KR920007146A - 고전압 트랜지스터 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 고전압 트랜지스터의 단면도이고,
제4도는 본 발명의 고전압 트랜지스터의 제조공정도이다.
Claims (1)
- 실리콘 기판(31)상에 에피택셜층(32), 소자 분리용 P영역(33)과 고농도의 불순물 P+영역(38)이 형성되어 있는 반도체 장치에 있어서, 실리콘 기판(31)상에 산화막(34)이 형성되고, 상기 산화막(34)상의 고농도의 P+불순물 영역(38)과 소자 분리용 P+영역(33)사이에 게이트 게이트 폴리(37)이 형성되고, 그 위에는 층간 절연막으로 산화막(39)과 금속층(40)이 형성되는 것을 특징으로 하는 고전압 트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900014903A KR920007146A (ko) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 고전압 트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900014903A KR920007146A (ko) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 고전압 트랜지스터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920007146A true KR920007146A (ko) | 1992-04-28 |
Family
ID=67542796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019900014903A KR920007146A (ko) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 고전압 트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920007146A (ko) |
-
1990
- 1990-09-18 KR KR1019900014903A patent/KR920007146A/ko not_active Application Discontinuation
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