KR950025879A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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Abstract

F이 함유된 텅스텐 실리사이드막에서 F을 제거할 수 있는 반도체장치의 제조방법이 개시된다. 반도체 기판상의 임의의 하부구조상에 WF6가스를 텅스텐의 소스 가스로 사용하여 CVD방법에 의해 텅스텐 실리사이드층을 형성하고, 상기 결과물을 열처리하여 텅스텐 실리사이드층에 함유된 F를 텅스텐 실리사이드층이 자유표면으로 아웃디퓨젼시킨다. 여기서, 상기 열처리 단게는 고진공 비산화 분위기에서 수행되는 것이 바람직하며, 600℃-1100℃의 온도 범위에서 수행되는 것이 바람직하고, 분위기 가스로는 Ar과 같은 불활성 가스나 반응성이 적은 N2가스를 사용한다. 상기 텅스텐 실리사이드층의 형성단계 이후 상기 열처리 단계 전에, 텅스텐 실리사이드층의 표면에 형성되어 F의 아웃 디퓨젼을 방해하는 오염물질들을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다. 여기서 오염물질들의 제거 단계는 습식 또는 건식으로 수행될 수도 있고, 고진공(High Vacuum)에서 700℃-1000℃의 온도범위에서 열처리하여 수행될 수도 있으며 두 단계가 연속적으로 실시될 수도 있다. CVD방법에 의해 텅스텐 실리사이드막을 형성하고 그 표면의 오염물질들을 제거한 후, 열처리를 실시하여, 텅스텐 실리사이드막에 함유된 F을 텅스텐 실리사이드막의 자유표면으로 아웃디퓨전시켜 제저함으로써 후속공정에서의 F의 확산으로 인한 문제점들을 해결하여 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조방법의 일실시예를 나타내는 개략적인 단면도이다.

Claims (1)

  1. 반도체 기판상에 게이트 산화막을 형성하는 단계; 상기 게이트 산화막 상에 도핑된 폴리실리콘층을 형성하는 단계; 상기 폴리실리콘층 상에 CVD방법에 의하여 텅스텐 실리사이드층을 형성하는 단계; 상기 텅스텐 실리사이드층의 표면에 형성되어 F의 아웃 디퓨젼을 방해하는 오염물질들을 제거하는 단계; 및 상기 결과물을 열처리하여 상기 텅스텐 실리사이드층의 자유표면으로 아웃 디퓨전시키는 단계를 포함하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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