KR900001030A - 고전압용 반도체 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR900001030A
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김종오
김진형
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정몽헌
현대전자산업 주식회사
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched

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Abstract

내용 없음

Description

고전압용 반도체 소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 고전압용 반도체 소자의 구성 단면도.

Claims (3)

  1. N＋기판상에 N－에피텍셜 성장층을 성장시키고, 주접합부에 P＋확산처리를 하여 소정 깊이 만큼을 제외한 P＋확산영역상과, N－에피텍셜 성장층(4)상에 절연막인 유리를 형성한다음 전극을 형성하여 전극을 인출하도록 구성한 고압전용 반도체 소자에 있어서, 상기 N－에피텍셜 성장층에 P＋확산처리를 하기 전에, 반도체 에칭기술에 의하여 에칭홈을 형성시킨 다음에, P＋확산처리된 P＋확산영역을 형성시켜 상기 중접합부의 전체 깊이를 상기 에칭홈의 깊이 Xi만큼 더 깊에 형성시킨 것을 특징으로하는 고전압용 반도체 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자의 주접합부의 총 접합 깊이 Xl는 Xl=Xi＋Xj이며, 여기서 Xi는 에칭딘 홈의 깊이며, Xj는 P＋확산처리된 깊이인 것을 특징으로 하는 고전압용 반도체 소자.
  3. N＋기판상에 N－에피텍셜 성장층을 형성시키는 공정과, 주접합부에 P＋확산처리하는 공정과, P＋확산영역상과 N－에피텍셜 성장층상에 절연막인 유리를 형성하는 고정과, P＋확산영역의 중간영역과 상기 유리층상의 일부에 전극을 형성하는 공정으로 이루어진 고전압용 반도체 제조공정에 있어서, 상기 N－에피텍셜 성장층에 P＋확산처리 공정을 행하기전에, 에칭홈을 형성하기 위해 반도체 에칭처리하는 공정과, P＋확산영역을 형성하기 위해 P＋확산처리하여, 상기 P＋확산영역상과 N－에피텍셜 성장층상에 절연막 유리층을 형성하는 공정과, 상기 도핑된 절연막 유리층을 P＋확산영역에서 소정깊이만큼 에칭처리하여 제거하는 공정과, 상기 절연막 유리층의 양단 일부위와의 소정길이만큼 절연막 유리층이 제거된 P＋확산영역상에 전극을 형성하는 공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고전압용 반도체 제조공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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