KR980005836A - 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법을 제공하는 것으로, 제2층간 절연막을 형성한 후 다단계의 세정 공정으로 불순물을 제거하므로써 후속공정의 캐패시터 형성시 결함을 없앨 수 있고, 또한 트랜지스터 및 캐패시터간 절연특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 2c도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법에 있어서, 필드산화막과 게이트 전극 및 접합영역이 형성된 실리콘기판의 전체 상부면에 제1층간 절연막을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제1층간 절연막상에 제2층간 절연막을형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제2층간 절연막 내에 함유된 불순물을 표출시키기 위하여 열처리 공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 제2층간 절연막의 표면에 표출된 불순물 중 유기물 및 파티클을 제거하기 위하여 제1 세정공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 사익 제2층간 절연막의 표면에 표출된 불순물 중 제거되지 않는 불순물을 제거하기 위하여 제2 세정공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2층간 절연막은 4,000 내지 6,000Å의 두께로 증착된 BPSG막 및 1,000 내지 2,500Å의 두께로 증착된 TEOS막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 BPSG막은 850 내지 950℃의 온도 및 질소 가스 분위기하에서 15 내지 25분동안 플로우공정을 실시하여 평탄화 시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리 공정은 450 내지 550℃의 온도조건에서 30 내지 60분간 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 세정공정은 H2SO4및 H2O2를 함유한 피란하 용액을 이용하여 실시하고, 상기 제2 세정공정은 NH4OH : H2O2: H2O가 1:3 내지 5:15 내지 25의 비율로 혼합된 용액을 이용하여 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024987A KR980005836A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960024987A KR980005836A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005836A true KR980005836A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66241308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960024987A KR980005836A (ko) | 1996-06-28 | 1996-06-28 | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005836A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485186B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-08-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의평탄화막형성방법 |
-
1996
- 1996-06-28 KR KR1019960024987A patent/KR980005836A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100485186B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-08-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의평탄화막형성방법 |
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