KR880011888A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

반도체장치의 제조방법 Download PDF

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타다시 마츠노
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아오이 죠이치
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Abstract

내용 없음

Description

반도체장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 반도체장치의 제조방법을 설명하기 위한 도면.

Claims (5)

  1. 전극취출입구에 접촉구멍을 형성시킨다음 열처리하는 반도체장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판(18)의 표면영역에 하나의 도전형인 불순물영역(20)을 형성시키는 공정과, 상기 반도체기판상 전면에 제1절연막(21) 및 불순물을 고농도로 함유하는 제2 절연막(22)을 순차형성시키는 공정, 상기 제1, 제2절연막을 제거하여 상기 불순물영역(20)상에 접촉구멍(24)을 형성시키는 공정, 상기 제2절연막(22) 및 접촉구멍(24)상 전면에 제3절연막(25)을 형성시키는 공정, 이방성에칭을 행하여 상기 제3절연막(25)을 제거하여 상기 접촉구멍(24)의 측벽부만을 남기는 공정 및, 열처리공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막(22)에 고농도로 함유되는 불순물은 인인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2절연막(22)에 고농도로 함유되는 불순물은 붕소 및 인인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2, 제3 절연막(22,25)은 각각 CVD.SiO2막 또는 CVD.Si3N4막인 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 열처리공정은 상기 제2절연막(22)에 함유되는 인의 농도가 이상인 1021㎝-3이상인때에는 800°C이상의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880003237A 1987-03-25 1988-03-25 반도체장치의 제조방법 KR920001032B1 (ko)

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