KR920008962A - 반도체소자의 문턱전압 안정화방법 - Google Patents
반도체소자의 문턱전압 안정화방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 공정을 나타낸 단면도.
Claims (1)
- 웨이퍼에 필드산화막을 형성하고 커패시턴스 산화막을 성장시킨 후 불순물이 주입된 다결정 실리콘을 증착하고 층간 산화막을 성장시켜 패터닝하는 공정에 있어서, 게이트 산화전에 배면식각 장비를 사용하여 커패시턴스 전극으로 사용되는 불순물이 주입된 다결정 실리콘중 웨이퍼 배면에 존재하는 다결정 실리콘을 제거함을 특징으로 하는 반도체 소자의 문턱전압 안정화방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900016197A KR920008962A (ko) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 반도체소자의 문턱전압 안정화방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900016197A KR920008962A (ko) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 반도체소자의 문턱전압 안정화방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920008962A true KR920008962A (ko) | 1992-05-28 |
Family
ID=67739193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900016197A KR920008962A (ko) | 1990-10-12 | 1990-10-12 | 반도체소자의 문턱전압 안정화방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920008962A (ko) |
-
1990
- 1990-10-12 KR KR1019900016197A patent/KR920008962A/ko not_active Application Discontinuation
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