KR970024260A - 채널 영역 아래에 산화막을 가지는 트랜지스터 - Google Patents
채널 영역 아래에 산화막을 가지는 트랜지스터 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970024260A KR970024260A KR1019950036446A KR19950036446A KR970024260A KR 970024260 A KR970024260 A KR 970024260A KR 1019950036446 A KR1019950036446 A KR 1019950036446A KR 19950036446 A KR19950036446 A KR 19950036446A KR 970024260 A KR970024260 A KR 970024260A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- channel region
- region
- transistor
- oxide film
- channel
- Prior art date
Links
Landscapes
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
짧은 채널 효과에 의하여 발생하는 효과를 개선하기 위하여 채널 영역 아래에 산화막을 가지는 트랜지스터에 관하여 개시한다. 본 발명은 채널 영역·게이트 절연막·게이트 전극과 소스 및 드레인 영역을 구비하는 트랜지스터에 있어서 상기 채널 영역이 실리콘 에피택셜 층으로 형성되고, 상기 채널 영역 아래에 부분적으로 산화막을 가진다. 본 발명에 의하여 형성된 트랜지스터는 상기 채널 영역 아래에 상기 채널 산화막에 존재하여 상기 드레인 영역의 의하여 형성된 전계가 채널 영역이나 소스 영역에 영향을 미치지 않게 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의하여 형성된 채널 영역 아래에 산화막을 가지는 트랜지스터의 구조를 보여주는 단면도,
제2도 내지 제6도는 본 발명에 의한 트랜지스터의 제조 방법을 순서대로 보여주는 단면도들이다.
Claims (3)
- 채널 영역·게이트 절연막·게이트 전극과 소스 및 드레인 영역을 구비하는 트랜지스터에 있어서 상기 채널 영역이 실리콘 에피택셜 층으로 형성되고, 상기 채널 영역 아래에 부분적으로 산화막을 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 채널 영역 아래에 형성된 산화막은 반도체 기판을 국부적으로 열산화시켜 형성한 것을 특징으로 하는 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 영역은 상기 실리콘 에피택셜 층 및 상기 반도체 기판에 연결되어 형성된 것을 특징으로 하는 트랜지스터.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036446A KR970024260A (ko) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 채널 영역 아래에 산화막을 가지는 트랜지스터 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950036446A KR970024260A (ko) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 채널 영역 아래에 산화막을 가지는 트랜지스터 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970024260A true KR970024260A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66584441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950036446A KR970024260A (ko) | 1995-10-20 | 1995-10-20 | 채널 영역 아래에 산화막을 가지는 트랜지스터 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970024260A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100498592B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2006-04-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 모스트랜지스터 및 그 제조 방법 |
-
1995
- 1995-10-20 KR KR1019950036446A patent/KR970024260A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100498592B1 (ko) * | 1997-12-27 | 2006-04-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 모스트랜지스터 및 그 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910017676A (ko) | 박막트랜지스터 | |
| KR960012564A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 형성방법 | |
| KR900019265A (ko) | 트랜치 게이트 mos fet | |
| KR950034767A (ko) | Mis형 반도체장치 | |
| KR900008698A (ko) | 반도체장치 및 반도체 기억장치 | |
| KR900019171A (ko) | 나이트라이드 층으로 전도층을 덮어 반도체 소자를 제조하는 방법 | |
| KR850005163A (ko) | 전계효과형 트랜지스터의 제조방법 | |
| KR900002319A (ko) | 자외선소거형 불휘발성 반도체기억장치 | |
| KR890004444A (ko) | Mos트랜지스터 | |
| KR970008500A (ko) | 다결정 규소 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR960002880A (ko) | 실리콘 온 인슐레이터(soi) 트랜지스터 | |
| KR960032771A (ko) | 접합 전계 효과 트랜지스터를 갖는 반도체 장치 | |
| KR950021529A (ko) | 평면구조 모스 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR950004600A (ko) | 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 | |
| KR850005162A (ko) | 전계효과형 트랜지스터 | |
| KR930022601A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR960032776A (ko) | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR970024260A (ko) | 채널 영역 아래에 산화막을 가지는 트랜지스터 | |
| KR960019769A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| KR960019608A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 | |
| KR960006077A (ko) | 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
| KR930015084A (ko) | 박막 트랜지스터의 구조와 그 제조방법 | |
| KR960019611A (ko) | 반도체소자 제조방법 | |
| KR970013422A (ko) | 얕은 접합 깊이를 가지는 반도체 장치 | |
| KR960043282A (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |