイオンを注入することで歪みを与えることである。希ガス元素のイオン注入は、このふたつを同時に満たすことができるが、特に後者はアルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)、キセノン(Xe)などシリコンより原子半径の大きな元素を用いたときに顕著である。
【0109】
次いで、触媒元素をゲッタリング領域となる半導体膜2203に移動させるための加熱処理を行う。加熱処理は、炉を用いた方法(窒素雰囲気中にて450〜600℃で0.5〜12時間)や、加熱用の光源を用いたRTA法(瞬間的にシリコン膜に600〜1000℃で、1〜60秒)、加熱した不活性気体によるRTA法(550〜700℃で、1〜5分)などいずれかの方法を用いればよい。
この加熱処理により、触媒元素が核酸によりゲッタリング領域に移動する。
【0110】
なお、ゲッタリングのための加熱処理によりゲッタリング領域であるシリコン膜2203が結晶化することはない。これは希ガス元素が、加熱処理において再放出されず膜中に残留して、半導体膜2203の結晶化を阻害するためである。
【0111】
その後、半導体膜2203を選択的にエッチングして除去する。エッチングの方法としては、ClF3によるプラズマを用いないドライエッチング、或いはヒドラジンや、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド(化学式 (CH3)4NOH)を含む水溶液などアルカリ溶液によるウエットエッチングで行うことができる。この時バリア層2202はエッチングストッパーとして機能する。また、バリア層2202はその後フッ酸により除去すれば良い。
【0112】
こうして図12(E)に示すように触媒元素の濃度が1×1017/cm3以下にまで減じられた結晶質半導体膜2205を得ることができる。こうして形成された結晶質半導体膜2205は、触媒元素の作用により細い棒状又は細い扁平棒状結晶として形成され、その各々の結晶は巨視的に見ればある特定の方向性をもって成長している。また、結晶核の発生が抑制されているため、結晶粒が大きく結晶粒界の少ない良好な結晶質半導体膜を得ることができる。本実施例は、実施例3または実施例4で示す結晶化方法のいずれかと組み合わせて実施例1に適用することができる。
【0113】
(実施例6)
本実施例では、実施例3または実施例4を用いて得られた結晶質半導体膜に残留する触媒元素の濃度を低減するためのゲッタリング処理工程の他の例を図13に示す。
【0114】
結晶質シリコン膜2300上にマスク用の酸化シリコン膜2301を150nm形成し、レジストのマスク2302を形成した後、酸化シリコン膜2301をエッチングすることにより、マスク絶縁膜2303を得る。その後、希ガス元素、希ガス元素およびリン、またはリンのみをイオンドープ法により結晶質半導体膜2300のマスク絶縁膜2303の開口部より露出した領域に注入し、ゲッタリング領域2304を形成する。
【0115】
その後、図13(B)で示すように、加熱処理により結晶質半導体膜2300中に残留する触媒元素をゲッタリング領域2304に移動させる。なお、加熱処理の手段としては、炉を用いる方法、光源の輻射による熱を加熱に用いるRTA法、加熱した不活性気体によるRTA法、などいずれを用いてもよく、450〜600℃で5分〜12時間の加熱処理を行って、触媒元素濃度が低減された結晶質半導体膜2305を得る。
【0116】
その後、マスク絶縁膜2303を除去する。なお、ゲッタリング領域2304も同一除去工程において除去してもよい。また、ゲッタリング領域2304に導電型を付与する不純物元素(n型不純物元素、p型不純物元素)が添加されている場合には、ゲッタリング領域2304を除去せずに、TFTのソース領域またはドレイン領域として用いてもよい。
【0117】
実施例3または実施例4に記載された結晶化方法と本実施例に記載されたゲッタリング方法を組み合わせて実施例1に適応することにより、触媒元素濃度が低減され、結晶成長方向が揃った良好な結晶質半導体膜を形成することができる。
【0118】
(実施例7)
本実施例では、本発明を用いて発光装置を作製した例について説明する。本明細書において、発光装置とは、基板上に形成された発光素子を該基板とカバー材の間に封入した表示用パネルおよび該表示用パネルにICを実装した表示用モジュールを総称したものである。なお、発光素子は、電場を加えることで発生するルミネッセンス(Electro Luminescence)が得られる有機化合物を含む層(有機発光層)と陽極層と、陰極層とを有する。また、有機化合物におけるルミネッセンスには、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(蛍光)と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光(リン光)があり、これらのうちどちらか、あるいは両方の発光を含む。
【0119】
なお、本明細書中では、発光素子において陽極と陰極の間に形成された全ての層を有機発光層と定義する。有機発光層には具体的に、発光層、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等が含まれる。基本的に発光素子は、陽極層、発光層、陰極層が順に積層された構造を有しており、この構造に加えて、陽極層、正孔注入層、発光層、陰極層や、陽極層、正孔注入層、発光層、電子輸送層、陰極層等の順に積層した構造を有していることもある。
【0120】
図14は本実施例の発光装置の断面図である。図14において、基板上に設けられたスイッチングTFT603は図4(C)のnチャネル型TFT203を用いて形成される。したがって、構造の説明はnチャネル型TFT203の説明を参照すれば良い。
【0121】
なお、本実施例ではチャネル形成領域が二つ形成されるダブルゲート構造としているが、チャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。
【0122】
基板700上に設けられた駆動回路は図4(C)の駆動回路を用いて形成される。従って、nチャネル型TFT601およびpチャネル型TFT602の構造の説明はnチャネル型TFT201とpチャネル型TFT202の説明を参照すれば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【0123】
また、配線701〜704はCMOS回路の配線として機能する。
【0124】
なお、電流制御TFT604は図4(C)のpチャネル型TFT202を用いて形成される。従って、構造の説明はpチャネル型TFT202の説明を参照すれば良い。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【0125】
また、配線708は電流制御TFTのソース配線(電流供給線に相当する)であり、707は電流制御TFTの画素電極710上に重ねることで画素電極710と電気的に接続する電極である。
【0126】
なお、画素電極710は、透明導電膜からなる画素電極(発光素子の陽極)である。透明導電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化スズまたは酸化インジウムを用いることができる。また、前記透明導電膜にガリウムを導入したものを用いても良い。画素電極710は、上記配線を形成する前に平坦な層間絶縁膜709上に形成する。本実施例においては、樹脂からなる平坦化膜709を用いてTFTによる段差を平坦化することは非常に重要である。後に形成される有機発光層は非常に薄いため、段差が存在することによって発光不良を起こす場合がある。従って、有機発光層をできるだけ平坦面に形成しうるように画素電極を形成する前に平坦化しておくことが望ましい。
【0127】
配線701〜708を形成後、図14に示すようにバンク711を形成する。
バンク711は100〜400nmの絶縁膜もしくは有機樹脂膜をパターニングして形成すれば良い。
【0128】
なお、バンク711は絶縁膜であるため、成膜時における素子の静電破壊には注意が必要である。本実施例ではバンク711の材料となる絶縁膜中にカーボン粒子や金属粒子を導入して抵抗率を下げ、静電気の発生を抑制する。この際、抵抗率は1×106〜1×1012Ωm(好ましくは1×108〜1×1010Ωm)となるようにカーボン粒子や金属粒子の導入量を調節すれば良い。
【0129】
画素電極710の上には有機発光層712が形成される。なお、図14では一画素しか図示していないが、本実施例ではR(赤)、G(緑)、B(青)の各色に対応した発光層を作り分けている。また、本実施例では蒸着法により低分子系有機発光材料を形成している。具体的には、正孔注入層として20nm厚の銅フタロシアニン(CuPc)膜を設け、その上に発光層として70nm厚のトリス−8−キノリノラトアルミニウム錯体(Alq3)膜を設けた積層構造としている。Alq3にキナクリドン、ペリレンもしくはDCM1といった蛍光色素を導入することで発光色を制御することができる。
【0130】
但し、以上の例は発光層として用いることのできる有機発光材料の一例であって、これに限定する必要はまったくない。発光層、電荷輸送層または電荷注入層を自由に組み合わせて有機発光層(発光及びそのためのキャリアの移動を行わせるための層)を形成すれば良い。例えば、本実施例では低分子系有機発光材料を発光層として用いる例を示したが、中分子系有機発光材料や高分子系有機発光材料を用いても良い。なお、本明細書中において、昇華性を有さず、かつ、分子数が20以下または連鎖する分子の長さが10μm以下の有機発光材料を中分子系有機発光材料とする。また、高分子系有機発光材料を用いる例として、正孔注入層として20nmのポリチオフェン(PEDOT)膜をスピン塗布法により設け、その上に発光層として100nm程度のパラフェニレンビニレン(PPV)膜を設けた積層構造としても良い。なお、PPVのπ共役系高分子を用いると、赤色から青色まで発光波長を選択できる。また、電荷輸送層や電荷注入層として炭化珪素等の無機材料を用いることも可能である。これらの有機発光材料や無機材料は公知の材料を用いることができる。
【0131】
次に、有機発光層712の上には導電膜からなる陰極713が設けられる。本実施例の場合、導電膜としてアルミニウムとリチウムとの合金膜を用いる。勿論、公知のMgAg膜(マグネシウムと銀との合金膜)を用いても良い。陰極材料としては、周期表の1族もしくは2族に属する元素からなる導電膜もしくはそれらの元素を導入した導電膜を用いれば良い。
【0132】
この陰極713まで形成された時点で発光素子714が完成する。発光素子714は、画素電極(陽極)710、有機発光層712及び陰極713からなる。
【0133】
発光素子714を完全に覆うようにしてパッシベーション膜715を設けることは有効である。パッシベーション膜715としては、炭素膜、窒化珪素膜もしくは窒化酸化珪素膜を含む絶縁膜からなり、該絶縁膜を単層もしくは組み合わせた積層で用いる。
【0134】
この際、カバレッジの良い膜をパッシベーション膜として用いることが好ましく、炭素膜、特にDLC(ダイヤモンドライクカーボン)膜を用いることは有効である。DLC膜は室温から100℃以下の温度範囲で成膜可能であるため、耐熱性の低い有機発光層712の上方にも容易に成膜することができる。また、DLC膜は酸素に対するブロッキング効果が高く、有機発光層712の酸化を抑制することが可能である。そのため、この後に続く封止工程を行う間に有機発光層712が酸化するといった問題を防止できる。
【0135】
さらに、パッシベーション膜715上に封止材716を設け、カバー材717を貼り合わせる。封止材716としては紫外線硬化樹脂を用いれば良く、内部に吸湿効果を有する物質もしくは酸化防止効果を有する物質を設けることは有効である。また、本実施例においてカバー材717はガラス基板や合成石英ガラス基板やプラスチック基板(プラスチックフィルムも含む)の両面に炭素膜(好ましくはダイヤモンドライクカーボン膜)を形成したものを用いる。
【0136】
こうして図14に示すような構造の発光装置が完成する。なお、バンク711を形成した後、パッシベーション膜715を形成するまでの工程をマルチチャンバー方式(またはインライン方式)の成膜装置を用いて、大気解放せずに連続的に処理することは有効である。また、さらに発展させてカバー材717を貼り合わせる工程までを大気解放せずに連続的に処理することも可能である。
【0137】
こうして、基板にnチャネル型TFT601、602、スイッチングTFT(nチャネル型TFT)603および電流制御TFT(nチャネル型TFT)604が形成される。ここまでの製造工程で必要としたマスク数は、一般的なアクティブマトリクス型発光装置よりも少ない。
【0138】
即ち、TFTの製造工程が大幅に簡略化されており、歩留まりの向上および製造コストの低減が実現できる。
【0139】
さらに、図14を用いて説明したように、ゲート電極に絶縁膜を介して重なる不純物領域を設けることによりホットキャリア効果に起因する劣化に強いnチャネル型TFTを形成することができる。そのため、信頼性の高い発光装置を実現できる。
【0140】
また、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示しているが、本実施例の製造工程に従えば、その他にも信号分割回路、D/Aコンバータ、オペアンプ、γ補正回路などの論理回路を同一の絶縁体上に形成可能であり、さらにはメモリやマイクロプロセッサをも形成しうる。
【0141】
さらに、発光素子を保護するための封止(または封入)工程まで行った後の本実施例の発光装置について図15を用いて説明する。なお、必要に応じて図14で用いた符号を引用する。
【0142】
図15(A)は、発光素子の封止までを行った状態を示す上面図、図15(B)は図15(A)をC−C’で切断した断面図である。点線で示された801はソース側駆動回路、806は画素部、807はゲート側駆動回路である。また、901はカバー材、902は第1シール材、903は第2シール材であり、第1シール材902で囲まれた内側には封止材907が設けられる。
【0143】
なお、904はソース側駆動回路801及びゲート側駆動回路807に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキシブルプリントサーキット)905からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではFPCしか図示されていないが、このFPCにはプリント配線基盤(PWB)が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにFPCもしくはPWBが取り付けられた状態をも含むものとする。
【0144】
次に、断面構造について図15(B)を用いて説明する。基板700の上方には画素部806、ゲート側駆動回路807が形成されており、画素部806は電流制御TFT604とそのドレインに電気的に接続された画素電極711を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路807はnチャネル型TFT201とpチャネル型TFT202とを組み合わせたCMOS回路(図14参照)を用いて形成される。
【0145】
画素電極710は発光素子の陽極として機能する。また、画素電極710の両端にはバンク711が形成され、画素電極710上には有機発光層712および発光素子の陰極713が形成される。
【0146】
陰極713は全画素に共通の配線としても機能し、接続配線904を経由してFPC905に電気的に接続されている。さらに、画素部806及びゲート側駆動回路807に含まれる素子は全て陰極713およびパッシベーション膜715で覆われている。
【0147】
また、第1シール材902によりカバー材901が貼り合わされている。なお、カバー材901と発光素子との間隔を確保するために樹脂膜からなるスペーサを設けても良い。そして、第1シール材902の内側には封止材716が充填されている。なお、第1シール材902、封止材716としてはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、第1シール材902はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。さらに、封止材716の内部に吸湿効果をもつ物質や酸化防止効果をもつ物質を含有させても良い。
【0148】
発光素子を覆うようにして設けられた封止材716はカバー材901を接着するための接着剤としても機能する。また、本実施例ではカバー材901を構成するプラスチック基板901aの材料としてFRP(Fiberglass-Reinforced Plastics)、PVF(ポリビニルフロライド)、マイラー、ポリエステルまたはアクリルを用いることができる。
【0149】
また、封止材716を用いてカバー材901を接着した後、封止材907の側面(露呈面)を覆うように第2シール材903を設ける。第2シール材903は第1シール材902と同じ材料を用いることができる。
【0150】
以上のような構造で発光素子を封止材716に封入することにより、発光素子を外部から完全に遮断することができ、外部から水分や酸素等の有機発光層の酸化による劣化を促す物質が侵入することを防ぐことができる。従って、信頼性の高い発光装置が得られる。
【0151】
以上のようにして作製される発光装置における配線は、半導体膜との十分な接触がなされており、前記発光装置の動作特性や信頼性も十分なものとなり得る。
また、画素部においては、コンタクトの数を最小限に留めてあるので、開口率が向上させることを可能とする。このように、発光装置の動作特性や信頼性を向上させ、高精細な表示を実現することが可能となる。そして、このような発光装置は各種電気器具の表示部として用いることができる。
【0152】
なお、本実施例は実施例1〜6を組み合わせて用いて作製することが可能である。
【0153】
(実施例8)
本発明を実施して形成されたCMOS回路や画素部はアクティブマトリクス型液晶ディスプレイ(液晶表示装置)に用いることができる。即ち、それら液晶表示装置を表示部に組み込んだ電気器具全てに本発明を実施できる。
【0154】
その様な電気器具としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター(リア型またはフロント型)、ヘッドマウントディスプレイ(ゴーグル型ディスプレイ)、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等)などが挙げられる。それらの一例を図16、図17及び図18に示す。
【0155】
図16(A)はパーソナルコンピュータであり、本体3001、画像入力部3002、表示部3003、キーボード3004等を含む。
【0156】
図16(B)はビデオカメラであり、本体3101、表示部3102、音声入力部3103、操作スイッチ3104、バッテリー3105、受像部3106等を含む。
【0157】
図16(C)はモバイルコンピュータ(モービルコンピュータ)であり、本体3201、カメラ部3202、受像部3203、操作スイッチ3204、表示部3205等を含む。
【0158】
図16(D)はゴーグル型ディスプレイであり、本体3301、表示部3302、アーム部3303等を含む。
【0159】
図16(E)はプログラムを記録した記録媒体(以下、記録媒体と呼ぶ)を用いるプレーヤーであり、本体3401、表示部3402、スピーカ部3403、記録媒体3404、操作スイッチ3405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Digtial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うことができる。
【0160】
図16(F)はデジタルカメラであり、本体3501、表示部3502、接眼部3503、操作スイッチ3504、受像部(図示しない)等を含む。
【0161】
図17(A)はフロント型プロジェクターであり、投射装置3601、スクリーン3602等を含む。
【0162】
図17(B)はリア型プロジェクターであり、本体3701、投射装置3702、ミラー3703、スクリーン3704等を含む。
【0163】
なお、図17(C)は、図17(A)及び図17(B)中における投射装置3601、3702の構造の一例を示した図である。投射装置3601、3702は、光源光学系3801、ミラー3802、3804〜3806、ダイクロイックミラー3803、プリズム3807、液晶表示装置3808、位相差板3809、投射光学系3810で構成される。投射光学系3810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図17(C)中において矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
【0164】
また、図17(D)は、図17(C)中における光源光学系3801の構造の一例を示した図である。本実施例では、光源光学系3801は、リフレクター3811、光源3812、レンズアレイ3813、3814、偏光変換素子3815、集光レンズ3816で構成される。なお、図17(D)に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
【0165】
ただし、図17に示したプロジェクターにおいては、透過型の電気光学装置を用いた場合を示しており、反射型の液晶表示装置の適用例は図示していない。
【0166】
図18(A)は携帯電話であり、4001は表示用パネル、4002は操作用パネルである。表示用パネル4001と操作用パネル4002とは接続部4003において接続されている。接続部4003における、表示用パネル4001の表示部4004が設けられている面と操作用パネル4002の操作キー4006が設けられている面との角度θは、任意に変えることができる。
さらに、音声出力部4005、操作キー4006、電源スイッチ4007、音声入力部4008を有している。
【0167】
図18(B)は携帯書籍(電子書籍)であり、本体4101、表示部4102、4103、記憶媒体4104、操作スイッチ4105、アンテナ4106等を含む。
【0168】
図18(C)はディスプレイであり、本体4201、支持台4202、表示部4203等を含む。本発明のディスプレイは特に大画面化した場合において有利であり、対角10インチ以上(特に30インチ以上)のディスプレイには有利である。
【0169】
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電気器具に適用することが可能である。また、本実施例の電気器具は実施例1〜7のいずれかを組み合わせて形成された液晶表示装置を適応することが可能である。
【0170】
【発明の効果】
本発明のように、非晶質半導体膜に触媒元素および希ガス元素を添加して加熱処理を行うことにより、結晶核の発生を抑制し結晶核の発生密度を低くすることができるため、触媒元素の作用により配向がそろい、希ガス元素の作用により粒径の大きな結晶粒が集まった良好な結晶質半導体膜を得ることができる。
【0171】
さらに、結晶化の加熱処理を行った後、レーザ光を照射して結晶質半導体膜中に残存した非晶質領域をなくし、結晶粒径が大きく、結晶化率の高い結晶質半導体膜を得ることができる。
【0172】
また、結晶質半導体膜に残留する触媒元素をゲッタリング領域に移動させて、素子領域となる領域の触媒元素濃度を低減しているため、このような結晶質半導体膜を用いて作製されたTFTは、高い電界効果移動度や低いオフ電流等、動作特性が高く、信頼性の高いTFTを実現することができる。さらにこのTFTを駆動回路やスイッチング素子に用いることにより、優れた表示能を有する半導体装置(液晶表示装置)を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態を示す図。
【図2】 本発明を用いてTFTを作製する工程を示す図。
【図3】 本発明を用いてTFTを作製する工程を示す図。
【図4】 本発明を用いてTFTを作製する工程を示す図。
【図5】 本発明の実施の一例を示す図。
【図6】 本発明の実施の一例を示す図。
【図7】 本発明を用いて形成された結晶質シリコン膜をEBSPにより観察した結果を示す図。
【図8】 従来技術を用いて形成された結晶質シリコン膜をEBSPにより観察した結果を示す図。
【図9】 (A)結晶核の発生密度と加熱処理温度との関係を示す図(B)結晶化率と加熱処理温度との関係を示す図
【図10】 発明の実施の一例を示す図。
【図11】 発明の実施の一例を示す図。
【図12】 発明の実施の一例を示す図。
【図13】 発明の実施の一例を示す図。
【図14】 発光装置の一例を示す図。
【図15】 発光装置の一例を示す図。
【図16】 電気器具の一例を示す図。
【図17】 電気器具の一例を示す図。
【図18】 電気器具の一例を示す図。
【図19】 結晶核が発生した様子を観察した結果を示す図。
Claims (5)
- 絶縁表面上にプラズマCVD法により希ガス元素を含む成膜ガスを用いて希ガス元素を含む非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、
前記触媒元素が添加された前記非晶質半導体膜を結晶化して、結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に選択的にゲッタリング領域を形成し、
加熱処理により、前記結晶質半導体膜中の前記触媒元素を前記ゲッタリング領域に移動させる半導体装置の作製方法であって、
前記非晶質半導体膜に含まれる前記希ガス元素の濃度は1×10 18 以上1×10 22 /cm 3 であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記半導体膜はシリコン、前記希ガス元素はアルゴン、前記触媒元素はニッケルであることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記結晶化は、加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記結晶質半導体膜形成後であって、前記ゲッタリング領域形成前に、前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記触媒元素を移動させたのち、前記ゲッタリング領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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