KR970063565A - 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 층간 절연막 형성 방법은 반도체 기판상에 절연 물질층을 형성하는 단계와, 제1 온도로 유지되는 반응 튜브 내에서 산소 가스를 분위기 가스로 하여 상기 절연 물질층을 1차 열처리하는 단계와, 상기 반응 튜브 내에서 산소 분위기를 유지하면서 상기 반응 튜브 내의 온도를 800℃ 이하의 제2온도로 상승시키는 단계와, 상기 제2 온도로 유지되는 반응 튜브내에서 스팀 분위기로 소정 시간 동안 상기 절연 물질층을 2차 열처리하는 단계와, 상기 제2온도로 유지되는 반응 튜브 내에서 질소 가스를 분위기 가스로 사용하여 소정 시간 동안 상기 절연 물질층을 3차 열처리하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 반도체 장치의 층간 절연막 형성을 위한 열처리시에 층간 절연막 표면에 형성된 석출형 입자를 제거할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 층간 절연막 형성 방법에 따른 열처리 조건을 나타낸 그래프이다.
Claims (5)
- 반도체 기판상에 절연 물질층을 형성하는 단계와, 제1온도로 유지되는 반응 튜브 내에서 산소 가스를 분위기 가스로 하여 상기 절연 물질층을 1차 열처리하는 단계와, 상기 반응 튜브 내에서 산소 분위기를 유지하면서 상기 반응 튜브 내의 온도를 800℃ 이하의 제2 온도로 상승시키는 단계와, 상기 제2 온도로 유지되는 반응 튜브 내에서 질소 가스를 분위기 가스로 사용하여 소정 시간 동안 상기 절연 물질층을 3차 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 중간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연 물질층은 BPSG막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 온도는 600~700℃인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 온도는 750~800℃인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 2차 열처리 단계는 20분 이내로 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960004065A KR970063565A (ko) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960004065A KR970063565A (ko) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970063565A true KR970063565A (ko) | 1997-09-12 |
Family
ID=66222305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960004065A KR970063565A (ko) | 1996-02-21 | 1996-02-21 | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970063565A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020027288A (ko) * | 2000-10-06 | 2002-04-13 | 가네꼬 히사시 | 절연막으로부터의 배선박리가 방지된 반도체장치 제조방법 |
| KR100399946B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유동성 절연막의 열처리 방법 |
-
1996
- 1996-02-21 KR KR1019960004065A patent/KR970063565A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020027288A (ko) * | 2000-10-06 | 2002-04-13 | 가네꼬 히사시 | 절연막으로부터의 배선박리가 방지된 반도체장치 제조방법 |
| KR100399946B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유동성 절연막의 열처리 방법 |
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