KR910005424A - 높은 문턱전압을 갖는 필드 차폐 플레이트 및 그 형성방법 - Google Patents

높은 문턱전압을 갖는 필드 차폐 플레이트 및 그 형성방법 Download PDF

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KR910005424A
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    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
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Abstract

내용 없음.

Description

높은 문턱전압을 갖는 필드 차폐 플레이트 및 그 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2a 내지 2g 도는 본 발명에 의해 필드 차폐 플레이트를 형성하는과정을 나타낸 단면도.

Claims (3)

  1. 소자와 소자를 분리하기 위하여 기판 상부에 필드 차폐플레이트를 형성하고 측면 하부에 소오스 전극과 드레인 전극을 형성한후, PSG, BPSG 또는 산화막 등으로 필드 차폐 플레이트 주변에 절연층을 소정두께로 형성한 다음 소오스 전극과 드레인 전극 상부에 금속을 접속시키는 공정을 포함하는 반도체 제조방법에 있어서, P형 기판 상부에 산화막등으로된 절연층을 형성하고 이온주입으로 P+영역을 P형 기판에 소정 깊이로 형성하는 단계와, 상기 절연층 상부에 필드 차폐 플레이트용 N형 폴리 실리콘을 증착한다음, 그위에 질화막을 형성하는 단계와, 상기 질화막 상부에 포토레지스트를 도포하여 필드 차폐 플레이트가 형성될 부분만 다시 제거하여 마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 마스크 패턴을 따라 노출된 질화막을 제거한후, 불순물을 고농도로 이온주입하여 질화막이 제거된 영역의 P+형 영역내에 P++영역을 소정 깊이로 형성하는 단계와, 잔존하는 포토레지스트를 제거한다음 질화막이 제거된 부분의 폴리 실리콘 상부에 산화막 성장 공정에 의해 산화막을 성장하는 단계와, 잔존하는 질화막을 제거한 다음 성장된 산화막을 장벽층으로 한 상태에서 폴리 실리콘을 제거하여 필드 차폐 플레이트를 완성하는 단계와, 이온주입 공정에 의해 상기 필드 플레이트 주위의 P+영역내로 N형 소오스 전극 및 드레인 전극을 형성하고, 상기의 성장된 산화막과 기판 상부의 절연층을 제거한다음, 필드 차폐 플레이트 상부에 절연층을 형성하고, 소오스 전극과 드레인 전극 상부에 금속을 접속하는 단계로 이루어지는 높은 문턱전압을 갖는 필드 차폐 플레이트 형성방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 기판을 N형으로 선택하여 상기 P+영역 및 P++영역을 N+영역 및 N++영역으로 형성하며 상기 소오스 및 드레인 전극은 P형 소오스 및 드레인 전극으로 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 높은 문턱 전압을 갖는 필드 차폐 플레이트 형성방법.
  3. 제 1 항의 제조방법에 의해 제조된 높은 문턱전압을 갖는 필드 차폐 플레이트.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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