KR970067633A - 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 기판상의 층간 절연막을 선택 식각하여 소정 부위의 반도체 기판이 노출되는 접촉창을 형성하고 상기 접촉창에 텅스텐을 형성하는 단계; 상기 텅스텐을 형성하는 단계; 상기 텅스텐 형성시 잔류하게 되는 불소가스를 제거하기 위해 불소가스의 반응을 매개체 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 금속 배선의 열악한 층 덮힘을 보안하기 위한 텅스텐 증착시 실리콘 표면에 잔류하여 텅스텐과 실리콘과의 결합형성을 방해하는 불소가스를 고온의 사일렌 가스와 반응시켜 제거함으로써, 텅스텐과 실리콘과의 점착력을 강화시키고, 콘택 저항을 감소시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속배선 형성 공정 단면도.
Claims (3)
- 금속배선 형성방법에 있어서; 반도체 기판상의 층간 절연막을 선택 식각하여 소정 부위의 반도체 기판이 노출되는 접촉창을 형성하고 상기 접촉창에 텅스텐을 형성하는 단계; 상기 텅스텐을 형성하는 단계; 상기 텅스텐 형성기 잔류하게 되는 불소가스를 제거하기 위해 불소가스의 반응을 매개체 분위기에서 열처리하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 반응 매개체는 사일렌(SiH4) 가스인 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리는 500℃ 내지 600℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960005728A KR970067633A (ko) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960005728A KR970067633A (ko) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970067633A true KR970067633A (ko) | 1997-10-13 |
Family
ID=66221867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960005728A KR970067633A (ko) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970067633A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100620188B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2006-09-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 본딩패드 형성 방법 |
-
1996
- 1996-03-05 KR KR1019960005728A patent/KR970067633A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100620188B1 (ko) * | 2002-12-30 | 2006-09-01 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 본딩패드 형성 방법 |
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